Лабораторная работа.« Физические основы электроники »
Состав работы
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа № 1
Исследование выпрямительного полупроводникового диода
Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров выпрямительных диодов по их вольт-амперным характе-ристикам.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование ВАХ полупроводникового выпрямительного диода.
Лабораторная работа № 2
Исследование полупроводникового стабилитрона
Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров стабилитронов по их вольт-амперным характеристикам.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование обратной ветви ВАХ полупроводникового стабилитрона.
Схема исследования обратной ветви ВАХ стабилитрона с помощью ЕWB приведена на рис. 1.
Лабораторная работа № 3, 4
Исследование характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Изучение принципа функционирования и основных характеристик биполярного транзистора в схемах с общей базой (ОБ) и общим змиттером (ОЭ), а также овладение методикой определения малосигнальных параметров транзистора, как чотырехполюсника.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование характеристик и параметров БТ по схеме с ОЭ.
1.1. Исследование семейств статических ВАХ БТ по схеме ОЭ.
Схема для исследования ВАХ транзистора показана на рис. 1.
Рис. 1. Схема исследования ВАХ БТ по схеме ОЭ
Семейство входных ВАХ IБ = f (UБЭ) снимаем при фиксированных значениях UКЭ путем изменения тока IБ и измерением UБЭ. Результаты измерений занесены в табл. 1, семейство входных ВАХ представлено на рис. 2.
Лабораторная работа № 5
Исследование тиристора
Цель работы: Изучение конструкции, принципа действия тиристора, его основных параметров и характеристик.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование ВАХ тиристора.
Для исследования ВАХ тиристора с помощью ЕWB была собрана схема, показанная на рис. 1 и была снята зависимость тока анода тиристора І = f(U) для трех значений тока управления, начиная с Iупр = 0.
Лабораторная работа № 6
Исследование полевого транзистора с управляющим
р-n-переходом
Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных статических вольт-амперных характеристик и параметров полевых транзисторов.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование семейств стоко-затворных и стоковых характеристик ПТ с управляющим р-n-переходом в схеме с общим истоком.
Лабораторная работа № 7
Исследование транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером
Цель работы: Исследование основных показателей и характеристик усили-теля, а также изучение методики и получение практических навыков по их изме-рению.
Результаты выполнения лабораторной работы
Виртуальная схема исследования усилителя в среде моделирования Еlectronics Workbench ( ЕWB) приведена на рис. 1.
Исследование выпрямительного полупроводникового диода
Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров выпрямительных диодов по их вольт-амперным характе-ристикам.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование ВАХ полупроводникового выпрямительного диода.
Лабораторная работа № 2
Исследование полупроводникового стабилитрона
Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров стабилитронов по их вольт-амперным характеристикам.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование обратной ветви ВАХ полупроводникового стабилитрона.
Схема исследования обратной ветви ВАХ стабилитрона с помощью ЕWB приведена на рис. 1.
Лабораторная работа № 3, 4
Исследование характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Изучение принципа функционирования и основных характеристик биполярного транзистора в схемах с общей базой (ОБ) и общим змиттером (ОЭ), а также овладение методикой определения малосигнальных параметров транзистора, как чотырехполюсника.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование характеристик и параметров БТ по схеме с ОЭ.
1.1. Исследование семейств статических ВАХ БТ по схеме ОЭ.
Схема для исследования ВАХ транзистора показана на рис. 1.
Рис. 1. Схема исследования ВАХ БТ по схеме ОЭ
Семейство входных ВАХ IБ = f (UБЭ) снимаем при фиксированных значениях UКЭ путем изменения тока IБ и измерением UБЭ. Результаты измерений занесены в табл. 1, семейство входных ВАХ представлено на рис. 2.
Лабораторная работа № 5
Исследование тиристора
Цель работы: Изучение конструкции, принципа действия тиристора, его основных параметров и характеристик.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование ВАХ тиристора.
Для исследования ВАХ тиристора с помощью ЕWB была собрана схема, показанная на рис. 1 и была снята зависимость тока анода тиристора І = f(U) для трех значений тока управления, начиная с Iупр = 0.
Лабораторная работа № 6
Исследование полевого транзистора с управляющим
р-n-переходом
Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных статических вольт-амперных характеристик и параметров полевых транзисторов.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование семейств стоко-затворных и стоковых характеристик ПТ с управляющим р-n-переходом в схеме с общим истоком.
Лабораторная работа № 7
Исследование транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером
Цель работы: Исследование основных показателей и характеристик усили-теля, а также изучение методики и получение практических навыков по их изме-рению.
Результаты выполнения лабораторной работы
Виртуальная схема исследования усилителя в среде моделирования Еlectronics Workbench ( ЕWB) приведена на рис. 1.
Дополнительная информация
Лабораторные работы, 7 шт., Физические основы электроники, сдано на "Отлично"
2019г.
2019г.
Похожие материалы
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1,2,3
Diawol
: 25 сентября 2019
Описание:
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Работа № 3 Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
40 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №2
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n при исследовании с ОЭ приведены на рисунке 2.2.
С
100 руб.
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
3 . Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.
Для исследован
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №3
sprut89
: 16 сентября 2019
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2 . Подготовка к работе
2.1. Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур.
2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
2.2. Ответить на следующие контрольные вопросы:
2.2.1. О
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №3
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №3
"Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур.
2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №2
Mercuryman
: 8 июля 2017
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 15.12.2016
75 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Mercuryman
: 8 июля 2017
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
75 руб.
Другие работы
Элективные дисциплины по физической культуре и спорту (баскетбол) (часть 4). Зачёт. Вариант №9 (09,19,29...)
growlist
: 1 октября 2019
Задание:
Написать реферат на тему согласно варианту.
Вариант №9: Личная гигиена и закаливание
40 руб.
По двум проекциям конуса с вырезом построить третью проекцию. Упражнение 28 - Вариант 3
.Инженер.
: 6 декабря 2025
Б.Г. Миронов, Р.С. Миронова, Д.А. Пяткина, А.А. Пузиков. Сборник заданий по инженерной графике с примерами выполнения чертежей на компьютере. Упражнение 28 - Вариант 3
По двум проекциям конуса с вырезом построить третью проекцию. Проставить размеры. Линия выреза на горизонтальной проекции не изображена.
В состав работы входит:
Чертеж;
3D модель.
Выполнено в программе Компас + чертежи в PDF.
100 руб.
Стойка. Планка. Скоба. Плита. Вариант 4 ЧЕРТЕЖ
coolns
: 1 августа 2026
Стойка. Планка. Скоба. Плита. Вариант 4 ЧЕРТЕЖ
Задание 64
1. Соединить половину фронтального разреза с половиной вида спереди.
2. Заменить вид слева разрезом А-А.
3. Заменить вид спереди разрезом А-А.
4. Заменить вид спереди разрезом А-А.
Чертежи и 3d модели + pdf (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в КОМПАС 3D.
Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком КОМПАС-3D Viewer.
По другим вариант
300 руб.
Катализаторы и ферменты
Aronitue9
: 10 декабря 2012
Катализатором, или ферментом (в случае биохимической реакции), называется вещество, помогающее протеканию химической реакции, но не изменяющееся в ходе нее.
Скорость протекания химической реакции можно значительно увеличить, если добавить вещество, которое участвует в этой реакции, но при этом само не расходуется. Чтобы лучше это понять, представим себе работу брокера по операциям с недвижимостью. Брокер находит и собирает вместе людей, желающих продать какое-либо имущество, и людей, желающих ег
5 руб.