Лабораторная работа №2 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств (ДВ 1.1) Вариант №5

Лабораторная работа №2
«Исследование резисторного каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе»

1. Цель работы
Исследовать влияние элементов схемы каскада широкополосного усиления на полевом транзисторе с общим истоком на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).

2. Расчет некорректированного каскада с общим истоком оконечного каскада

3. Расчет искажений, вносимых входной цепью

4. Расчет каскада с высокочастотной индуктивной коррекцией

5. Расчет каскада с истоковой коррекцией

6. Расчет
Таблица 1 – Исходные данные для расчета
Вариант: 5
СЗИ, пФ: 25
СЗС, пФ: 5
ССИ, пФ: 17
RВЫХ, Ом: 175
S, мА/В: 225
RН, Ом: 75
YB: 0,83
K0: 6,5
RГ, Ом: 55
RЗ, МОм: 1,5

Задача 1
Рассчитать fB, RC, CВХ каскада, приведенного на рисунке 3.1, при использовании транзистора с характеристиками из таблицы 4.1. Параметры выбирать по последней цифре варианта: СЗИ; СЗС; ССИ; RВЫХ; S и условий: RН; YB; K0.

Задача 2
Рассчитать K0 и fB входной цепи, приведенной на рисунке 3.2, с характеристиками из таблицы 4.1: RГ; RЗ; YB. CВХ – из предыдущего расчета.

Задача 3
Рассчитать fB, LC, RC, CВХ каскада, приведенного на рисунке 3.3, при использовании транзистора с данными из таблицы 4.1 и условий: YB; K0. Каскад работает в качестве предоконечного; входная емкость нагружающего каскада берется из предыдущих расчетов.

Задача 4
Рассчитать fB, R1, С1, СВХ каскада, приведенного на рисунке 3.4, при использовании транзистора с данными из таблицы 4.1 и условий: YB; K0. Каскад работает в качестве предоконечного; входная емкость нагрузочного каскада берется из предыдущих расчетов.

7. Контрольные вопросы
1) Изобразить принципиальную схему резисторного каскада на полевом транзисторе и пояснить назначение элементов схемы. Показать пути прохождения постоянных и переменных составляющих токов.
2) Пояснить работу полевого транзистора в схеме усилительного каскада. Как производится стабилизация режима работы?
3) Изобразить статические характеристики iс = f(Uзи) полевого транзистора, указать, каким образом определяется крутизна.
4) Изобразить эквивалентные схемы выходной цепи каскада для областей нижних, верхних частот. Пояснить причины, вызывающие частотные искажения на низких и высоких частотах.
5) Пояснить причины, вызывающие переходные искажения в области больших и малых времен. Объяснить форму выходных импульсов для схемы без коррекции.
6) Объяснить влияние корректирующих элементов на АЧХ в области низких частот.
7) Объяснить влияние корректирующих элементов на переходную характеристику в области больших времен.
8) Объяснить влияние корректирующей индуктивности L1 на АЧХ (ПХ) в области верхних частот (малых времен).
9) Объяснить, как влияет изменение номиналов элементов схемы на АЧХ и ПХ (Rc, Cр вых,, Сн).
10) Что такое площадь усиления? Как она определяется по амплитудно-частотной характеристике?
11) Пояснить назначение и виды коррекции в каскадах широкополосного и импульсного усиления.

Лабораторная работа 2 14.01.2021 18.01.2021 Зачет Уважаемый ..., Бородихин Михаил Григорьевич