Схемотехника часть 2. вариант №8

Цена:
800 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 228B14D8-5219-43BF-8A29-67F5553B12A3.rar [330 KB]
material.view.file_icon контрольная.docx [355 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

С 4й задачей
Задача 1.

По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.

Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.

Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.

Задача 2.

Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.

Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.

Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.

Задача 3.

В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Задача 4.

В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.

Похожие материалы

Схемотехника часть 2-я. Лабораторные работы №№1,2,3 вариант №8
Лабораторная работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Лабораторная работа №2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора 1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схема
Схемотехника Работа Лабораторная
User sunman : 25 апреля 2020
1000 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
******* Не известно Электротехника, электроника и схемотехника Работа Контрольная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Контрольная и Лабораторные работы №1,2,3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №8
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр
СибГУТИ Программирование Работа Контрольная
User IT-STUDHELP : 6 ноября 2019
300 руб.
promo
Контрольная + Лабораторные работы 1, 2, 3 "Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)". Вариант №8
Работы зачтены. В файле - контрольная и 3 лабораторных по предмету. Вам остаётся только подставить свои ФИО
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Работа Контрольная
User Daniil2001 : 9 сентября 2024
100 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User Алексей134 : 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.

Другие работы

Формирование и проверка гипотез
В логике методы рассуждений делятся на два класса: дедуктивные выводы и правдоподобные рассуждения (или недедуктивные выводы). Для выполнения дедуктивных выводов необходимы некоторые правила логического вывода; эти правила определены математической формальной системой, с помощью которой моделируются рассуждения и во многом соответствуют правилам логического вывода, которые используются в строгих математических доказательствах. Из предыдущих разделов мы уже знаем, что для систем логического анали
Разное Работа
User DocentMark : 12 ноября 2012
Гидравлика БГИТУ Задача 1.2 Вариант 40
На поршень одного из сообщающихся сосудов, наполненных водой, действует сила Р1. Какую силу Р2 нужно приложить ко второму поршню, чтобы уровень воды под ним был на h выше уровня воды под первым поршнем? Диаметр первого поршня d1, второго d2 (рисунок 2).
Задачи Гидравлика
User Z24 : 8 декабря 2025
150 руб.
Гидравлика БГИТУ Задача 1.2 Вариант 40
Гидромеханика РГУ нефти и газа им. Губкина Гидродинамика Задача 29 Вариант 6
Решите задачу 28 при условии, что к отверстию присоединен внешний цилиндрический насадок. Задача 28 Жидкость плотностью ρ перетекает из цилиндра через отверстие в дне диаметром d в резервуар. В цилиндре находится поршень диаметром D, на поршень действует сила R. Расстояния от поверхности жидкости до дна цилиндра равно H. Дно цилиндра расположено на глубине h под уровнем жидкости в резервуаре. Определить неизвестную величину.
Задачи Гидравлика
User Z24 : 8 декабря 2025
150 руб.
Гидромеханика РГУ нефти и газа им. Губкина Гидродинамика Задача 29 Вариант 6
Шток БНТУ.ИГ0000.028 ЧЕРТЕЖ
Шток БНТУ.ИГ0000.028 ЧЕРТЕЖ Шток Вариант 28 ЧЕРТЕЖ № элемента 1,13 - Резьба метрическая с крупным шагом (ГОСТ 8724–2002): № 1 – наружная; № 13 – внутренняя 2,3,4,5 - Фаска: размеры должны соответсвовать ГОСТ 10948–64 (№ 2, 5 размер 1х45°; № 3, 4 – 1,6х45°) 6,7 - Канавка для выхода шлифовального круга при круглом шлифовании по цилиндру, ГОСТ 8820–69 8 - Проточка (ГОСТ 10549–80) для наружной метрической резьбы с крупным шагом (ГОСТ 8724–2002) 9 - Канавка для кольца пружинного упорного
Чертежи Инженерная и компьютерная графика
User coolns : 8 мая 2026
200 руб.
Шток БНТУ.ИГ0000.028 ЧЕРТЕЖ
up Наверх