Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников, ЛР 6.8 , 7-й вариант, 2021г.
-
Категории:
СибГУТИ, Физика , Работа Лабораторная
-
Добавлен:
10.02.2022
-
Размер:
166 KB
-
Покупок:
2
-
Добавил:
Voodoo322228
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
3FB31B33-28D1-4FAD-BC35-98781A2CCA1F.docx
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ
...
3. ОПИСАНИЕ УСТАНОВКИ
...
4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ
...
5. ВЫВОД
...
6.КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1. Объясните зонную структуру собственного полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnφ от 1/Т?
3. В чем особенности валентной зоны, зоны проводимости и запрещенной зоны?
4. Почему полупроводник не проводит ток при абсолютном нуле и проводит его когда температура выше абсолютного нуля?
5. Как ведут себя сопротивление проводника и полупроводника при нагреве?
7.РЕШЕНИЕ ЗАДАЧИ
Для полупроводника определена постоянная σ_0=8∙〖10〗^5 〖(Ом∙м)〗^(-1). Найдите плотность тока в полупроводнике при наличии напряженности внешнего поля 150 В/м. Температура полупроводника 700 К, ширина запрещенной зоны 1,1 эВ.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ
...
3. ОПИСАНИЕ УСТАНОВКИ
...
4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ
...
5. ВЫВОД
...
6.КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1. Объясните зонную структуру собственного полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnφ от 1/Т?
3. В чем особенности валентной зоны, зоны проводимости и запрещенной зоны?
4. Почему полупроводник не проводит ток при абсолютном нуле и проводит его когда температура выше абсолютного нуля?
5. Как ведут себя сопротивление проводника и полупроводника при нагреве?
7.РЕШЕНИЕ ЗАДАЧИ
Для полупроводника определена постоянная σ_0=8∙〖10〗^5 〖(Ом∙м)〗^(-1). Найдите плотность тока в полупроводнике при наличии напряженности внешнего поля 150 В/м. Температура полупроводника 700 К, ширина запрещенной зоны 1,1 эВ.
Дополнительная информация
2021 г.,
Преподаватель: доцент, зав. кафедры физики
Черевко А.Г.
Оценка: 5.
Преподаватель: доцент, зав. кафедры физики
Черевко А.Г.
Оценка: 5.
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Сравнение правовых систем. Задание 1.
studypro3
: 2 августа 2018
1. Характеристики внутренней организационной среды.
1.1. Миссия и цели организации. Представляется в виде дерева целей.
1.2. Ресурсы (1-2 стр.). Описание видов ресурсов используемых организацией. Определение ресурсного приоритета организации.
1.3. Технология (1-2 стр.) Краткая характеристика элементов технологии: физических объектов, процессов и ноу-хау. Определить тип технологии, реализующийся в данной организации (с обоснованием).
2. Оценка организационной культуры: перечень характерных ар
studypro3
: 2 августа 2018
700 руб.
Теплотехника Часть 1 Термодинамика Задача 15 Вариант 7
Z24
: 11 октября 2025
1 кг перегретого водяного пара, имея температуру t1 и энтропию s1, охлаждается в процессе постоянного объема до состояния, когда энтальпия пара становится равной 2500 кДж/кг. Определить, состояние пара и его параметры в конце процесса, а также количество отведенной теплоты. Решение задачи иллюстрировать на is — диаграмме.
Z24
: 11 октября 2025
180 руб.
Термодинамика и теплопередача СамГУПС 2012 Задача 34 Вариант 6
Z24
: 12 ноября 2025
Стенки рабочей камеры промышленной нагревательной печи имеют внутренний огнеупорный слой толщиной δ1=0,12 м из шамотного кирпича и наружный слой толщиной δ2=0,25 м из строительного кирпича. Температура наружной поверхности наружного слоя tст3, коэффициент теплоотдачи от наружной поверхности к окружающему воздуху α2=16 Вт/(м²·К), а температура воздуха — t2. Определить температуру внутренней поверхности камеры печи tст1 и построить график распределения температур по толщине стенки. Каковы суточные
Z24
: 12 ноября 2025
150 руб.
Основы управления техническими системами. Билет №5
Ander
: 4 апреля 2022
Экзаменационная работа
по курсу: Основы управления техническими системами
Билет No5
1. Свойство преобразования Лапласа: «интегрирование оригинала» предполагает:
2) умножение изображения на оператор «р»
3) деление изображения на оператор «р»
4) возведение изображения в квадрат
5) интегрирование изображения
6) дифференцирование изображения
2. Характеристическим уравнением называется:
1) Числитель передаточной функции, приравненный нулю;
2) Знаменатель передаточной функции, приравненный числи
Ander
: 4 апреля 2022
200 руб.
