Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников, ЛР 6.8 , 7-й вариант, 2021г.

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 3FB31B33-28D1-4FAD-BC35-98781A2CCA1F.docx

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ
...
3. ОПИСАНИЕ УСТАНОВКИ
...
4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ
...
5. ВЫВОД
...
6.КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1. Объясните зонную структуру собственного полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnφ от 1/Т?
3. В чем особенности валентной зоны, зоны проводимости и запрещенной зоны?
4. Почему полупроводник не проводит ток при абсолютном нуле и проводит его когда температура выше абсолютного нуля?
5. Как ведут себя сопротивление проводника и полупроводника при нагреве?
7.РЕШЕНИЕ ЗАДАЧИ
Для полупроводника определена постоянная σ_0=8∙〖10〗^5 〖(Ом∙м)〗^(-1). Найдите плотность тока в полупроводнике при наличии напряженности внешнего поля 150 В/м. Температура полупроводника 700 К, ширина запрещенной зоны 1,1 эВ.

Дополнительная информация

2021 г.,
Преподаватель: доцент, зав. кафедры физики
Черевко А.Г.
Оценка: 5.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7. 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. Контрольные вопросы 1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .? 3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
User gerold66 : 22 октября 2009
49 руб.
Дополнительные арифметические команды
Введение Дополнительные арифметические команды без явных операндов выполняют действия над содержимым вершины стека, результат помещают туда же БЕЗ МОДИФИКАЦИИ УКАЗАТЕЛЯ СТЕКА. Ø FABS – нахождение абсолютной величины. Ø FCHS – изменение знака операнда. Ø FRNDINT – округление операнда до целого в формате с плавающей точкой. Ø FSQRT – извлечение квадратного корня. Ø FPREM – вычисляет остаток от деления содержимого ST(0) на число из ST(1). Остаток замещает число в ST(0). Ø FSCALE
User evelin : 6 октября 2013
15 руб.
Анализ структуры капитала и оценка его стоимости
Содержание Введение 3 Глава 1. Теоретические основы структуры капитала предприятия 5 1.2. Собственный капитал предприятия 5 1.2. Заемные средства 11 Глава 2. Анализ структуры капитала ЗАО «Береговой» 15 2.1. Актив и пассив баланса 15 2.2. Оценка структуры источников имущества предприятия 19 2.3. Анализ изменений в составе собственного и заемного капитала 20 2.4. Оценка динамики имущественного положения предприятия 21 2.5. Оценка капитала, вложенного в имущество предприятия 23 2.6. Ана
User Qiwir : 25 октября 2013
10 руб.
Основы визуального программирования. Лабораторные работы №№1-5. Вариант №9
Тема: Работа с компонентами TPanel (закладка Standard); TDriveComboBox, TFilterComboBox, TDirectoryListBox, TFileListBox (закладка Win 3.1); Tsplitter, TImage (закладка Additional); TStatusBar (закладка Win32). Тема: Компоненты MainMenu, PopupMenu, Memo, OpenDialog, SaveDialog. Создание вложенного динамического меню. Тема: работа с базами данных. Тема: Базы данных Тема: Базы данных.
User tefant : 5 июля 2013
199 руб.
Разрезы. Вариант 26. Задание 2 ЧЕРТЕЖ
Разрезы. Вариант 26. Задание 2 ЧЕРТЕЖ Задание: 1. Завершите изображение, соединив на месте вида спереди половину вида и половину разреза. 2. Завершите изображение, соединив на месте вида спереди часть вида и часть разреза. 3. Дополните главный вид недостающими линиями, выполнив фронтальный разрез. 4. Завершите изображение, cоединив половину вида с половиной разреза. Выполните изображение резьбы и рифления. Чертежи и 3d модели + pdf (все на скриншотах показано и присутствует в архив
User coolns : 30 сентября 2026
200 руб.
Разрезы. Вариант 26. Задание 2 ЧЕРТЕЖ
up Наверх