Лабораторные работы №№1-3 по дисциплине:Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №29

Лабораторная работа No1
Тема: Исследование полупроводниковых устройств

Цель работы:
1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция No2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.

Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы:
- физические процессы, определяющие одностороннюю проводимость электронно-дырочного перехода;
- энергетическую диаграмму р-n перехода;
- типы пробоя электронно-дырочного перехода и его вольтамперная характеристика (ВАХ);
- основные параметры, характеризующие выпрямительные диоды и стабилитроны.
3. Оформление заготовки для отчета (см. раздел 6).
4. Выполнение указаний разделов 4 и 5.



Таблица 1.1 – Характеристики диода
Параметр Единицы измерения Значение Тип диода
предельно-допустимый постоянный прямой ток
мА 500 BAS19
предельно-допустимое обратное напряжение .
В 100 





Лабораторная работа No2
Тема: Исследование характеристик полевых транзисторов
Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов (лекция 3)
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы:
- достоинства и недостатки полевых транзисторов;
- применение полевых транзисторов в элементарных схемах.



Таблица 1.1 – Характеристики транзистора с управляющим p-n переходом
Марка транзистора (тип канала) Motorola MPF 4860
Параметры  





Ед.изм. mA B B B B
Количественные значения 50 30 -30 -3 


Лабораторная работа No3
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах

Цель работы:
1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6).
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. Изучить теоретический материал в объеме материала лекций и теоретического введения.
3. Требования к оформлению отчета (см. раздел 6).



Выбрать параметры на расчёт ключевой схемы в соответствии с вариантом (Приложение А) - значения коммутируемых токов и напряжений ( , E2 соответственно), а также значение уровня логической «1» - E1max.
Выбрать марку транзистора из предлагаемого набора – КТ3102Е, KT3102D, КТ315A, 2N5551– по следующим критериям:

,      (1.1)

.      (1.2)
Параметры UКЭmax и IKmax найти, используя ресурсы Интернета.

Таблица 1.1 – Параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
Наименова-ние  
Е2 E1max h 21ОЭ Марка транзи-стора 2N5550 
IБ УПР Номиналы резисторов
     UКЭ max IК max  RК Rб
Единицы из-мерения A B B  B A A Ом Ом
Параметр  0,4 120 4,4 20 1400 0,6 0,2 300 18,5

ПО ПАРАМЕТРАМ ПОДХОДИТ ТРАНЗИСТОР 2N5550:

Оценка: Зачет
Дата оценки: 01.12.2021

Помогу с вашим вариантом, другой работой, дисциплиной или онлайн-тестом.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru