Контрольная работа. Общая теория связи. Вариант №9
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No1
К полупроводниковому прибору с нелинейной вольт-амперной характеристикой прикладывается бигармоническое напряжение:
Вольт-амперная характеристика прибора аппроксимируется степенным полиномом: где ic – протекающий через полупроводниковый прибор ток; u – воздействующее на полупроводниковый прибор напряжение.
Рассчитать спектр тока и построить спектральную диаграмму для исходных данных.
Задача No2
Ток в полупроводниковом диоде i связан с приложенным напряжением U кусочно-линейной зависимостью:
где S – крутизна, U0 – напряжение отсечки. Найдите постоянную составляющую тока I0, амплитуду первой, второй и третьей гармоник протекающего тока (Im1, Im2, Im3) для входного воздействия в виде напряжения Uвх(t)=E+Umcosω0t.
Постройте спектральную диаграмму протекающего тока и укажите, какие спектральные составляющие следует выделять параллельным колебательным контуром для получения умножения частоты в два и три раза.
Задача No3
Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимирована выражением
i_k={█(S(U_б-U_0 ),при〖 U〗_б≥U_0@0,при 〖 U〗_б<U_0 )
где – ток коллектора транзистора; Uб – напряжение на базе транзистора;
– крутизна вольт-амперной характеристики; U0 – напряжение отсечки ВАХ.
Требуется:
1. Объяснить назначение модуляции несущей и описать различные виды модуляции.
2. Изобразить схему транзисторного амплитудного модулятора, пояснить принцип ее работы и назначение ее элементов.
3. Дать понятие статической модуляционной характеристики (СМХ). Рассчитать и построить (СМХ) при заданных S, U0 и значении амплитуды входного высокочастотного напряжения Um.
4. С помощью статической модуляционной характеристики определить оптимальное смещение E0 и допустимую величину амплитуды U модулирующего напряжения U cost , соответствующие неискаженной модуляции.
5. Рассчитать коэффициент модуляции mАМ для выбранного режима. Построить спектр и временную диаграмму АМ-сигнала.
Задача No4
Вольт-амперная характеристика диода амплитудного детектора аппроксимирована отрезками прямых
SU при U 0,
i =
0 при U < 0.
На входе детектора действует амплитудно-модулированное колебание
UАМ(t)=Um(1+mАМcos2Ft)cos2f0t
Требуется:
1. Пояснить назначение детектирования модулированных колебаний. Изобразить схему диодного детектора и описать принцип ее работы.
2. Рассчитать необходимое значение сопротивления нагрузки детектора Rн для получения заданного значения коэффициента передачи детектора kд.
3. Выбрать значение емкости нагрузки детектора Cн при заданных f0 и F.
4. Рассчитать и построить спектры напряжений на входе и выходе детектора.
К полупроводниковому прибору с нелинейной вольт-амперной характеристикой прикладывается бигармоническое напряжение:
Вольт-амперная характеристика прибора аппроксимируется степенным полиномом: где ic – протекающий через полупроводниковый прибор ток; u – воздействующее на полупроводниковый прибор напряжение.
Рассчитать спектр тока и построить спектральную диаграмму для исходных данных.
Задача No2
Ток в полупроводниковом диоде i связан с приложенным напряжением U кусочно-линейной зависимостью:
где S – крутизна, U0 – напряжение отсечки. Найдите постоянную составляющую тока I0, амплитуду первой, второй и третьей гармоник протекающего тока (Im1, Im2, Im3) для входного воздействия в виде напряжения Uвх(t)=E+Umcosω0t.
Постройте спектральную диаграмму протекающего тока и укажите, какие спектральные составляющие следует выделять параллельным колебательным контуром для получения умножения частоты в два и три раза.
Задача No3
Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимирована выражением
i_k={█(S(U_б-U_0 ),при〖 U〗_б≥U_0@0,при 〖 U〗_б<U_0 )
где – ток коллектора транзистора; Uб – напряжение на базе транзистора;
– крутизна вольт-амперной характеристики; U0 – напряжение отсечки ВАХ.
Требуется:
1. Объяснить назначение модуляции несущей и описать различные виды модуляции.
2. Изобразить схему транзисторного амплитудного модулятора, пояснить принцип ее работы и назначение ее элементов.
3. Дать понятие статической модуляционной характеристики (СМХ). Рассчитать и построить (СМХ) при заданных S, U0 и значении амплитуды входного высокочастотного напряжения Um.
4. С помощью статической модуляционной характеристики определить оптимальное смещение E0 и допустимую величину амплитуды U модулирующего напряжения U cost , соответствующие неискаженной модуляции.
5. Рассчитать коэффициент модуляции mАМ для выбранного режима. Построить спектр и временную диаграмму АМ-сигнала.
Задача No4
Вольт-амперная характеристика диода амплитудного детектора аппроксимирована отрезками прямых
SU при U 0,
i =
0 при U < 0.
На входе детектора действует амплитудно-модулированное колебание
UАМ(t)=Um(1+mАМcos2Ft)cos2f0t
Требуется:
1. Пояснить назначение детектирования модулированных колебаний. Изобразить схему диодного детектора и описать принцип ее работы.
2. Рассчитать необходимое значение сопротивления нагрузки детектора Rн для получения заданного значения коэффициента передачи детектора kд.
3. Выбрать значение емкости нагрузки детектора Cн при заданных f0 и F.
4. Рассчитать и построить спектры напряжений на входе и выходе детектора.
Дополнительная информация
2018г.
Похожие материалы
Общая теория связи. Контрольная работа. Вариант №9.
Tech_Assistant
: 2 октября 2017
На вход транзисторного усилителя воздействует бигармоническое напряжение:
u(t)=U_m1 cosω_1 t+U_m2 cosω_2 t.
Вольтамперная характеристика полевого транзистора аппроксимируется полиномом:
i_c=a_0+a_1 u+a_2 u^2.
где i_с - ток стока; u - напряжение на затворе транзистора.
Рассчитать спектр тока и построить спектральную диаграмму для исходных данных:
Данные
9 7 8.2 3.1 2 0.5 1 0.5
Задание 2.
Ток в нелинейном резисторе i связан с приложенным напряжением U кусочно-линейной зависимостью:
i={█(0,u<U_0
250 руб.
Общая теория связи. Контрольная работа №1. Вариант №9
FreeForMe
: 25 августа 2016
Тема 1
Спектральное представление сигналов на выходе
нелинейных цепей
Задание 1
На вход транзисторного усилителя воздействует бигармоническое напряжение
u(t)= Um1 cosω1t+Um2 cosω2 t.
Вольтамперная характеристика полевого транзистора аппроксимируется полиномом
,
где iс - ток стока; u - напряжение на затворе транзистора.
Рассчитать спектр тока и построить спектральную диаграмму для исходных данных:
Данные
Варианты а0
мА а1
мА/В a2
мА/В2 f1
кГц
f2
кГц Um1
В Um2
В
9 7 8.2 3.1 2 0.5
155 руб.
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА по Общей Теории связи
007
: 2 мая 2020
К полупроводниковому прибору с нелинейной вольт-амперной характеристикой прикладывается бигармоническое напряжение:
u(t)=U_m1 cos(ω_1 t)+U_m2 cos(ω_2 t)
Вольт-амперная характеристика прибора аппроксимируется степенным полиномом:
i_c=a_0+a_1 u+a_2 u^2
Где ic – протекающий через полупроводниковый прибор ток;
u – воздействующее на полупроводниковый прибор напряжение.
Требуется:
Рассчитать спектр тока и построить спектральную диаграмму для исходных данных варианта.
Исходные данные:
Вари
350 руб.
Контрольная работа №1 Общая теория связи
lyolya
: 28 июня 2022
Контрольная работа №1 по общей теории связи
Вариант 37
Решение всех задач подробное ЗАДАЧА 1. 1. Стационарный случайный процесс х(t) имеет одномерную функцию плотности вероятности (ФПВ) мгновенных значений w(x), график и параметры которой приведены в таблице 1.
2. Функция распределения вероятностей (ФРВ) связана с ФПВ следующим соотношением:
ЗАДАЧА 3. Данные: Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора амплитудного модулятора аппроксимирована выражением:
РАССМОТРИМ ОСНОВНЫЕ ВИДЫ
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Общая теория связи
vladimir2050
: 5 января 2018
На вход транзисторного усилителя воздействует бигармоническое напряжение
Вольтамперная характеристика полевого транзистора аппроксимируется полиномом
где - ток cтока, u - напряжение на затворе транзистора
Рассчитать спектр тока и построить спектральную диаграмму для исходных данных таблицы 1.1 Номер варианта соответствует двум последним цифрам пароля
190 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Общая теория связи
lebed-e-va
: 16 апреля 2015
Тема 1. Спектральное представление сигналов на выходе
нелинейных цепей
Задание 1
На вход транзисторного усилителя воздействует бигармоническое напряжение
Вариант a0, мА a1, мА/В a2, (мА/В)2 f1, кГц f2, кГц Um1, В Um2, В
4 6 8 2.7 4 1 0.1 0
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Общая теория связи
pepol
: 16 декабря 2014
Задание 1.
На вход транзисторного усилителя воздействует бигармоническое напряжение
u(t)= Um1 cosω1t+Um2 cosω2 t
Вольтамперная характеристика полевого транзистора аппроксимируется полиномом
,
где iс - ток стока;
u - напряжение на затворе транзистора.
Рассчитать спектр тока и построить спектральную диаграмму для исходных данных таблицы 1.1 Номер варианта соответствует двум последним цифрам пароля
Таблица 1.1
Данные
Варианты а
мА аo
мА/В a1 2
мА/В f1
кГц
f2
кГц Um1
В Um2
В
7
100 руб.
Общая теория связи. Контрольная работа. 9-й ВАРИАНТ.
Rufus
: 29 октября 2016
Задание 1
На вход транзисторного усилителя воздействует бигармоническое напряжение:
Вольтамперная характеристика полевого транзистора аппроксимируется полиномом
,
где – ток стока;
– напряжение на затворе транзистора.
Рассчитать спектр тока и построить спектральную диаграмму для исходных данных таблицы 1.1.
Таблица 1.1
Номер
варианта ,
мА ,
мА/В ,
мА/В2 ,
кГц ,
кГц ,
В ,
В
9 7 8,2 3,1 2 0,5 1 0,5
Решение:
Найдем выражением для тока стока полевого транзистора при заданно
160 руб.
Другие работы
Національна депозитарна система в Україні
VikkiROY
: 3 ноября 2012
З М І С Т
Вступ
1.Національна депозитарна система в Україні
2. Кліринг та розрахунки за угодами щодо цінних паперів
3. Діяльність Національного депозитарію України
4. Цінні папери щодо яких здійснюється депозитарна діяльність
5.Основні функції депозитарних установ
6. Тенденції розвитку Національної депозитарної системи України
Висновки
Список використаної літератури
Вступ
Досвід роботи на світовому фінансовому ринку формується майже п'ятсот років. Першими фінансовими інструментами, які форм
10 руб.
Макроэкономические механизмы в открытой экономике
Elfa254
: 8 ноября 2013
Содержание
Введение
1.Теоретические основы макроэкономического равновесия и макроэкономическая политика государства в условиях открытой экономики
1.1 Основные взаимосвязи в открытой экономике. Платежный баланс страны
1.2 Внутреннее и внешнее равновесие в открытой экономике. Модель «доходы-расходы» в системе внешнего равновесия в открытой экономике
1.3 Макроэкономическая политика в открытой экономике. Особенности стабилизационной политики государства при использовании гибкого и фиксированног
10 руб.
Задание 58. Вариант 29 - Тело с отверстиями
Чертежи по сборнику Боголюбова 2007
: 8 апреля 2023
Возможные программы для открытия данных файлов:
WinRAR (для распаковки архива *.zip или *.rar)
КОМПАС 3D не ниже 16 версии для открытия файлов *.cdw, *.m3d
Любая программа для ПДФ файлов.
Боголюбов С.К. Индивидуальные задания по курсу черчения, 1989/1994/2007.
Задание 58. Вариант 29 - Тело с отверстиями (или тело с двойным проницанием)
Выполнить в трех проекциях чертеж полого геометрического тела с применением профильного разреза. В определенных вариантах так же на горизонтальной проекции тре
100 руб.
Курсовая Разработка интегрального устройства. Вариант №37
SibgutiKR
: 15 апреля 2016
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Вариант 37.
Единственная правильно сделанная курсовая из выложенных в сети.
Резензент: Фадеева Наталья Евгеньевна
Оценка: 4
стр.
Техническое задание…………………………………………………………….2
Исходные данные…………………………………………………………..........2
Введение……………………………………………………………………….....3
1.Разработка структу
1200 руб.