Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
300 Задачи по разделу «Статистика электронов и дырок в полу-проводниках» курса «Микрооптоэлектроника»ID: 199164Дата закачки: 04 Марта 2019 Продавец: 23071827 (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Задачи Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ Описание: Задачи по разделу «Статистика электронов и дырок в полу-проводниках» курса «Микрооптоэлектроника» 1.1. Найти, чему равна собственная концентрация свободных носителей заряда в кремнии (Si), германии (Ge), арсениде галлия (GaAs) и антимониде индия (InSb) при комнатной температуре T = 300K и температуре жидкого азота T = 77 K. Кремний (Si) и арсенид галлия (GaAs) легированы донорной примесью до концентрации Nd = 1017 см-3. Считая примесь полностью ионизованной, найти концентрацию основных и неос-новных носителей заряда при температуре Т = 300K. 1.3. Рассчитать объемное положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны φ0 в собственных полупроводниках – кремнии (Si) и антимониде индия (InSb) при температурах Т1 = 300 K и Т2 = 77 K (с учетом различных значений эффективных масс электронов и дырок). 1.4. Найти объемное положение уровня Ферми φ0 в германии (Ge) марки ГДА–10 при температу-ре Т = 300 К. 1.5. Рассчитать объемное положение уровня Ферми φ0 относительно середины запрещенной зоны в электронном и дырочном антимониде индия InSb при азотной температуре Т = 77 К и концен-трации легирующей примеси Nd = Na = 1015 см-3. 1.6. Рассчитать положение уровня Ферми φ0 в приближении полностью ионизованной примеси в кремнии марки КЭФ–4,5 при температурах Т1 = 300 К и Т2 = 77 К. 1.7. Найти удельное сопротивление ρ электронного и дырочного кремния (Si) с легирующей при-месью Nd, a = 1016 см-3 при комнатной температуре. Размер файла: 129,5 Кбайт Фаил: (.doc)
Скачано: 2 Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! Некоторые похожие работы:К сожалению, точных предложений нет. Рекомендуем воспользоваться поиском по базе. |
||||
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Микроэлектроника / Задачи по разделу «Статистика электронов и дырок в полу-проводниках» курса «Микрооптоэлектроника»
Вход в аккаунт: