Физические основы электроники
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Работа Зачетная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
21.06.2020
-
Размер:
53 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
erboollat
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Зачёт по ФОЭ.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
Дополнительная информация
2018 год оценка зачет
Похожие материалы
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
erboollat
: 21 июня 2020
120 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
2. Отчет о работе
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Контрольная работа
По дисциплине: Физические основы электроники
Выполнил: Титова Ю.В.
Группа: Т-61в
Вариант: №01
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
300 руб.
« Физические основы электроники »
Фрося
: 25 февраля 2020
Комплексное задание по дисциплине « Физические основы
электроники »
.
1. Содержание задач комплексного задания
Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора ________ тип транзистора ___________
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =____В;
активное сопротивление нагрузки RН = ______ Ом;
постоянн
Фрося
: 25 февраля 2020
900 руб.
Физические основы электроники
Фрося
: 25 февраля 2020
Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора КТ819 тип транзистора Биполярный
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =9 В;
активное сопротивление нагрузки RН = 1,2 Ом;
постоянная составляющая тока базы IБ0 =120мА;
амплитудное значение переменной
составляющей тока ( амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 100
Фрося
: 25 февраля 2020
1000 руб.
Физические основы электроники
kombatowoz
: 7 декабря 2019
2 вариант 1,2,3 лабораторные работы
1,2,3 лабораторные работы,2019 год
1 Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2 ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА.
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
3
kombatowoz
: 7 декабря 2019
200 руб.
Физические основы электроники.
opa154
: 22 октября 2019
Лаб раб №3
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Порядок проведения лабораторной работы.
1. Схема для снятия статической передаточной вольтамперной характеристики полевого транзистора приведена на рис.3.1.
Устанавливаем постоянное напряжение UСИ=10В. Плавно изменяя напряжение на затворе от UЗИ=0В до UЗИ=-0,6В, получаем на осциллографе график IC=f(UЗИ).
UЗИ,В -0,010 -0,045 -0,101 -0,162 -0,223 -0,299 -0,360 -0,411 -0,441 -0,457 -0,604
IС,мА 0,64 0,54 0,
opa154
: 22 октября 2019
120 руб.
Другие работы
Лабораторные работы 1,2 по дисциплине Программное обеспечение информационных технологий
Иннокентий
: 30 сентября 2019
Описание:
Методические указания по выполнению лабораторных работ
Цель работы:
Выполнение двух лабораторных работ позволит :
1) получить навыки моделирования работы электронных устройств на компьютерах;
2) получить навыки снятия временных и частотных характеристик, а также их анализа.
Для выполнения лабораторных работ необходимо скачать c официального сайта Micro-Cap: http://www.spectrum-soft.com и установить на компьютере студенческую версию программы схемотехнического моделирования MIСRO-CAP. П
Иннокентий
: 30 сентября 2019
500 руб.
Повышение качества обслуживания на предприятии индустрии гостеприимства на примере гостинично-ресторанного комплекса ГИС
Aronitue9
: 2 января 2012
Оглавление
Введение 5
1. Теоретические вопросы качества обслуживания в гостиницах 8
1.1. История развития гостиничного хозяйства как важнейшего элемента индустрии гостеприимства 8
1.2. Характеристика гостиничного предприятия и его функции 15
1.3. Качество обслуживания в гостиницах 28
2. Анализ деятельности ОАО ГРК «ГИС» 36
2.1. Характеристика ГРК «ГИС» 36
2.2. Анализ внешней среды организации 41
2.3. Анализ внутренней среды организации 46
2.4. Экономический и финансовый анализ деятельности гост
Aronitue9
: 2 января 2012
350 руб.
Сравнительный анализ и оценка эксплутационных характеристик различных терминальных устройств информации в вычислительных системах
alfFRED
: 14 ноября 2012
ВВЕДЕНИЕ
1. Описание архитектуры и терминального доступа
1.1 Архитектура терминальных устройств
1.2 Тонкий клиент и толстый клиент
1.3 Бездисковая рабочая станция
2. Организация терминального доступа средствами Windows 2003 Server
2.1 Технология терминального доступа
2.2 Лицензирование терминальных служб
2.3 Сценарии развёртывания терминальных служб
3. Технические характеристики устройств, использующихся в качестве терминалов
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ГЛОССАРИЙ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
Введение
С развитием локальных
alfFRED
: 14 ноября 2012
10 руб.
Расчеты по теплообмену УрФУ Задача 5 Вариант 25
Z24
: 3 января 2026
Определить коэффициент конвективного теплообмена и плотность теплового потока при движении воздуха со скоростью Wв при нормальных условиях и температуре tв по каналу, имеющему размеры поперечного сечения L к L и температуру tст.
Z24
: 3 января 2026
150 руб.
