Лабораторная работа №1 по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)».

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Лабораторная работа №1.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Тема работы: «Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»

Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

В отчете приведены краткие теоретические сведения, используемые в работе, сопровождаемые поясняющими рисунками и схемами. (смотри мини скриншоты), приведены требуемые вольт-амперные характеристики, сделаны выводы.

Объем отчета составляет 22 страницы формата А4.

Дополнительная информация

Год сдачи: 2019
Преподаватель: Борисов А.В.
Работа зачтена без замечаний.
Рекомендую использовать представленные материалы в качестве методической помощи для выполнения своих работ.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Лабораторная работа №1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)
Лабораторная работа 1 Тема работы Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов ============================== Лабораторная работа 2 Тема работы Исследование статических характеристик биполярного транзистора ============================== Лабораторная работа 3 Тема работы Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
User Леший : 18 января 2021
150 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
User Алексей134 : 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Общий вариант. 2021 год
Лабораторная работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обрат
User SibGUTI2 : 24 октября 2021
250 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Общий вариант. 2021 год
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №11
1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики тра
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
200 руб.
promo
Основы оптической связи. Контрольная работа. Вариант 01. 2 курс 4 семестр
Вариант 01. 1. Основы физической и квантовой оптики Вопросы: 1. Почему применяют диапазона волн 0,4 - 1,8мкм в технике оптической связи? 2. Объяснить связь энергии фотона и длины волны излучения. 3. Объяснить законы, являющиеся основой геометрической оптики. 4. В чём физический смысл показателя преломления? 5. Почему поляризуются электромагнитные волны? 6. Что является результатом интерференции волн? 7. Перечислить оптические приборы техники связи, которые строятся на основе интерфе
User Leka25 : 26 марта 2026
300 руб.
Основы оптической связи. Контрольная работа. Вариант 01. 2 курс 4 семестр
Электроника. Курсовая работа. Вариант 14
№ вар. 14 Uпит, В - +9 Ku - 4 RBx, MOm - 0,82 Rh, kOm - 0,2 Uhom, B - 1 fh, ГЦ - 20 fb, кГц - 15 Mh, дБ - 1 Мв, дБ - 1 Тип входа - Н Тип выхода - Н
User ElenaA : 21 октября 2016
200 руб.
Национальная безопасность как системный объект геополитических исследований
1. Оглавление.....................................................................................1 2. Введение.........................................................................................2 3. Сущность и особенность национнальной безопасности............3 4. Влияние механизма гомеостазиса на систему национальной безопасности.................................................................................10 5. Сущность и особенность подсистем национальной безопасности................
User GnobYTEL : 25 мая 2012
20 руб.
Органы государственной власти СССР
Функции. Является высшим органом государственной власти СССР. Съезд народных депутатов СССР правомочен принять к своему рассмотрению и решить любой вопрос, отнесенный к ведению Союза ССР. К исключительному ведению Съезда народных депутатов СССР относится: 1) принятие Конституции СССР, внесение в нее изменений; 2) принятие решений по вопросам национально-государственного устройства, отнесенным к ведению Союза ССР; 3) определение государственной границы СССР; утверждение изменений
User alfFRED : 21 марта 2013
5 руб.
up Наверх