Экзамен По дисциплине: Электроника. вариант №9

Цена:
45 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 9151DE53-9B5A-44A2-920B-A1F8ABE3CF40.docx [ 123 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Вопрос №1:
Аналоговые ключи на транзисторах.
Вопрос №2:
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3:
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.

Похожие материалы

Экзамен По дисциплине: Электроника. Вариант №9
Вопрос №1 Аналоговые ключи на транзисторах. Вопрос №2: Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3: Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите вхо
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User Андрей124 : 31 августа 2019
20 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. Вариант №9.
Вопрос №1: Аналоговые ключи на транзисторах. Вопрос №2: Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3: Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User ДО Сибгути : 10 февраля 2016
50 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. Вариант №9. promo
Экзамен по дисциплине: Электроника
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User oksana111 : 24 июля 2014
300 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и пока
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User corner : 21 февраля 2013
150 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
Экзамен по дисциплине: Электроника
Экзаменационные вопросы: 1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характери-стики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Ekaterina-Arbanakova : 11 февраля 2013
250 руб.
Экзамен по дисциплине: электроника.
Экзамен. По дисциплине: электроника. 1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики Принципиальная схема базового элемента ДТЛ микросхемы. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User женя68 : 10 мая 2011
56 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встрое
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Rufus : 26 мая 2016
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Параметры полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите в
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User dubhe : 7 марта 2015
300 руб.
promo

Другие работы

Договор финансирования под уступку денежного требования.
Финансирование под уступку денежного требования – новый Институт Российско-гражданского права. Своими корнями, с одной стороны, он уходит в общегражданскую цессию, существующую около двух тысяч лет и предусмотренную ныне статьями 382-390 ГК, а с другой –в особый институт факторинга, известный более 100 лет практически всем государствам с рыночной экономикой. Хозяйственный смысл договора о факторинге состоит в получении клиентом от финансового института ( «фактора», финансового агента, банка) ден
Правоведение Работа
User Qiwir : 29 декабря 2013
5 руб.
Экзамен по дисциплине: Вычислительная техника и информационные технологии. Вариант №12
Вопросы к экзамену по курсу «Вычислительная техника и информационные технологии» Билет 12 1. Перевод чисел из одной СС в другую. 2. Синхронные RS-триггеры со статическим управлением. Задача (рисунок смотрите на скрине). На входы логического элемента «Равнозначность» подаются серии импульсов, показанные на рисунке. Построить и объяснить временные диаграммы выходного сигнала, не учитывая задержки и фронты, создаваемые элементами устройства.
СибГУТИ Работа Экзаменационная Вычислительные машины, системы и сети
User Amor : 19 октября 2013
100 руб.
Экзамен по дисциплине: Вычислительная техника и информационные технологии. Вариант №12 promo
Инженерная графика. Задание №70. Вариант №5. Соединение шпилечное
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16. Боголюбов С.К. Индивидуальные задания по курсу черчения. Задание 70. Вариант 5. Соединение шпилечное. Пользуясь приведёнными условными соотношениями, построить изображения соединения деталей шпилькой. Размер L подобрать по ГОСТ 22032-76 (замена ГОСТа 11765-66) так, чтобы обеспечить указанное значение К. В состав работы входит один файл – чертеж шпилечного соединения соответствующего варианта с расчётами и используемыми стандартными изделиями на чертеж
Чертежи Инженерная графика
User Чертежи : 28 марта 2020
65 руб.
Инженерная графика. Задание №70. Вариант №5. Соединение шпилечное
Геоэкологические проблемы освоения Варандейского полуострова
Область распространения многолетнемерзлых пород является наиболее перспективным ресурсным регионом страны, без освоения природных богатств которого невозможно представить устойчивое развитие России и мира в целом. 1 Брагинский О.Б. Мировой нефтегазовый комплекс. М.: Наука, 2004, 608с. Проблемы рационального освоения территорий существенно осложняются в районах южной криолитозоны, где многолетнемерзлые толщи (достаточно высокотемпературные, часто имеющие сложное строение, как по глубине, так и
Рефераты Геология. Геодезия. Разраб. полезных ископ.
User alfFRED : 2 сентября 2013
5 руб.
up Наверх