Лабораторная работа №1,вариант 02. ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение по

Цена:
270 руб.

Состав работы

material.view.file_icon DF7D1B25-9E9A-408E-BD9F-B792B4C59103.docx [ 132 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Отчет по работе

СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б


Рис.1а и 1б Схемы прямого включения

а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр)

Таблицы с результатами измерений
Таблица 1 – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5 6 7 8

Таблица 2 – диод Д220
Uпр, В 0 0,574 0,610 0,633 0,645 0,660 0,670 0,681 0,691
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5 6 7 8

На рисунке 2 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении.

Дополнительная информация

Работа сдана в 2019 году.Савиных Валерий Леонидович

Похожие материалы

Физические основы электроники. Лабораторные работы 1-3. Все варианты (Вариант № 03). 3 курс, 6 семестр. Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупровод
Лабораторная работа No 1 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User virtualman : 9 января 2020
137 руб.
Физические основы электроники. Лабораторные работы 1-3. Все варианты (Вариант № 03). 3 курс, 6 семестр. Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупровод
Лабораторная работа №1 Исследование характеристик и параметров светоизлучающих диодов
Исходные данные: Диод АЛ 102Д. Напряжение 4,5 В. Сила света 0,07мКд.
Оптоэлектроника и нанофотоника Работа Лабораторная Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики
User tkk : 30 апреля 2021
400 руб.
Отчёт по лабораторной работе № 1 «Исследование статических характеристик и параметров полупроводниковых диодов»
Цель работы: Изучить устройство полупроводниковых диодов различных типов, физические процессы, происходящие в них, характеристики и параметры. Схемы исследования полупроводниковых диодов Схема для исследования ВАХ диода при прямом включении Схема для исследования ВАХ диода при обратном включении Схема для исследования ВАХ стабилитрона Схема для исследования однопериодного выпрямителя График 1 – ВАХ Ge и Si диодов Прямая ветвь ВАХ диодов D14 и KD209B График 2 – ВАХ стабилитрона Прямая ветвь В
СибГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User ДО Сибгути : 6 февраля 2013
71 руб.
Отчёт по лабораторной работе № 1 «Исследование статических характеристик и параметров полупроводниковых диодов»
Лабораторная работа №3.Вариант 02.ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 1. Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Отчет о работе 2.1. Снять передаточную характеристику IC=F(U3И) (график 2.1). Результаты измерений занести в таблицу 2.1. Определить напряжение отсечки U3ИО (определить напряжение U3И, при котором ток стока снизится примерно до 10 мкА) На рис. 2.1 приведена схема для снятия статических передаточных характеристик полевого транзистора. Полярность источников питания и приборов соответствует типовому включению ПТ с p-n переходом и каналом р-типа. К входу ПТ (затвор-исток) прикладывается управляющ
Работа Лабораторная Физические основы электроники
User кайлорен : 2 декабря 2019
295 руб.
Исследование характеристик и параметров фотодиодов
Лабораторная работа 1. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ФОТОДИОДОВ. Вариант 1. Оптоэлектроника и нанофотоника 1. Цель работы Изучить характеристик и определение параметров фотодиодов (ФД). 2. Исходные данные Таблица 2.1 Исходные данные
СибГУТИ Оптоэлектроника и нанофотоника Работа Лабораторная
User Юрий14 : 27 января 2022
200 руб.
Исследование характеристик и параметров фотодиодов
Лабораторная работа №1 по дисциплине «Оптоэлектроника и нанофотоника» «Исследование характеристик и параметров фотодиодов». Вариант №5
Лабораторная работа №1 по дисциплине «Оптоэлектроника и нанофотоника»«Исследование характеристик и параметров фотодиодов» вариант 5
СибГУТИ Оптоэлектроника и нанофотоника Работа Лабораторная
User Юрий14 : 12 января 2022
500 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине «Оптоэлектроника и нанофотоника» «Исследование характеристик и параметров фотодиодов». Вариант №5
Лабораторная работа 1 Определение параметров характеристики диода методом наименьших квадратов на основе экспериментальных данных
Определение параметров характеристики диода методом наименьших квадратов на основе экспериментальных данных Цель работы Обработка экспериментальных данных при измерении вольт-амперной характеристики полупроводникового диода для нахождения теоретической кривой, наилучшим образом приближенной к экспериментальной Расчетные формулы Обработка экспериментальных данных при измерении вольт-амперной характеристики полупроводниковых диодов обычно сводится к нахождению теоретической кривой, которая дол
Основы обработки данных ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная
User Andatra6699 : 7 апреля 2025
400 руб.
Исследование характеристик и параметров полупроводникового лазера
Кафедра Технической электроники ОТЧЕТ По лабораторной работе № 2 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЛАЗЕРА По дисциплине: Квантовая и оптическая электроника
Квантовая и оптическая электроника СибГУТИ Работа Лабораторная
User LanaTol : 26 марта 2023
100 руб.
Исследование характеристик и параметров полупроводникового лазера

Другие работы

Экзаменационная работа. Основы информационной безопасности сетей и систем. Билет №19
Дисциплина: «Основы информационной безопасности сетей и систем» Билет №19 1. Какое на ваш взгляд информационное оружие, с помощью которого ведется информационная война, самое эффективное? Аргументируйте свой ответ. Приведите примеры. 2. Кратко расскажите об основных законодательных актах в сфере информационной безопасности в РФ. 3. Дайте определение терминам «конфиденциальность», «целостность» и «доступность». Есть ли взаимосвязь между этими параметрами безопасности?
ДО СИБГУТИ Основы информационной безопасности сетей и систем Работа Экзаменационная
User deus : 27 апреля 2018
150 руб.
Экзаменационная работа. Основы информационной безопасности сетей и систем. Билет №19
Практическое задание к теме №5 по предмету: Основы финансового анализа, вариант №1.
Практическое задание к теме 5 Задание (вариант 1). По данным финансовой отчётности за последние два года проведите финансовый анализ методом финансовых коэффициентов деятельности СПАО «РЕСО-Гарантия» или любой другой страховой компании, сделайте выводы по результатам финансового анализа. Отчет за 2018-2020 года Методические рекомендации • Обучающийся может самостоятельно выбрать страховую компанию. • При выборе другой страховой компании (не СПАО «РЕСО-Гарантия») в задании необходимо оставит
Основы финансового анализа СибУПК Практические занятия и отчеты
User Andreas74 : 31 октября 2021
200 руб.
Практическое задание к теме №5 по предмету: Основы финансового анализа, вариант №1.
Экзаменационная работа ПО ДИСЦИПЛИНЕ: «ОСНОВЫ ПЕРЕДАЧИ ДИСКРЕТНЫХ СИГНАЛОВ» билет 12
Билет № 12 1. Расчет параметров поэлементной синхронизации: Погрешность синхронизации, время синхронизации, время поддержания синхронизма, вероятность срыва синхронизма. 2. Циклические коды. Алгоритмы построения циклических кодов. Получение разрешенной кодовой комбинации. Построение кодера ЦК. 3. Определить скорости модуляции и передачи информации, если длительность единичного интервала 5 мс, а передача ведется кодом (15,11). При решении считать, что
Основа передачи дискретных сообщений СибГУТИ Работа Экзаменационная
User te86 : 7 мая 2013
120 руб.
Методичка по НГ. Кривые поверхности 2018г. РУТ(МИИТ)/Кривые поверхности №3477 2012г. РУТ(МИИТ). Вариант №34.
Для обучающихся ИТТСУ, ИУИТ и ВЕЧЕРНЕГО факультета. Домашняя работа «Кривые поверхности» состоит из двух задач: Задача No1. Построение проекций линии пересечения: б) двух поверхностей (варианты задания 33÷64). Задача No2. Построение развёртки поверхности вращени
Чертежи Начертательная геометрия РУТ (МИИТ)
User werchak : 12 февраля 2021
550 руб.
Методичка по НГ. Кривые поверхности 2018г. РУТ(МИИТ)/Кривые поверхности №3477 2012г. РУТ(МИИТ). Вариант №34.
up Наверх