Лабораторная работа.« Физические основы электроники »
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа № 1
Исследование выпрямительного полупроводникового диода
Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров выпрямительных диодов по их вольт-амперным характе-ристикам.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование ВАХ полупроводникового выпрямительного диода.
Лабораторная работа № 2
Исследование полупроводникового стабилитрона
Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров стабилитронов по их вольт-амперным характеристикам.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование обратной ветви ВАХ полупроводникового стабилитрона.
Схема исследования обратной ветви ВАХ стабилитрона с помощью ЕWB приведена на рис. 1.
Лабораторная работа № 3, 4
Исследование характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Изучение принципа функционирования и основных характеристик биполярного транзистора в схемах с общей базой (ОБ) и общим змиттером (ОЭ), а также овладение методикой определения малосигнальных параметров транзистора, как чотырехполюсника.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование характеристик и параметров БТ по схеме с ОЭ.
1.1. Исследование семейств статических ВАХ БТ по схеме ОЭ.
Схема для исследования ВАХ транзистора показана на рис. 1.
Рис. 1. Схема исследования ВАХ БТ по схеме ОЭ
Семейство входных ВАХ IБ = f (UБЭ) снимаем при фиксированных значениях UКЭ путем изменения тока IБ и измерением UБЭ. Результаты измерений занесены в табл. 1, семейство входных ВАХ представлено на рис. 2.
Лабораторная работа № 5
Исследование тиристора
Цель работы: Изучение конструкции, принципа действия тиристора, его основных параметров и характеристик.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование ВАХ тиристора.
Для исследования ВАХ тиристора с помощью ЕWB была собрана схема, показанная на рис. 1 и была снята зависимость тока анода тиристора І = f(U) для трех значений тока управления, начиная с Iупр = 0.
Лабораторная работа № 6
Исследование полевого транзистора с управляющим
р-n-переходом
Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных статических вольт-амперных характеристик и параметров полевых транзисторов.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование семейств стоко-затворных и стоковых характеристик ПТ с управляющим р-n-переходом в схеме с общим истоком.
Лабораторная работа № 7
Исследование транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером
Цель работы: Исследование основных показателей и характеристик усили-теля, а также изучение методики и получение практических навыков по их изме-рению.
Результаты выполнения лабораторной работы
Виртуальная схема исследования усилителя в среде моделирования Еlectronics Workbench ( ЕWB) приведена на рис. 1.
Исследование выпрямительного полупроводникового диода
Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров выпрямительных диодов по их вольт-амперным характе-ристикам.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование ВАХ полупроводникового выпрямительного диода.
Лабораторная работа № 2
Исследование полупроводникового стабилитрона
Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров стабилитронов по их вольт-амперным характеристикам.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование обратной ветви ВАХ полупроводникового стабилитрона.
Схема исследования обратной ветви ВАХ стабилитрона с помощью ЕWB приведена на рис. 1.
Лабораторная работа № 3, 4
Исследование характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Изучение принципа функционирования и основных характеристик биполярного транзистора в схемах с общей базой (ОБ) и общим змиттером (ОЭ), а также овладение методикой определения малосигнальных параметров транзистора, как чотырехполюсника.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование характеристик и параметров БТ по схеме с ОЭ.
1.1. Исследование семейств статических ВАХ БТ по схеме ОЭ.
Схема для исследования ВАХ транзистора показана на рис. 1.
Рис. 1. Схема исследования ВАХ БТ по схеме ОЭ
Семейство входных ВАХ IБ = f (UБЭ) снимаем при фиксированных значениях UКЭ путем изменения тока IБ и измерением UБЭ. Результаты измерений занесены в табл. 1, семейство входных ВАХ представлено на рис. 2.
Лабораторная работа № 5
Исследование тиристора
Цель работы: Изучение конструкции, принципа действия тиристора, его основных параметров и характеристик.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование ВАХ тиристора.
Для исследования ВАХ тиристора с помощью ЕWB была собрана схема, показанная на рис. 1 и была снята зависимость тока анода тиристора І = f(U) для трех значений тока управления, начиная с Iупр = 0.
Лабораторная работа № 6
Исследование полевого транзистора с управляющим
р-n-переходом
Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных статических вольт-амперных характеристик и параметров полевых транзисторов.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование семейств стоко-затворных и стоковых характеристик ПТ с управляющим р-n-переходом в схеме с общим истоком.
Лабораторная работа № 7
Исследование транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером
Цель работы: Исследование основных показателей и характеристик усили-теля, а также изучение методики и получение практических навыков по их изме-рению.
Результаты выполнения лабораторной работы
Виртуальная схема исследования усилителя в среде моделирования Еlectronics Workbench ( ЕWB) приведена на рис. 1.
Дополнительная информация
Лабораторные работы, 7 шт., Физические основы электроники, сдано на "Отлично"
2019г.
2019г.
Похожие материалы
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1,2,3
Diawol
: 25 сентября 2019
Описание:
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Работа № 3 Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
40 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №3
sprut89
: 16 сентября 2019
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2 . Подготовка к работе
2.1. Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур.
2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
2.2. Ответить на следующие контрольные вопросы:
2.2.1. О
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №2
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рисунке 2.1.
Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n при исследовании с ОЭ приведены на рисунке 2.2.
С
100 руб.
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
3 . Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.
Для исследован
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №3
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №3
"Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур.
2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Mercuryman
: 8 июля 2017
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
75 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №3
Mercuryman
: 8 июля 2017
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2 . Подготовка к работе
2.1. Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур.
2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
2.2. Ответить на следующие контрольные вопросы:
2.2.1. Объяснить устройство полевых транзисторов с p-n переходом и изолированным з
75 руб.
Другие работы
Вопрос бессмертия
Qiwir
: 30 августа 2013
Наши дети будут бессмертными, но, возможно, станут наполовину роботами
- Во-первых, вопрос о том, возможно бессмертие или нет, не имеет смысла. Бессмертие, я не сомневаюсь, - неизбежно, оно в конечном итоге окажется следствием технического прогресса. Проблема в другом: когда? Многие эксперты считают, что люди смогут значительно увеличить продолжительность своей жизни и вплотную приблизиться к достижению личного бессмертия уже в следующем веке.
- Это произойдет благодаря появлению каких-то неож
5 руб.
Управление сетями связи 7 семестр 10 вариант
alexeysh2
: 31 октября 2018
1.1 Что представляет собой единая сеть электросвязи Российской Федерации (ЕСЭ РФ)?
1.2 Чем отличается корпоративная сеть связи от сети связи общего пользования?
1.3 Что представляет собой наложенная сеть связи?
................................
300 руб.
Контрольная работа по дисциплине: «Сети радиодоступа». Вариант №4
nesterenkovlad1995
: 27 января 2019
ЗАДАНИЕ
(вариант – 04)
По заданным параметрам определить чувствительность приёмника. Для найденной чувствительности приёмника определить расстояние, на котором данная аппаратура может работать.
Исходные данные:
Частота f,ГГц
2,0
Высота
передающей антенны h_1,м
20
приемной антенны h_2,м
2,3
Усиление
передающей антенны G_1,дБи
13
приемной антенны G_2,дБи
3,2
Позиционность модуляции M 32
Коэффициент шума приемника n,дБ
2,5
Мощность передатчика P_п,Вт
4
Скорость передачи R_b,Мбит/с
8
Roll off fac
400 руб.
Основные взгляды Роберта Оуэна
DocentMark
: 8 сентября 2013
Работая на предприятиях, Оуэн постоянно реформировал промышленную сферу. Он один из основоположников профсоюзного движения. Следовательно, помимо технической реорганизации и рационализации производства, им был проведён комплекс социальных мероприятий по отношению к простым рабочим. Но я не ставлю своей целью описать все реформы и нововведения Оуэна, я хочу рассказать про его основные взгляды и убеждения.
Реформируя производство и жизненные условия рабочих, постепенно Оуэн приходит к необходимост
10 руб.