Лабораторная работа.« Физические основы электроники »
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа № 1
Исследование выпрямительного полупроводникового диода
Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров выпрямительных диодов по их вольт-амперным характе-ристикам.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование ВАХ полупроводникового выпрямительного диода.
Лабораторная работа № 2
Исследование полупроводникового стабилитрона
Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров стабилитронов по их вольт-амперным характеристикам.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование обратной ветви ВАХ полупроводникового стабилитрона.
Схема исследования обратной ветви ВАХ стабилитрона с помощью ЕWB приведена на рис. 1.
Лабораторная работа № 3, 4
Исследование характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Изучение принципа функционирования и основных характеристик биполярного транзистора в схемах с общей базой (ОБ) и общим змиттером (ОЭ), а также овладение методикой определения малосигнальных параметров транзистора, как чотырехполюсника.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование характеристик и параметров БТ по схеме с ОЭ.
1.1. Исследование семейств статических ВАХ БТ по схеме ОЭ.
Схема для исследования ВАХ транзистора показана на рис. 1.
Рис. 1. Схема исследования ВАХ БТ по схеме ОЭ
Семейство входных ВАХ IБ = f (UБЭ) снимаем при фиксированных значениях UКЭ путем изменения тока IБ и измерением UБЭ. Результаты измерений занесены в табл. 1, семейство входных ВАХ представлено на рис. 2.
Лабораторная работа № 5
Исследование тиристора
Цель работы: Изучение конструкции, принципа действия тиристора, его основных параметров и характеристик.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование ВАХ тиристора.
Для исследования ВАХ тиристора с помощью ЕWB была собрана схема, показанная на рис. 1 и была снята зависимость тока анода тиристора І = f(U) для трех значений тока управления, начиная с Iупр = 0.
Лабораторная работа № 6
Исследование полевого транзистора с управляющим
р-n-переходом
Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных статических вольт-амперных характеристик и параметров полевых транзисторов.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование семейств стоко-затворных и стоковых характеристик ПТ с управляющим р-n-переходом в схеме с общим истоком.
Лабораторная работа № 7
Исследование транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером
Цель работы: Исследование основных показателей и характеристик усили-теля, а также изучение методики и получение практических навыков по их изме-рению.
Результаты выполнения лабораторной работы
Виртуальная схема исследования усилителя в среде моделирования Еlectronics Workbench ( ЕWB) приведена на рис. 1.
Исследование выпрямительного полупроводникового диода
Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров выпрямительных диодов по их вольт-амперным характе-ристикам.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование ВАХ полупроводникового выпрямительного диода.
Лабораторная работа № 2
Исследование полупроводникового стабилитрона
Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров стабилитронов по их вольт-амперным характеристикам.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование обратной ветви ВАХ полупроводникового стабилитрона.
Схема исследования обратной ветви ВАХ стабилитрона с помощью ЕWB приведена на рис. 1.
Лабораторная работа № 3, 4
Исследование характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Изучение принципа функционирования и основных характеристик биполярного транзистора в схемах с общей базой (ОБ) и общим змиттером (ОЭ), а также овладение методикой определения малосигнальных параметров транзистора, как чотырехполюсника.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование характеристик и параметров БТ по схеме с ОЭ.
1.1. Исследование семейств статических ВАХ БТ по схеме ОЭ.
Схема для исследования ВАХ транзистора показана на рис. 1.
Рис. 1. Схема исследования ВАХ БТ по схеме ОЭ
Семейство входных ВАХ IБ = f (UБЭ) снимаем при фиксированных значениях UКЭ путем изменения тока IБ и измерением UБЭ. Результаты измерений занесены в табл. 1, семейство входных ВАХ представлено на рис. 2.
Лабораторная работа № 5
Исследование тиристора
Цель работы: Изучение конструкции, принципа действия тиристора, его основных параметров и характеристик.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование ВАХ тиристора.
Для исследования ВАХ тиристора с помощью ЕWB была собрана схема, показанная на рис. 1 и была снята зависимость тока анода тиристора І = f(U) для трех значений тока управления, начиная с Iупр = 0.
Лабораторная работа № 6
Исследование полевого транзистора с управляющим
р-n-переходом
Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных статических вольт-амперных характеристик и параметров полевых транзисторов.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование семейств стоко-затворных и стоковых характеристик ПТ с управляющим р-n-переходом в схеме с общим истоком.
Лабораторная работа № 7
Исследование транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером
Цель работы: Исследование основных показателей и характеристик усили-теля, а также изучение методики и получение практических навыков по их изме-рению.
Результаты выполнения лабораторной работы
Виртуальная схема исследования усилителя в среде моделирования Еlectronics Workbench ( ЕWB) приведена на рис. 1.
Дополнительная информация
Лабораторные работы, 7 шт., Физические основы электроники, сдано на "Отлично"
2019г.
2019г.
Похожие материалы
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1,2,3
Diawol
: 25 сентября 2019
Описание:
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Работа № 3 Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
40 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №3
sprut89
: 16 сентября 2019
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2 . Подготовка к работе
2.1. Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур.
2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
2.2. Ответить на следующие контрольные вопросы:
2.2.1. О
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №2
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n при исследовании с ОЭ приведены на рисунке 2.2.
С
100 руб.
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
3 . Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.
Для исследован
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №3
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №3
"Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур.
2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Mercuryman
: 8 июля 2017
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
75 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №3
Mercuryman
: 8 июля 2017
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2 . Подготовка к работе
2.1. Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур.
2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
2.2. Ответить на следующие контрольные вопросы:
2.2.1. Объяснить устройство полевых транзисторов с p-n переходом и изолированным з
75 руб.
Другие работы
Шламовый насос НШБ-150-32-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
nakonechnyy.1992@list.ru
: 27 марта 2017
Шламовый насос НШБ-150-32-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
277 руб.
Теплотехника 5 задач Задача 2 Вариант 03
Z24
: 3 января 2026
Определить индикаторную Ni и эффективную Ne мощность четырехтактного двигателя внутреннего сгорания по его конструктивным параметрам и среднему индикаторному давлению рi. Диаметр цилиндра двигателя D, ход поршня S, угловая скорость коленчатого вала Ω, мин-1, число цилиндров Z, среднее индикаторное давление рi и механический КПД ηм выбрать из табл. 2.
Ответить на вопросы:
Каковы основные различия в работе двухтактного и четырехтактного двигателей внутреннего сгорания?
Каковы преимущества и
200 руб.
Термодинамика и теплопередача СамГУПС 2012 Задача 3 Вариант 8
Z24
: 7 ноября 2025
Определить газовую постоянную, среднюю (кажущуюся) молекулярную массу смеси идеальных газов, если ее массовый состав следующий, %: СО2 18; О2 12; N2 70. Определить также удельный объем и плотность смеси при абсолютном давлении р1=0,1 МПа и температуре t1. Найти среднюю массовую теплоемкость смеси при постоянном давлении в интервале температур t1 и t2.
180 руб.
Английский язык. Контрольная работа
servier
: 22 августа 2014
1. Перед вами качества, необходимые для человека, желающего начать свой бизнес. Пронумеруйте их, согласно вашему представлению, от наименее важных к наиболее важным и составьте с каждым из них предложения:
150 руб.