Физические основы электроники

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Лаб.раб№1.doc
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

Отчет по работе:

СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б

Дополнительная информация

оценка зачет 2018 год.
Физические основы электроники
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность 2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
User erboollat : 21 июня 2020
130 руб.
Физические основы электроники
Задача 1 По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
User erboollat : 21 июня 2020
120 руб.
Физические основы электроники
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 1. Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером. 2. Отчет о работе ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ. На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
User erboollat : 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
Контрольная работа По дисциплине: Физические основы электроники Выполнил: Титова Ю.В. Группа: Т-61в Вариант: №01 Проверил: Савиных Валерий Леонидович Задача 1 По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
User Yuliyatitova : 1 апреля 2020
300 руб.
« Физические основы электроники »
Комплексное задание по дисциплине « Физические основы электроники » . 1. Содержание задач комплексного задания Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) : а) записать исходные данные: марка транзистора ________ тип транзистора ___________ напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =____В; активное сопротивление нагрузки RН = ______ Ом; постоянн
User Фрося : 25 февраля 2020
900 руб.
Физические основы электроники
Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) : а) записать исходные данные: марка транзистора КТ819 тип транзистора Биполярный напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =9 В; активное сопротивление нагрузки RН = 1,2 Ом; постоянная составляющая тока базы IБ0 =120мА; амплитудное значение переменной составляющей тока ( амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 100
User Фрося : 25 февраля 2020
1000 руб.
Физические основы электроники
2 вариант 1,2,3 лабораторные работы 1,2,3 лабораторные работы,2019 год 1 Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2 ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 3
User kombatowoz : 7 декабря 2019
200 руб.
Физические основы электроники.
Лаб раб №3 Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). Порядок проведения лабораторной работы. 1. Схема для снятия статической передаточной вольтамперной характеристики полевого транзистора приведена на рис.3.1. Устанавливаем постоянное напряжение UСИ=10В. Плавно изменяя напряжение на затворе от UЗИ=0В до UЗИ=-0,6В, получаем на осциллографе график IC=f(UЗИ). UЗИ,В -0,010 -0,045 -0,101 -0,162 -0,223 -0,299 -0,360 -0,411 -0,441 -0,457 -0,604 IС,мА 0,64 0,54 0,
User opa154 : 22 октября 2019
120 руб.
Моделирование и организация производственных процессов в лесном комплексе
Целью данной работы является формирование комплекта машин, составление и описание его графической модели и определение основных расчетных параметров комплектов лесосечных машин, составление графических моделей и углублению знаний математических моделей режимов работы машин, математическому моделированию экологически безопасных режимов работы лесосечных машин, составлению и описанию блок-схемы алгоритма, моделирующего работу лесосечных машин.МПТ-30-4 - погрузочно-транспортная лесная машина. Она п
User lilu1992 : 13 мая 2013
Теоретическая механика СамГУПС Самара 2020 Задача С1 Рисунок 3 Вариант 0
Равновесие произвольной плоской системы сил (Определение реакций опор твёрдого тела) Найти реакции опор конструкции, схема которой изображена на рис. С1.0–С1.9. Необходимые исходные данные представлены в таблице С1.
User Z24 : 7 ноября 2025
150 руб.
Теоретическая механика СамГУПС Самара 2020 Задача С1 Рисунок 3 Вариант 0
Контрольная работа по дисциплине: «Теория вероятностей и математическая статистика». Вариант №02
1. Вероятность выхода из строя каждого из 4-х блоков равна 0,8. Найти вероятность разрыва цепи. 2. Изделие, изготовленное на первом станке, является бракованным с вероятностью 0,01, для второго станка эта вероятность равна 0,02, для третьего – 0,025. Четверть всех изделий изготовлены первым станком, половина – вторым, остальные – третьим. Случайно взятое изделие оказалось бракованным. Какова вероятность, что оно изготовлено вторым станком? 3. Известно, что в среднем одна опечатка приходится на
User KiberPank : 18 февраля 2020
10 руб.
Контрольная работа по дисциплине: «Теория вероятностей и математическая статистика». Вариант №02 promo
Очертания технических форм. Вариант №6
Инженерная графика Ф.Н. Притыкин , Л.М. Леонова Тема 2. Очертания технических форм Вариант 6 Цель работы: Выполнение построений сопряжений в очертаниях технических форм Чертеж выполнен на формате А3 в компасе 3D V13.
User vermux1 : 19 января 2018
35 руб.
Очертания технических форм. Вариант №6
up Наверх