Лабораторная работа.« Физические основы электроники »
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа № 1
Исследование выпрямительного полупроводникового диода
Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров выпрямительных диодов по их вольт-амперным характе-ристикам.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование ВАХ полупроводникового выпрямительного диода.
Лабораторная работа № 2
Исследование полупроводникового стабилитрона
Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров стабилитронов по их вольт-амперным характеристикам.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование обратной ветви ВАХ полупроводникового стабилитрона.
Схема исследования обратной ветви ВАХ стабилитрона с помощью ЕWB приведена на рис. 1.
Лабораторная работа № 3, 4
Исследование характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Изучение принципа функционирования и основных характеристик биполярного транзистора в схемах с общей базой (ОБ) и общим змиттером (ОЭ), а также овладение методикой определения малосигнальных параметров транзистора, как чотырехполюсника.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование характеристик и параметров БТ по схеме с ОЭ.
1.1. Исследование семейств статических ВАХ БТ по схеме ОЭ.
Схема для исследования ВАХ транзистора показана на рис. 1.
Рис. 1. Схема исследования ВАХ БТ по схеме ОЭ
Семейство входных ВАХ IБ = f (UБЭ) снимаем при фиксированных значениях UКЭ путем изменения тока IБ и измерением UБЭ. Результаты измерений занесены в табл. 1, семейство входных ВАХ представлено на рис. 2.
Лабораторная работа № 5
Исследование тиристора
Цель работы: Изучение конструкции, принципа действия тиристора, его основных параметров и характеристик.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование ВАХ тиристора.
Для исследования ВАХ тиристора с помощью ЕWB была собрана схема, показанная на рис. 1 и была снята зависимость тока анода тиристора І = f(U) для трех значений тока управления, начиная с Iупр = 0.
Лабораторная работа № 6
Исследование полевого транзистора с управляющим
р-n-переходом
Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных статических вольт-амперных характеристик и параметров полевых транзисторов.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование семейств стоко-затворных и стоковых характеристик ПТ с управляющим р-n-переходом в схеме с общим истоком.
Лабораторная работа № 7
Исследование транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером
Цель работы: Исследование основных показателей и характеристик усили-теля, а также изучение методики и получение практических навыков по их изме-рению.
Результаты выполнения лабораторной работы
Виртуальная схема исследования усилителя в среде моделирования Еlectronics Workbench ( ЕWB) приведена на рис. 1.
Исследование выпрямительного полупроводникового диода
Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров выпрямительных диодов по их вольт-амперным характе-ристикам.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование ВАХ полупроводникового выпрямительного диода.
Лабораторная работа № 2
Исследование полупроводникового стабилитрона
Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров стабилитронов по их вольт-амперным характеристикам.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование обратной ветви ВАХ полупроводникового стабилитрона.
Схема исследования обратной ветви ВАХ стабилитрона с помощью ЕWB приведена на рис. 1.
Лабораторная работа № 3, 4
Исследование характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Изучение принципа функционирования и основных характеристик биполярного транзистора в схемах с общей базой (ОБ) и общим змиттером (ОЭ), а также овладение методикой определения малосигнальных параметров транзистора, как чотырехполюсника.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование характеристик и параметров БТ по схеме с ОЭ.
1.1. Исследование семейств статических ВАХ БТ по схеме ОЭ.
Схема для исследования ВАХ транзистора показана на рис. 1.
Рис. 1. Схема исследования ВАХ БТ по схеме ОЭ
Семейство входных ВАХ IБ = f (UБЭ) снимаем при фиксированных значениях UКЭ путем изменения тока IБ и измерением UБЭ. Результаты измерений занесены в табл. 1, семейство входных ВАХ представлено на рис. 2.
Лабораторная работа № 5
Исследование тиристора
Цель работы: Изучение конструкции, принципа действия тиристора, его основных параметров и характеристик.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование ВАХ тиристора.
Для исследования ВАХ тиристора с помощью ЕWB была собрана схема, показанная на рис. 1 и была снята зависимость тока анода тиристора І = f(U) для трех значений тока управления, начиная с Iупр = 0.
Лабораторная работа № 6
Исследование полевого транзистора с управляющим
р-n-переходом
Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных статических вольт-амперных характеристик и параметров полевых транзисторов.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование семейств стоко-затворных и стоковых характеристик ПТ с управляющим р-n-переходом в схеме с общим истоком.
Лабораторная работа № 7
Исследование транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером
Цель работы: Исследование основных показателей и характеристик усили-теля, а также изучение методики и получение практических навыков по их изме-рению.
Результаты выполнения лабораторной работы
Виртуальная схема исследования усилителя в среде моделирования Еlectronics Workbench ( ЕWB) приведена на рис. 1.
Дополнительная информация
Лабораторные работы, 7 шт., Физические основы электроники, сдано на "Отлично"
2019г.
2019г.
Похожие материалы
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1,2,3
Diawol
: 25 сентября 2019
Описание:
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Работа № 3 Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
40 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №3
sprut89
: 16 сентября 2019
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2 . Подготовка к работе
2.1. Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур.
2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
2.2. Ответить на следующие контрольные вопросы:
2.2.1. О
100 руб.
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
3 . Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.
Для исследован
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №2
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n при исследовании с ОЭ приведены на рисунке 2.2.
С
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №3
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №3
"Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур.
2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №3
Mercuryman
: 8 июля 2017
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2 . Подготовка к работе
2.1. Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур.
2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
2.2. Ответить на следующие контрольные вопросы:
2.2.1. Объяснить устройство полевых транзисторов с p-n переходом и изолированным з
75 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Mercuryman
: 8 июля 2017
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
75 руб.
Другие работы
Зачет. Основы инфокоммуникационных технологий
alyonka249
: 4 октября 2015
1. Как измеряется количество информации?
2. Как восстановить аналоговый сигнал из цифрового?
3. В чем состоит принцип частотной модуляции?
4. Назовите отличия централизованной сигнализации от децентрализованной.
5. Охарактеризуйте основные принципы построения спутниковых систем связи.
50 руб.
Схема работы каналов измерения СКЦ-Станция контроля и управления процессом цементирования скважин СКЦ-2М-69-Плакат-Картинка-Фотография-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа-Машины и оборудование нефтян
leha.nakonechnyy.92@mail.ru
: 20 декабря 2017
Схема работы каналов измерения СКЦ-Станция контроля и управления процессом цементирования скважин СКЦ-2М-69-Плакат-Картинка-Фотография-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа-Машины и оборудование нефтяных и газовых промыслов-Технологические машины и оборудование-Формат Picture-Jpeg
186 руб.
Теоретическая механика СамГУПС Самара 2020 Задача С2 Рисунок 2 Вариант 9
Z24
: 7 ноября 2025
Определение реакций опор твёрдого тела (пространственная система сил)
Определить значение силы Р и реакции опор твёрдого тела, изображённого на рис. С2.0 – С2.9. Исходные данные для расчёта представлены в таблице С2.
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: "Цифровые системы передачи. Часть 2-я". Вариант №11.
teacher-sib
: 22 ноября 2016
1. На входе канала ЦСП уровень максимальной мощности сигнала ТЧ равен рmax=+20дБ. Уровень средней мощности этого сигнала рср=-15 дБ. Какой должна быть разрядность кодовой группы для обеспечения защищенности от шумов квантования, не менее 70 дБ? (квантование равномерное).
2. Определить частоту дискретизации для сигнала, спектр которого (0,05 ̧4,5) кГц, при использовании ФНЧ на приеме с относительной шириной полосы расфильтровки d=0,670.
3. Рассчитать tп.СС, для ЦСП ИКМ-15, если FСС=8 кГц; mн
100 руб.