Зачетная работа По дисциплине: Материалы и компоненты электронной техники. Билет №2.

Билет 2

1. Вещество, состоящее из атомов одного химического элемента, называется:
а) химически чистым;
б) химически простым;
в) химическим соединением.

2. Вещество, состоящее из однородных атомов или молекул, и содержащее некоторое количество другого вещества, не превышающее заданного значения, называется:
а) химически чистым;
б) химически простым;
в) химическим соединением.

3. Укажите виды точечных статических дефектов кристаллической структуры:
а) дислокации;
б) вакансии;
в) фононы;
г) междоузлия.

4. Укажите основные характеристики структуры материала:
а) концентрация носителей заряда;
б) степень упорядоченности расположения микрочастиц;
в) наличие и концентрация дефектов;
г) электропроводность.

5. Полярным называется диэлектрик, молекулы которого:
а) обладают собственным магнитным моментом при отсутствии внешнего электрического поля;
б) не взаимодействуют с внешним электрическим полем;
в) приобретают собственный электрический момент только во внешнем электрическом поле;
г) имеют симметричное строение;
д) при отсутствии внешнего электрического поля обладают собственным постоянным электрическим моментом.

6. Электропроводность твердых диэлектриков при постоянном напряжении определяется:
а) током сквозной проводимости;
б) током адсорбции;
в) током смещения;
г) электропроводность диэлектриков всегда равна нулю.

7. Наибольшей электрической прочностью обладают:
а) газообразные диэлектрики;
б) жидкие диэлектрики;
в) твердые диэлектрики;
г) не зависит от агрегатного состояния.

8. Какие из факторов приводят к увеличению электропроводности диэлектриков:
а) наличие загрязнений;
б) понижение температуры;
в) повышение влажности;
г) длительная эксплуатация.

9. Ток в полупроводнике, возникающий вследствие градиента концентрации носителей заряданазывается:
а) диффузионным;
б) дрейфовым;
в) дисперсным;
г) рекомбинационным.

10. С ростом температуры концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике:
а) сначала не изменяется, а потом уменьшается;
б) уменьшается;
в) увеличивается;
г) сначала увеличивается, а потом уменьшается;
д) не изменяется.

11. Собственным полупроводником называют:
а) Полупроводник, в котором можно пренебречь влиянием примесей при любой температуре;
б) Полупроводник, в котором можно пренебречь влиянием молекул при данной температуре;
в) Полупроводник, в котором можно пренебречь влиянием примесей при данной температуре;
г) Полупроводник, в котором нельзя пренебречь влиянием примесей при данной температуре.

12. Основной особенностью полупроводников является способность изменять свои свойства под влиянием следующих внешних воздействий:
а) Температуры или освещения;
б) Температуры или давления;
в) Температуры и давления;
г) Температуры и освещения.

13. Удельное поверхностное сопротивление пленочного проводника представляет собой:
а) удельное объемное сопротивление, умноженное на толщину пленки;
б) удельное объемное сопротивление, деленное на толщину пленки;
в) равно удельному объемному сопротивлению;
г) не зависит от удельного объемного сопротивления.

14. Какие материалы относятся к группе материалов высокой проводимости:
а) тантал и рений;
б) медь и алюминий;
в) графит и пиролитический углерод;
г) цинк и хром.

15. Какие вещества относят к проводникам второго рода:
а) металлические расплавы;
б) электролиты;
в) твердые металлы;
г) естественножидкие металлы.

16. Какое из утверждений является ВЕРНЫМ:
а) в качестве проводниковых материалов могут использоваться только чистые металлы;
б) в качестве проводниковых материалов могут использоваться только металлические сплавы;
в) в качестве проводниковых материалов могут использоваться композиционные материалы.

17. По предельной статической петле гистерезиса можно определить следующие параметры магнитного материала:
а) индукцию насыщения;
б) удельное сопротивление;
в) остаточную индукцию;
г) теплопроводность.

18. При намагничивании ферромагнетика:
а) смещаются границы доменов;
б) векторы намагниченности ориентируются в направлении внешнего поля;
в) изменяется удельное сопротивление.

19. Магнитострикция – это процесс изменения магнитного состояния ферромагнетика, сопровождающийся изменением:
а) теплопроводности;
б) электропроводности;
в) линейных размеров;
г) прочности.

20. Магнитный гистерезис обусловлен:
а) задержками в смещении доменных границ, вызываемыми искажениями кристаллической решетки;
б) возникновением асимметрии оптических свойств вещества под действием магнитного поля;
в) наличием областей спонтанной намагниченности.

2020 г. Зачет (Фадеева)