Лабораторные работы №1, №2, №3 по дисциплине: Физические основы электроники (Для всех вариантов)

Цена:
99 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Лаб_раб_3.doc
material.view.file_icon Лаб_раб_1.doc
material.view.file_icon Лаб_раб_2.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).

Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 3
Оценка:Зачет
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №1-3 по дисциплине: «Физические основы электроники» . Все варианты
Тема: «Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов» Тема: «Исследование статических характеристик биполярного транзистора» Тема: «ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ»
User Jerryamantipe03 : 23 июня 2021
500 руб.
Лабораторные работы №1-3 по дисциплине: Физические основы электроники (ВСЕ варианты)
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение лабораторной работы. 1. Прямое включение. 1.2. Определение материала диода. 1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом то
User Елена22 : 7 октября 2015
800 руб.
promo
Лабораторные работы №1-3 по дисциплине: Физические основы электроники. (Для всех вариантов)
Лабораторная работа №1. Тема: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: 1. Прямое включение. 1.1. Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении. 1.2. Определение материала диода. 1.3. Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления
User Roma967 : 29 мая 2015
800 руб.
promo
Лабораторные работы №№1, 2, 3 по дисциплине: Физические основы электроники. Все варианты.
Лабораторная работа №1 Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Лабораторная работа №2 Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Лабораторная работа №3 Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и п
User Ershic : 1 июля 2018
100 руб.
Лабораторные работы №№1, 2, 3 по дисциплине: Физические основы электроники. Все варианты.
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 3 . Схемы исследования На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения. Для исследован
User sprut89 : 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" 1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User ANNA : 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
User Mercuryman : 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User alru : 26 января 2017
100 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Английский язык
GSM end-user sets A range of end-user sets for GSM is available from Alcatel. V Alcatel 9109 НА (Alcatel GSM handheld terminal): This is a small pocket size/ light weight telephone developed for use in the GSM environment. The batteries support a full hour of continuous talk time or 1 2 hours of standby time. Alcatel 9109 НА V Alcatel 9109 DA (Alcatel GSM transmobile): The Alcatel 9109 DA is a GSM type car phone. It comes in a portable and a fixed version. The portable version again offers a fu
User aalo : 24 октября 2012
20 руб.
Сети ЭВМ и телекоммуникации. Вариант 0 (добавлен Excel c расчетами - можно считать все варианты!)
Задание: Требуется рассчитать количество оборудования (базовые станции, маршрутизаторы, элементы управления сетью, транспортные каналы) для построения сети LTE при заданных параметрах. Работа сделана для 0 варианта, но можно поменять цифры в расчетном файле и в отчете, вставить новые графики и готово! Вариант 0 Диапазон частот, ГГц 0,84 Режим дуплексирования FDD (отдельные симметричные полосы частот под UL и DL) Ширина полосы частот (BW), МГц 20 Мощность передатчика eNB, Вт 40 Усиление антенн
User AlexBrookman : 3 февраля 2019
500 руб.
Клапан ДМЧ.035.000.00 деталировка
Клапан чертежи Клапан деталирование Клапан скачать Клапан 3д модель Клапан Вариант 16 Клапан ДМЧ.035.000.00 Сборочный чертеж Клапан ДМЧ.035.000.00 Спецификация Корпус ДМЧ.016.101.00 Гайка ДМЧ.016.102.00 Пружина ДМЧ.016.401.00 Золотник ДМЧ.016.201.00 Прокладка ДМЧ.016.801.00 Шайба ДМЧ.016.201.00 Выполнены в компасе 3D V13 все чертежи+3Д модели Также возможно открыть в 14,15,16,17 и выше версиях компаса. Помогу с другими вариантами.Пишите в Л/С.
User coolns : 1 сентября 2019
400 руб.
Клапан ДМЧ.035.000.00 деталировка promo
up Наверх