Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников, ЛР 6.8 , 7-й вариант, 2021г.

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 3FB31B33-28D1-4FAD-BC35-98781A2CCA1F.docx

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ
...
3. ОПИСАНИЕ УСТАНОВКИ
...
4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ
...
5. ВЫВОД
...
6.КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1. Объясните зонную структуру собственного полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnφ от 1/Т?
3. В чем особенности валентной зоны, зоны проводимости и запрещенной зоны?
4. Почему полупроводник не проводит ток при абсолютном нуле и проводит его когда температура выше абсолютного нуля?
5. Как ведут себя сопротивление проводника и полупроводника при нагреве?
7.РЕШЕНИЕ ЗАДАЧИ
Для полупроводника определена постоянная σ_0=8∙〖10〗^5 〖(Ом∙м)〗^(-1). Найдите плотность тока в полупроводнике при наличии напряженности внешнего поля 150 В/м. Температура полупроводника 700 К, ширина запрещенной зоны 1,1 эВ.

Дополнительная информация

2021 г.,
Преподаватель: доцент, зав. кафедры физики
Черевко А.Г.
Оценка: 5.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7. 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. Контрольные вопросы 1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .? 3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
User gerold66 : 22 октября 2009
49 руб.
Гидравлика СПбГУГА 2018 Задача 8 Вариант 1
Определить местные потери давления на полнопоточном фильтре, установленном в трубопроводе (рис. 5), если расход жидкости Q, показания манометров p1=0,1 МПа, p2=0,25 МПа, а диаметры труб d1=5 мм, d2=10 мм, кинематическая вязкость и плотность жидкости ν=0,4 см²/с и ρ=1000 кг/м³. Потерями на трение по длине пренебречь.
User Z24 : 3 января 2026
150 руб.
Гидравлика СПбГУГА 2018 Задача 8 Вариант 1
Иследование собственных и дополнительных затуханий в оптических кабелях связи
Лабораторная работа №1 "ИСЛЕДОВАНИЕ СОБСТВЕННЫХ И ДОПОЛНИТЕЛЬНЫХ ЗАТУХАНИЙ В ОПТИЧЕСКИХ КАБЕЛЯХ СВЯЗИ" 1. Цель работы Цель работы является проведение компьютерного эксперимента по исследованию собственных и дополнительных затуханий в оптических кабелях связи: - собственных затуханий; - затуханий в местах соединений оптических волокон; - затуханий на микроизгибах и макроизгибах.
User Таня : 15 октября 2021
300 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Системы коммутации (часть 2)
Вариант 04 1. Назначение АТС: центральная станция типа SI-2000 V.5 2. Емкость станции: 2.1. Количество абонентов, включенных в центральную АТС: 5749 2.2. Количество местных таксофонов: 10 2.3. Количество междугородных таксофонов: 8 2.4. Количество кабин переговорных пунктов: 5 2.5. Количество оконечных устройств передачи данных: 15 2.6. Количество пользователей ISDN: доступ 30B+D: 11 доступ 2B+D: 24 2.7. УПАТС, включенные в ЦС: типа Harris 20-20 LX емкостью 681
User lebed-e-va : 21 марта 2016
150 руб.
Насос шестеренный. Вариант 46 ЧЕРТЕЖ
Насос шестеренный. Вариант 46 Схема принципиальная полная насоса шестеренного показаны на рис.5.320, а. Такие насосы применяются для перекачки жидкостей различной вязкости, в том числе масел, и могут создавать довольно большое давление в нагнетательном трубопроводе. Шестеренными их называют потому, что зубчатые колеса, которые являются основными рабочими звеньями, имеют второе название - шестерни. Насос состоит из кронштейна 1, корпуса 2 и крышки 6, которые скреплены винтами 11 и установочными
User coolns : 23 ноября 2023
600 руб.
Насос шестеренный. Вариант 46 ЧЕРТЕЖ promo
up Наверх