Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Контрольная работа. Вариант №10.

Цена:
40 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon
material.view.file_icon Контрольная работа №4.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.

Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Таблица 1
цифра студенческого пароля 1
Принципиальная схема элемента Рис. 1б
Напряжение питания, В. 9
Пороговые напряженияМДП
транзисторов VT1 и VT2 1
Уровень входного напряжения, В. 1

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 04.10.2016
Рецензия:Уважаемый .
Игнатов Александр Николаевич
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №10
Контрольная работа Вариант №10 Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, R_i, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные: КП903A; U_CИ0=10B; U_ЗИ0=-8В. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного транзистор
User IT-STUDHELP : 25 декабря 2022
400 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №10 promo
Контрольная работа по дисциплине: «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)» Вариант 10
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр
User Алексей134 : 25 марта 2020
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)» Вариант 10
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника. Часть 2. Вариант 10
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. № вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В 10 КП 903А 10 -8 Задача 2. Используя характеристики за
User AlexBrookman : 3 февраля 2019
380 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
User Алексей134 : 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа.
Содержание задач контрольной работы Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. Вариант No2. Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 625 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 375 мкА . По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать пар
User madamm : 17 декабря 2008
220 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа.
Лаботораторный практикум №2 по дисциплине «Программирование»
1)Написать функцию, которая вычисляет для заданной квадратной матрицы A её симметричную часть S(ij)=(A(ij)+A(ji))/2 и кососимметричную часть K(ij)=(A(ij)-A(ji))/2. 2)Дана матрица Е размером m*n. Вычислить суммы элементов каждого столбца. Определить наибольшее значение этих сумм и номер соответствующего столбца. 3)Запись имеет вид: фамилия студента, номер зачетной книжки, 4 оценки за экзамен. Выводить информацию о всех двоечниках и корректировать ее...
User Omrade : 14 июня 2021
20 руб.
Лаботораторный практикум №2 по дисциплине «Программирование»
Монтаж резервуара 15000 м3 полистовым способом-Сооружение газонефтепроводов и газонефтехранилищ-Оборудование транспорта и хранения нефти и газа-Курсовая работа
Монтаж резервуара 15000 м3 полистовым способом-Сооружение газонефтепроводов и газонефтехранилищ-Оборудование транспорта и хранения нефти и газа-Курсовая работа Полистовой способ строительства заключается в том, что непосредственно на строительной площадке изготавливаются и собираются все конструктивные элементы резервуара. Этот способ применяется только в случае необходимости монтажа резервуара в стесненных условиях, с ограниченной площадкой, например в центре резервуарного парка, когда невозмож
User nakonechnyy.1992@list.ru : 7 июня 2023
794 руб.
Монтаж резервуара 15000 м3 полистовым способом-Сооружение газонефтепроводов и газонефтехранилищ-Оборудование транспорта и хранения нефти и газа-Курсовая работа
Учет и анализ. Экзамен - тест. Билет №6
Вопрос № 1: К оборотным активам предприятия относят.... 1. кредиторскую задолженность 2. основные средства 3. долгосрочные финансовые вложения 4. дебиторскую задолженность Вопрос № 2: Способ исчисления в денежном выражении фактической себестоимости продукции называется 1. двойной записью, 2. документацией, 3. отчетностью 4. калькуляцией Вопрос № 3: По месту составления документы подразделяются на ___________. 1. разовые и накопительные 2. первичные и сводные 3. распорядительные и оправд
User inwork2 : 16 декабря 2017
100 руб.
up Наверх