Экзамен По дисциплине: Электроника. вариант №9
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Вопрос №1:
Аналоговые ключи на транзисторах.
Вопрос №2:
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3:
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Аналоговые ключи на транзисторах.
Вопрос №2:
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3:
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Похожие материалы
Экзамен По дисциплине: Электроника. Вариант №9
Андрей124
: 31 августа 2019
Вопрос №1
Аналоговые ключи на транзисторах.
Вопрос №2:
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3:
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите вхо
20 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. Вариант №9.
ДО Сибгути
: 10 февраля 2016
Вопрос №1:
Аналоговые ключи на транзисторах.
Вопрос №2:
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3:
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите
50 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника
oksana111
: 24 июля 2014
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
300 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
corner
: 21 февраля 2013
1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и пока
150 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника
Ekaterina-Arbanakova
: 11 февраля 2013
Экзаменационные вопросы:
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характери-стики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите
250 руб.
Экзамен по дисциплине: электроника.
женя68
: 10 мая 2011
Экзамен.
По дисциплине: электроника.
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики Принципиальная схема базового элемента ДТЛ микросхемы.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа
56 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Rufus
: 26 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встрое
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
dubhe
: 7 марта 2015
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Параметры полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведите в
300 руб.
Другие работы
Задание 35 вариант 2 фигура 1
vermux1
: 22 декабря 2017
Боголюбов С.. К. Индивидуальные задания по курсу черчения. Готовые чертежи.
Задание 35 вариант 2 фигура 1
Выполнить по аксонометрической проекции чертеж модели (построить три проекции и нанести размеры)
Выполнен в компасе 3D V13.
Чертеж выполнен на формате А3 + 3Д модель
Помогу с другими вариантами.Пишите в Л/С.
60 руб.
Гидравлика Пермская ГСХА Задача 57 Вариант 1
Z24
: 4 ноября 2025
Из резервуара А жидкость выливается в резервуар В по трубе диаметром d, в конце которой имеется пробковый кран с сопротивлением ζ2 = 0,5. Определить, за какое время заполнится резервуар В объемом V.
Задачу решить методом последовательного приближения, задаваясь λ = 0,04…0,15. Коэффициент поворота без скругления ζ1 принять равным 1,19.
250 руб.
Резервуар стальной вертикальный с плавающей кровлей РВСПп-50000-Чертеж-Оборудование транспорта нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 15 мая 2016
Резервуар стальной вертикальный с плавающей кровлей РВСПп-50000-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование транспорта нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
400 руб.
Гидравлика РГОТУПС Задача 2.1 Вариант 1
Z24
: 16 октября 2025
Трапецеидальный канал с крутизной откосов m и коэффициентом шероховатости стенок n=0,025, имеющий ширину по дну b, проложен с уклоном дна i (рис. 7).
Требуется определить:
1. Глубину воды в канале при пропуске расхода Q.
2. Ширину канала по верху (по урезу воды) В.
3. Среднюю скорость движения воды V.
4. Состояние потока (спокойное или бурное).
5. Критический уклон дна канала iк.
6. Для найденного значения площади поперечного сечения найти гидравлически наивыгоднейшее сеч
400 руб.