Физические основы электроники. Вариант №12. Лабораторные работы №1-3
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Работа1. «Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа 2. «Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Работа 3. «Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов»
1 . Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа 2. «Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Работа 3. «Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов»
1 . Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Дополнительная информация
Год сдачи 2020.
Зачтено
Зачтено
Похожие материалы
Лабораторная работа №1. По дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №12
Колька
: 1 марта 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИСТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ.
1. Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Обратное включение.
Рис. 3. Схема обратного включения
Таблица 2
Uобр, В
Iобр, мкА
Для определения дифференциального сопротивления диода при обратном включении на рисунке
3. Исследование стабилитрона Д814А
На Рис. * приведена схема
50 руб.
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
3 . Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.
Для исследован
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Mercuryman
: 8 июля 2017
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
75 руб.
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
alru
: 26 января 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
merzavec
: 8 декабря 2014
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
50 руб.
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники
donkirik
: 19 июня 2014
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
parovozz
: 23 декабря 2013
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
50 руб.
Другие работы
Європейська модель соціальної психології
Qiwir
: 15 октября 2013
Якою мірою західним європейцям удалося знайти специфіку соціальної психології як самостійної науки, що нового вони внесли в розуміння її предмета?
Відкидаючи американську парадигму й разом з нею принцип методологічного індивідуалізму, західноєвропейська соціальна психологія виявилася перед вибором між методологічним холізмом і системним аналізом.
Системний підхід завойовує все більше число прихильників у західноєвропейській соціальній психології. Це пояснюється його популярністю в науці в ціло
Схемотехника телекоммуникационных устройств, Контрольная работа, Вариант №1
Александр495
: 15 мая 2016
Необходимо выбрать тип усилительных элементов и режим работы, рассчитать принципиальную схему. Принципиальная схема группового усилителя приведена на рис.1.
Исходные данные приведены в таблице 1.
Таблица 1. Показатели усилителя
Количество каналов, ТЧ 198
Максимальная температура грунта 36
Уровень передачи УП, дБ 13,9
Требуемое затухание нелинейности АГ02, дБ 74
АГ03, дБ 77
Питание усилителя, В 19
Допустимый коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте, Мн, дБ 0,8
Волновое сопрот
100 руб.
Работа по дисциплине "Философия" на тему "Философия глобальных проблем"
ddobr
: 8 февраля 2026
Энергетическая и сырьевая;
Экологическая;
Продовольственная;
Преодоление отсталости развитых стран:
Проблема мира и разоружения;
Демографическая;
Проблема освоения мирового океана;
Проблема мирного освоения космоса;
Космические угрозы;
Объединения для решения глобальных проблем человечества.
Задание:
Рассмотрите приведенные глобальные проблемы человечества. Проанализируйте обширность и значение угроз для человечества, сопоставьте с комитетами по предотвращению данных угроз, предложите
300 руб.
Структура интеллектуального капитала России
Qiwir
: 27 августа 2013
Структура интеллектуального капитала России.
Многие в России понимают: сидеть на «нефтегазовой игле» – бесперспективно. Прорыв в постиндустриальное общество возможен только на базе интеллектуального капитала.
Три главных вопроса относительно интеллектуального капитала России ждут ответа: Какова его реальная структура? Как его измерить и какова его величина в современной России? Как повысить его коэффициент полезного действия, что надо сделать в управлении им?
Ответить на эти вопросы можно только
10 руб.