Экзамен По дисциплине: Электроника. вариант №9
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Билеты экзаменационные, Электроника
-
Добавлен:
11.03.2019
-
Размер:
123 KB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
Андрей124
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
9151DE53-9B5A-44A2-920B-A1F8ABE3CF40.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Вопрос №1:
Аналоговые ключи на транзисторах.
Вопрос №2:
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3:
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Аналоговые ключи на транзисторах.
Вопрос №2:
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3:
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Похожие материалы
Экзамен По дисциплине: Электроника. Вариант №9
Андрей124
: 31 августа 2019
Вопрос №1
Аналоговые ключи на транзисторах.
Вопрос №2:
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3:
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите вхо
Андрей124
: 31 августа 2019
20 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. Вариант №9.
ДО Сибгути
: 10 февраля 2016
Вопрос №1:
Аналоговые ключи на транзисторах.
Вопрос №2:
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3:
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите
ДО Сибгути
: 10 февраля 2016
50 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника
oksana111
: 24 июля 2014
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
oksana111
: 24 июля 2014
300 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
corner
: 21 февраля 2013
1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и пока
corner
: 21 февраля 2013
150 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника
Ekaterina-Arbanakova
: 11 февраля 2013
Экзаменационные вопросы:
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характери-стики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите
Ekaterina-Arbanakova
: 11 февраля 2013
250 руб.
Экзамен по дисциплине: электроника.
женя68
: 10 мая 2011
Экзамен.
По дисциплине: электроника.
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики Принципиальная схема базового элемента ДТЛ микросхемы.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа
женя68
: 10 мая 2011
56 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Rufus
: 26 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встрое
Rufus
: 26 мая 2016
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
dubhe
: 7 марта 2015
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Параметры полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведите в
dubhe
: 7 марта 2015
300 руб.
Другие работы
Оцінка конкурентоспроможності продукції фірми "INDESIT" відносно аналогічної продукції фірми "Atlant" та потреб споживачів
evelin
: 9 октября 2013
Конкурентоспроможність продукції – це відповідність продукції вимогам ринку, можливість збуту її на конкретному ринку. Її можна визначити порівнюючи конкуренті вироби між собою. Конкурентоспроможність поняття відносне, чітко прив’язане до ринку та часу продаж (для товарів сезонного попиту). Одночасно у кожного покупця є свій критерій оцінки задоволення власних потреб. Тому конкурентоспроможність набуває ще й індивідуального відтінку. Витрати покупця складаються з двох частин – витрат на купівлю
evelin
: 9 октября 2013
15 руб.
Экономико-статистический анализ внешней торговли Франции за 2004-2008 годы
DocentMark
: 11 сентября 2013
Оглавление
Введение
1.Дианмика внешней торговли Франции за 2004-2008 годы
2.Географическое распределение внешней торговли Франции за 2004-2008 годы
3. Структура внешней торговли Франции за 2004-2008 годы
Заключение
Введение
Экономика Франции глубоко встроена в мировое хозяйство. В 2008 году по доле в мировом импорте, которая составила 4,6%, Франция заняла пятое место (после США, Германии, Китая и Японии); по доле в мировом экспорте, которая составила 4%, Франция также заняла пятое место, уступи
DocentMark
: 11 сентября 2013
ИГ.05.25.04 - Пластина. Разрез сложный ломаный
Чертежи СибГАУ им. Решетнева
: 4 ноября 2021
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16
Вариант 25
ИГ.05.25.04 - Пластина. Разрез сложный ломаный
1. Выполнить указанный ломаный разрез.
2. Нанести размеры.
В состав работы входят 4 файла:
- 3D модель данной детали, расширение файла *.m3d;
- ассоциативный чертеж формата А3 в двух видах с выполненным указанным ломаным разрезом, выполненный по данной 3D модели, расширение файла *.cdw;
- аналогичный обычный чертеж, расширение файла *.cdw (чертеж с пометкой "к" для карандашного перечерчивания);
-
Чертежи СибГАУ им. Решетнева
: 4 ноября 2021
100 руб.
СИНЕРГИЯ Коучинг, лидерство и построение команд Тест 100 баллов 2024 год
Synergy2098
: 28 августа 2024
СИНЕРГИЯ Коучинг, лидерство и построение команд (Темы 1-9 Итоговый тест)
МТИ МосТех МосАП МФПУ Синергия Тест оценка ОТЛИЧНО
2024 год
Ответы на 86 вопросов
Результат – 100 баллов
С вопросами вы можете ознакомиться до покупки
ВОПРОСЫ:
Тема 1. Лидерство. Коучинг. Создание команды. Общие понятия
Тема 2. Принципы проактивности
Тема 3. Построение команды. Этапы развития команды. Стадия ориентации
Тема 4. Мотивация
Тема 5. Стадия столкновения, бурления, позиционирования
Тема 6. Лидерство. Алгор
Synergy2098
: 28 августа 2024
228 руб.
