Лабораторная работа №1 по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)».

39C9AE29-4456-4CC6-B3E2-588AE9DB3495.zip [822 KB]

Лабораторная работа №1.doc [1 MB]

Необходимые программы

Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:

Microsoft Word

Что делать, если файл не открывается

Описание

Тема работы: «Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»

Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

В отчете приведены краткие теоретические сведения, используемые в работе, сопровождаемые поясняющими рисунками и схемами. (смотри мини скриншоты), приведены требуемые вольт-амперные характеристики, сделаны выводы.

Объем отчета составляет 22 страницы формата А4.

Дополнительная информация

Год сдачи: 2019
Преподаватель: Борисов А.В.
Работа зачтена без замечаний.
Рекомендую использовать представленные материалы в качестве методической помощи для выполнения своих работ.

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).

1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б

Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные

Илья272 : 11 июня 2021

500 руб.

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).

Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12

******* Не известно Электротехника, электроника и схемотехника Работа Контрольная

Илья272 : 21 мая 2021

350 руб.

Лабораторная работа №1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)

Лабораторная работа 1 Тема работы Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов ============================== Лабораторная работа 2 Тема работы Исследование статических характеристик биполярного транзистора ============================== Лабораторная работа 3 Тема работы Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов

Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная

Леший : 18 января 2021

50 руб.

Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен

1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,

Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные

Алексей134 : 4 марта 2021

100 руб.

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн

ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника

SibGUTI2 : 9 мая 2016

100 руб.

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.

Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная

SibGUTI2 : 9 мая 2016

100 руб.

Лабораторная работа №1 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Общий вариант. 2021 год

Лабораторная работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обрат

Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная

SibGUTI2 : 24 октября 2021

250 руб.

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №11

1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики тра

Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные

IT-STUDHELP : 1 декабря 2021

200 руб.

ПКЗ по дисциплине «История»

Место человека в историческом процессе, политической организации общества. 2 30 баллов Древнерусское государство в системе международных отношений Европы и Азии. 3 45 баллов Суть дискуссии о влиянии Золотой Орды на развитие Средневековой Руси.

******* Не известно История Работа Контрольная

aikys : 12 января 2020

50 руб.

Задача 6 вариант 9 МГРИ План змельного участка, земляное сооружение.

Задача 6. 1. Начертить в масштабе 1:200 план земельного участка, рельеф которого задан горизонталями топографической поверхности. 2. Построить линии пересечения откосов выемок и насыпей земляного сооружения друг с другом и с топографической поверхностью. Указания по выполнению задания. 1. Нанести на план участка в масштабе 1:200 земляное сооружение так, чтобы центр сооружения «О» совпал с центром участка «0» и ось сооружения была наклонена к меридиану под заданным углом. 2. Для построения границ

МГРИ Чертежи Инженерная и компьютерная графика

Laguz : 13 июля 2025

350 руб.

НГТУ. Соединение деталей. Вариант 20 - Опора

НГТУ. Чертежи сборочных единиц соединенных склеиванием и пайкой. Вариант 20 - Опора На основании исходных данных необходимо: - выбрать метод соединения деталей (склеиванием или пайкой); - подобрать материал клеящего вещества (марку клея) или припоя (марку припоя) по соответствующим нормативным документам (ГОСТам, ТУ, инструкциям) - выполнить чертеж сборочной единицы; - составить спецификацию сборочной единицы. В состав работы входит: -3D модели деталей; -3D сборка; -Сборочный чертеж

Чертежи Инженерная и компьютерная графика

.Инженер. : 24 апреля 2026

300 руб.