Физические основы электроники. Вариант №12. Лабораторные работы №1-3
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Работа1. «Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа 2. «Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Работа 3. «Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов»
1 . Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа 2. «Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Работа 3. «Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов»
1 . Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Дополнительная информация
Год сдачи 2020.
Зачтено
Зачтено
Похожие материалы
Лабораторная работа №1. По дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №12
Колька
: 1 марта 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИСТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ.
1. Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Обратное включение.
Рис. 3. Схема обратного включения
Таблица 2
Uобр, В
Iобр, мкА
Для определения дифференциального сопротивления диода при обратном включении на рисунке
3. Исследование стабилитрона Д814А
На Рис. * приведена схема
50 руб.
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
3 . Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.
Для исследован
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Mercuryman
: 8 июля 2017
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
75 руб.
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
alru
: 26 января 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
merzavec
: 8 декабря 2014
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
50 руб.
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники
donkirik
: 19 июня 2014
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
parovozz
: 23 декабря 2013
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
50 руб.
Другие работы
Коренные народности севера: история, культура, быт
Slolka
: 3 сентября 2013
Хозяйство саами, как и других народов тундровой зоны, было основано на оленеводстве в сочетании с рыболовством главным образом (озерным и морским) и охотой1. Летом они отпускали оленей на свободу и собирали их с пастбищ осенью, но затем стали постоянно сопровождать стада.
Жилище саами раньше представляло собой бревенчатую однокамерную “коробку” с плоской крыше и одним окном; временное летнее жилище - шалаш из колье и досок в виде усеченной пирамиды.
Традиционная летняя одежда саами состояла из
10 руб.
Беременность и роды
evelin
: 1 января 2013
Беременность и роды, важнейший период в жизни женщины, связанный с деторождением. При нормальном для человека менструальном цикле продолжительностью 28 дней овуляция, или выход яйцеклетки, происходит обычно в интервале между 12-м и 14-м днями цикла. Яйцеклетка должна быть оплодотворена в маточной (фаллопиевой) трубе не позднее чем через 24 ч после этого, иначе она погибает и рассасывается . Средняя продолжительность беременности составляет 266 дней с момента овуляции, или 280 дней с первого дня
Страхование ответственности
Aronitue9
: 5 ноября 2012
СОДЕРЖАНИЕ:
Введение........................................................................................................... 3
1. Понятие страхования ответственности....................................................... 6
2. Страхование ответственности товаропроизводителей и поставщиков услуг………………………………………………………………………………..7
Заключение.................................................................................................... 15
Список использованной литературы:......................
5 руб.
Задачи по атомной физике
anderwerty
: 24 января 2016
2-а. Используя экспериментальные значения спина и чётности jP ядра В в основном состоянии, в рамках ОМО с феноменологическим спариванием изобразите схему заполнения нуклонных уровней.
А) Совпадает ли последовательность заполнения с предсказаниями ОМО, использующей потенциал сферического гармонического осциллятора?
Б) Каковы окажутся спин и чётность нового ядра после «превращения» одного из протонов ядра В в нейтрон?
В) …после «превращения» одного из нейтронов ядра В в протон?
2-б. Используя эк
60 руб.