Лабораторная работа.« Физические основы электроники »

Цена:
1700 руб.

Состав работы

material.view.file_icon A675F686-AA9F-4D2A-8183-F8C35D851249.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Лабораторная работа № 1

Исследование выпрямительного полупроводникового диода

Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров выпрямительных диодов по их вольт-амперным характе-ристикам.

Результаты выполнения лабораторной работы

1. Исследование ВАХ полупроводникового выпрямительного диода.
Лабораторная работа № 2

Исследование полупроводникового стабилитрона
Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров стабилитронов по их вольт-амперным характеристикам.

Результаты выполнения лабораторной работы

1. Исследование обратной ветви ВАХ полупроводникового стабилитрона.
Схема исследования обратной ветви ВАХ стабилитрона с помощью ЕWB приведена на рис. 1.
Лабораторная работа № 3, 4

Исследование характеристик биполярного транзистора

Цель работы: Изучение принципа функционирования и основных характеристик биполярного транзистора в схемах с общей базой (ОБ) и общим змиттером (ОЭ), а также овладение методикой определения малосигнальных параметров транзистора, как чотырехполюсника.

Результаты выполнения лабораторной работы

1. Исследование характеристик и параметров БТ по схеме с ОЭ.

1.1. Исследование семейств статических ВАХ БТ по схеме ОЭ.

Схема для исследования ВАХ транзистора показана на рис. 1.

Рис. 1. Схема исследования ВАХ БТ по схеме ОЭ

Семейство входных ВАХ IБ = f (UБЭ) снимаем при фиксированных значениях UКЭ путем изменения тока IБ и измерением UБЭ. Результаты измерений занесены в табл. 1, семейство входных ВАХ представлено на рис. 2.
Лабораторная работа № 5

Исследование тиристора

Цель работы: Изучение конструкции, принципа действия тиристора, его основных параметров и характеристик.

Результаты выполнения лабораторной работы

1. Исследование ВАХ тиристора.

Для исследования ВАХ тиристора с помощью ЕWB была собрана схема, показанная на рис. 1 и была снята зависимость тока анода тиристора І = f(U) для трех значений тока управления, начиная с Iупр = 0.
Лабораторная работа № 6

Исследование полевого транзистора с управляющим
р-n-переходом

Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных статических вольт-амперных характеристик и параметров полевых транзисторов.

Результаты выполнения лабораторной работы

1. Исследование семейств стоко-затворных и стоковых характеристик ПТ с управляющим р-n-переходом в схеме с общим истоком.

Лабораторная работа № 7
Исследование транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером

Цель работы: Исследование основных показателей и характеристик усили-теля, а также изучение методики и получение практических навыков по их изме-рению.

Результаты выполнения лабораторной работы

Виртуальная схема исследования усилителя в среде моделирования Еlectronics Workbench ( ЕWB) приведена на рис. 1.

Дополнительная информация

Лабораторные работы, 7 шт., Физические основы электроники, сдано на "Отлично"
2019г.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1,2,3
Описание: Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора Работа № 3 Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
User Diawol : 25 сентября 2019
40 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1,2,3
Физические основы электроники. Лабораторная работа №2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора 1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n при исследовании с ОЭ приведены на рисунке 2.2. С
User sprut89 : 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 3 . Схемы исследования На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения. Для исследован
User sprut89 : 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №3
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 1. Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). 2 . Подготовка к работе 2.1. Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур. 2.1.2. Схемы включения ПТ. 2.1.3. Статические характеристики. 2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам. 2.2. Ответить на следующие контрольные вопросы: 2.2.1. О
User sprut89 : 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №3
Отчет по работе №3 "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов" 1. Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур. 2.1.2. Схемы включения ПТ. 2.1.3. Статические характеристики. 2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
User ANNA : 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" 1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User ANNA : 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №2
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники Вид работы: Лабораторная работа 2 Оценка:Зачет Дата оценки: 15.12.2016
User Mercuryman : 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №2
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
User Mercuryman : 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
По двум проекциям конуса с вырезом построить третью проекцию. Упражнение 28 - Вариант 3
Б.Г. Миронов, Р.С. Миронова, Д.А. Пяткина, А.А. Пузиков. Сборник заданий по инженерной графике с примерами выполнения чертежей на компьютере. Упражнение 28 - Вариант 3 По двум проекциям конуса с вырезом построить третью проекцию. Проставить размеры. Линия выреза на горизонтальной проекции не изображена. В состав работы входит: Чертеж; 3D модель. Выполнено в программе Компас + чертежи в PDF.
User .Инженер. : 6 декабря 2025
100 руб.
По двум проекциям конуса с вырезом построить третью проекцию. Упражнение 28 - Вариант 3 promo
Стойка. Планка. Скоба. Плита. Вариант 4 ЧЕРТЕЖ
Стойка. Планка. Скоба. Плита. Вариант 4 ЧЕРТЕЖ Задание 64 1. Соединить половину фронтального разреза с половиной вида спереди. 2. Заменить вид слева разрезом А-А. 3. Заменить вид спереди разрезом А-А. 4. Заменить вид спереди разрезом А-А. Чертежи и 3d модели + pdf (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в КОМПАС 3D. Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком КОМПАС-3D Viewer. По другим вариант
User coolns : 1 августа 2026
300 руб.
Стойка. Планка. Скоба. Плита. Вариант 4 ЧЕРТЕЖ
Катализаторы и ферменты
Катализатором, или ферментом (в случае биохимической реакции), называется вещество, помогающее протеканию химической реакции, но не изменяющееся в ходе нее. Скорость протекания химической реакции можно значительно увеличить, если добавить вещество, которое участвует в этой реакции, но при этом само не расходуется. Чтобы лучше это понять, представим себе работу брокера по операциям с недвижимостью. Брокер находит и собирает вместе людей, желающих продать какое-либо имущество, и людей, желающих ег
User Aronitue9 : 10 декабря 2012
5 руб.
up Наверх