Схемотехника часть 2. вариант №8
-
Категории:
Схемотехника, Работа Контрольная
-
Добавлен:
25.04.2020
-
Размер:
330 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
sunman
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
контрольная.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
С 4й задачей
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.
Похожие материалы
Схемотехника часть 2-я. Лабораторные работы №№1,2,3 вариант №8
sunman
: 25 апреля 2020
Лабораторная работа №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Лабораторная работа №2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схема
sunman
: 25 апреля 2020
1000 руб.
Контрольная и Лабораторные работы №1,2,3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №8
IT-STUDHELP
: 6 ноября 2019
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр
IT-STUDHELP
: 6 ноября 2019
300 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
Илья272
: 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Контрольная + Лабораторные работы 1, 2, 3 "Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)". Вариант №8
Daniil2001
: 9 сентября 2024
Работы зачтены. В файле - контрольная и 3 лабораторных по предмету. Вам остаётся только подставить свои ФИО
Daniil2001
: 9 сентября 2024
130 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
Алексей134
: 4 марта 2021
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Алексей134
: 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
SibGUTI2
: 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
SibGUTI2
: 9 мая 2016
100 руб.
Другие работы
Декларации и цели восточной политики Анкары
Elfa254
: 20 марта 2013
Распад Советского Союза привел к изменению геополитического положения Турции, которой до этого западные союзники традиционно отводили в основном роль регионального форпоста против гипотетической “советской угрозы”. Вероятность этой угрозы значительно снизилась, и на историческую арену вышел целый ряд на тот момент политически не определившихся постсоветских государств.
Если западные страны первостепенное внимание уделили в то время новым республикам, расположенным в Европе, то Турция, почувствов
Elfa254
: 20 марта 2013
10 руб.
Операционные системы. Курсовая работа. Вариант №14 ( Задания 2.5.6.7)
zexor
: 16 апреля 2013
Необходимо написать программу, реализующую параллельную работу нескольких процессов. Каждый процесс может состоять из одного или нескольких потоков. Любой из потоков, работающих в составе этих процессов, может быть приостановлен и вновь запущен некоторой определенной клавишей (можно использовать буквенные или цифровые клавиши). Нажатия клавиш обрабатывать с помощью прерывания от клавиатуры (по материалам лаб. работы №1).
Задания:
2. Музыкальное сопровождение – как минимум несколько нот различно
zexor
: 16 апреля 2013
100 руб.
Развитие социологии города в России
Elfa254
: 10 февраля 2014
В середине XX века социологическая наука как отрасль обществоведения вступила в новый этап своего развития. Если до 60-ых годов она развивалась преимущественно в теоретико-методологическом плане, то в последнее время в ней воспреобладал эмпирический уклон. Однако, при всей своей привлекательности эмпирическая направленность большинства социологических исследований не привела к значительным успехам в социальной практике и в управлении общественными процессами. Эмпиризм, упрощенность в толковании
Elfa254
: 10 февраля 2014
5 руб.
Геополитика предмет, структура, категории, функции
alfFRED
: 12 января 2014
Содержание:
1. Введение
2. Понятие геополитики
3. Предмет геополитики
4. Законы геополитики
5. Методы геополитики
6. Структура геополитики
6. Функции геополитики
7.Основные категории современной геополитики
8. Современный геополитический процесс
7. Заключение
8. Список литературы.
Введение
Говорить о геополитике можно как о предмете законченном и определенном. Однако точного и единого определения геополитики не существует. Во многих трудах основоположников, институтов, изучающих предмет, и конф
alfFRED
: 12 января 2014
10 руб.
