Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
300 Зачетная работа По дисциплине: Материалы и компоненты электронной техники. Билет №2.ID: 206041Дата закачки: 15 Января 2020 Продавец: teacher-sib (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Работа Зачетная Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ Описание: Билет 2 1. Вещество, состоящее из атомов одного химического элемента, называется: а) химически чистым; б) химически простым; в) химическим соединением. 2. Вещество, состоящее из однородных атомов или молекул, и содержащее некоторое количество другого вещества, не превышающее заданного значения, называется: а) химически чистым; б) химически простым; в) химическим соединением. 3. Укажите виды точечных статических дефектов кристаллической структуры: а) дислокации; б) вакансии; в) фононы; г) междоузлия. 4. Укажите основные характеристики структуры материала: а) концентрация носителей заряда; б) степень упорядоченности расположения микрочастиц; в) наличие и концентрация дефектов; г) электропроводность. 5. Полярным называется диэлектрик, молекулы которого: а) обладают собственным магнитным моментом при отсутствии внешнего электрического поля; б) не взаимодействуют с внешним электрическим полем; в) приобретают собственный электрический момент только во внешнем электрическом поле; г) имеют симметричное строение; д) при отсутствии внешнего электрического поля обладают собственным постоянным электрическим моментом. 6. Электропроводность твердых диэлектриков при постоянном напряжении определяется: а) током сквозной проводимости; б) током адсорбции; в) током смещения; г) электропроводность диэлектриков всегда равна нулю. 7. Наибольшей электрической прочностью обладают: а) газообразные диэлектрики; б) жидкие диэлектрики; в) твердые диэлектрики; г) не зависит от агрегатного состояния. 8. Какие из факторов приводят к увеличению электропроводности диэлектриков: а) наличие загрязнений; б) понижение температуры; в) повышение влажности; г) длительная эксплуатация. 9. Ток в полупроводнике, возникающий вследствие градиента концентрации носителей заряданазывается: а) диффузионным; б) дрейфовым; в) дисперсным; г) рекомбинационным. 10. С ростом температуры концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике: а) сначала не изменяется, а потом уменьшается; б) уменьшается; в) увеличивается; г) сначала увеличивается, а потом уменьшается; д) не изменяется. 11. Собственным полупроводником называют: а) Полупроводник, в котором можно пренебречь влиянием примесей при любой температуре; б) Полупроводник, в котором можно пренебречь влиянием молекул при данной температуре; в) Полупроводник, в котором можно пренебречь влиянием примесей при данной температуре; г) Полупроводник, в котором нельзя пренебречь влиянием примесей при данной температуре. 12. Основной особенностью полупроводников является способность изменять свои свойства под влиянием следующих внешних воздействий: а) Температуры или освещения; б) Температуры или давления; в) Температуры и давления; г) Температуры и освещения. 13. Удельное поверхностное сопротивление пленочного проводника представляет собой: а) удельное объемное сопротивление, умноженное на толщину пленки; б) удельное объемное сопротивление, деленное на толщину пленки; в) равно удельному объемному сопротивлению; г) не зависит от удельного объемного сопротивления. 14. Какие материалы относятся к группе материалов высокой проводимости: а) тантал и рений; б) медь и алюминий; в) графит и пиролитический углерод; г) цинк и хром. 15. Какие вещества относят к проводникам второго рода: а) металлические расплавы; б) электролиты; в) твердые металлы; г) естественножидкие металлы. 16. Какое из утверждений является ВЕРНЫМ: а) в качестве проводниковых материалов могут использоваться только чистые металлы; б) в качестве проводниковых материалов могут использоваться только металлические сплавы; в) в качестве проводниковых материалов могут использоваться композиционные материалы. 17. По предельной статической петле гистерезиса можно определить следующие параметры магнитного материала: а) индукцию насыщения; б) удельное сопротивление; в) остаточную индукцию; г) теплопроводность. 18. При намагничивании ферромагнетика: а) смещаются границы доменов; б) векторы намагниченности ориентируются в направлении внешнего поля; в) изменяется удельное сопротивление. 19. Магнитострикция – это процесс изменения магнитного состояния ферромагнетика, сопровождающийся изменением: а) теплопроводности; б) электропроводности; в) линейных размеров; г) прочности. 20. Магнитный гистерезис обусловлен: а) задержками в смещении доменных границ, вызываемыми искажениями кристаллической решетки; б) возникновением асимметрии оптических свойств вещества под действием магнитного поля; в) наличием областей спонтанной намагниченности. Комментарии: 2020 г. Зачет (Фадеева) Размер файла: 17,1 Кбайт Фаил: (.rar)
Скачано: 5 Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! Некоторые похожие работы:Зачетная работа по дисциплине: Материалы и компоненты электронной техники. Билет №1Зачетная работа по дисциплине: Материалы и компоненты электронной техники Билет №5 Отчет по практике. Тема работы: Ведущий мост Зачетная работа по дисциплине: Материалы и компоненты электронной техники. Билет №08 Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами. |
||||
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Материалы и компоненты электронной техники / Зачетная работа По дисциплине: Материалы и компоненты электронной техники. Билет №2.
Вход в аккаунт: