Схемотехника часть 2. вариант №8
-
Категории:
Схемотехника, Работа Контрольная
-
Добавлен:
25.04.2020
-
Размер:
330 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
sunman
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
контрольная.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
С 4й задачей
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.
Похожие материалы
Схемотехника часть 2-я. Лабораторные работы №№1,2,3 вариант №8
sunman
: 25 апреля 2020
Лабораторная работа №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Лабораторная работа №2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схема
sunman
: 25 апреля 2020
1000 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
Илья272
: 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Контрольная и Лабораторные работы №1,2,3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №8
IT-STUDHELP
: 6 ноября 2019
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр
IT-STUDHELP
: 6 ноября 2019
300 руб.
Контрольная + Лабораторные работы 1, 2, 3 "Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)". Вариант №8
Daniil2001
: 9 сентября 2024
Работы зачтены. В файле - контрольная и 3 лабораторных по предмету. Вам остаётся только подставить свои ФИО
Daniil2001
: 9 сентября 2024
129 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
Алексей134
: 4 марта 2021
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Алексей134
: 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
SibGUTI2
: 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
SibGUTI2
: 9 мая 2016
100 руб.
Другие работы
Инженерная графика. Задание №45. Вариант №20. Детали №1,2,3,4
Чертежи
: 26 марта 2020
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16.
Боголюбов С.К. Индивидуальные задания по курсу черчения.
Задание 45. Вариант 20. Задачи 1-4.
Тема: Проекционные виды.
Построить третью проекцию модели по двум заданным. Нанести размеры.
В состав работы входят 12 файлов:
– 4 3D модели деталей;
- 4 ассоциативных чертежа в трёх видах, а так же изометрия и диметрия с действительными коэффициентами (по одному для каждой 3D модели);
– 4 обычных чертежа в трёх видах, а так же изометрия с коэффициентом 1 и ди
Чертежи
: 26 марта 2020
150 руб.
Контрольная по дисциплине: Дискретная математика. Вариант 1
xtrail
: 27 июля 2025
Направление: 09.03.01 Информатика и вычислительная техника
Профиль: Программное обеспечение средств вычислительной техники и автоматизированных систем
№1. Доказать равенства, используя свойства операций над множествами и определения операций. Проиллюстрировать при помощи диаграмм Эйлера-Венна. а) (A\B) o (A\C) = A \ (BuC)
б) (AoB)xC=(AxC)o(BxC)
№2. Даны два конечных множества: А={a,b,c}, B={1,2,3,4}; бинарные отношения P1 c AxB, P2 c B2. Изобразить P1, P2 графически. Найти P = (P2*P1)–1. Вып
xtrail
: 27 июля 2025
1000 руб.
Трудовая пенсия по инвалидности. 2015.
studypro
: 27 июля 2015
Содержание
Введение…………..………………………………………….….….…..…......…3
Глава 1. Общая характеристика пенсий по инвалидности……………………5
1.1 Понятие и особенности пенсионного обеспечения……………………......5
1.2. Понятие трудовой пенсии по инвалидности…………………..………….8
Глава 2. Условия назначения и состав трудовой пенсии по инвалидности…16
2.1. Условия назначения трудовой пенсии по инвалидности……...........……16
2.2. Размеры и состав трудовой пенсии по инвалидности……………..….….20
Заключение………………….…………….…................
studypro
: 27 июля 2015
70 руб.
Порядок заключения кредитного договора
alfFRED
: 4 ноября 2012
Кредитные отношения, участники которых связаны долгосрочными связями, заранее планируют и финансируют объемы и сроки предоставления заемных средств, основываются на кредитном договоре.
Специфика кредитного договора отражена в ст. ст. 819—821 ГК РФ.
По кредитному договору банк (кредитор) обязуется предоставить денежные средства (кредит) заемщику в размере и на условиях, предусмотренных договором, а заемщик обязуется возвратить полученную денежную сумму и уплатить проценты на нее (ст. 819 ГК РФ «К
alfFRED
: 4 ноября 2012
10 руб.
