Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников, ЛР 6.8 , 7-й вариант, 2021г.
Состав работы
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ
...
3. ОПИСАНИЕ УСТАНОВКИ
...
4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ
...
5. ВЫВОД
...
6.КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1. Объясните зонную структуру собственного полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnφ от 1/Т?
3. В чем особенности валентной зоны, зоны проводимости и запрещенной зоны?
4. Почему полупроводник не проводит ток при абсолютном нуле и проводит его когда температура выше абсолютного нуля?
5. Как ведут себя сопротивление проводника и полупроводника при нагреве?
7.РЕШЕНИЕ ЗАДАЧИ
Для полупроводника определена постоянная σ_0=8∙〖10〗^5 〖(Ом∙м)〗^(-1). Найдите плотность тока в полупроводнике при наличии напряженности внешнего поля 150 В/м. Температура полупроводника 700 К, ширина запрещенной зоны 1,1 эВ.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ
...
3. ОПИСАНИЕ УСТАНОВКИ
...
4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ
...
5. ВЫВОД
...
6.КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1. Объясните зонную структуру собственного полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnφ от 1/Т?
3. В чем особенности валентной зоны, зоны проводимости и запрещенной зоны?
4. Почему полупроводник не проводит ток при абсолютном нуле и проводит его когда температура выше абсолютного нуля?
5. Как ведут себя сопротивление проводника и полупроводника при нагреве?
7.РЕШЕНИЕ ЗАДАЧИ
Для полупроводника определена постоянная σ_0=8∙〖10〗^5 〖(Ом∙м)〗^(-1). Найдите плотность тока в полупроводнике при наличии напряженности внешнего поля 150 В/м. Температура полупроводника 700 К, ширина запрещенной зоны 1,1 эВ.
Дополнительная информация
2021 г.,
Преподаватель: доцент, зав. кафедры физики
Черевко А.Г.
Оценка: 5.
Преподаватель: доцент, зав. кафедры физики
Черевко А.Г.
Оценка: 5.
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
49 руб.
Другие работы
Дополнительные арифметические команды
evelin
: 6 октября 2013
Введение
Дополнительные арифметические команды без явных операндов выполняют действия над содержимым вершины стека, результат помещают туда же БЕЗ МОДИФИКАЦИИ УКАЗАТЕЛЯ СТЕКА.
Ø FABS – нахождение абсолютной величины.
Ø FCHS – изменение знака операнда.
Ø FRNDINT – округление операнда до целого в формате с плавающей точкой.
Ø FSQRT – извлечение квадратного корня.
Ø FPREM – вычисляет остаток от деления содержимого ST(0) на число из ST(1). Остаток замещает число в ST(0).
Ø FSCALE
15 руб.
Анализ структуры капитала и оценка его стоимости
Qiwir
: 25 октября 2013
Содержание
Введение 3
Глава 1. Теоретические основы структуры капитала предприятия 5
1.2. Собственный капитал предприятия 5
1.2. Заемные средства 11
Глава 2. Анализ структуры капитала ЗАО «Береговой» 15
2.1. Актив и пассив баланса 15
2.2. Оценка структуры источников имущества предприятия 19
2.3. Анализ изменений в составе собственного и заемного капитала 20
2.4. Оценка динамики имущественного положения предприятия 21
2.5. Оценка капитала, вложенного в имущество предприятия 23
2.6. Ана
10 руб.
Основы визуального программирования. Лабораторные работы №№1-5. Вариант №9
tefant
: 5 июля 2013
Тема: Работа с компонентами TPanel (закладка Standard); TDriveComboBox, TFilterComboBox, TDirectoryListBox, TFileListBox (закладка Win 3.1); Tsplitter, TImage (закладка Additional); TStatusBar (закладка Win32).
Тема: Компоненты MainMenu, PopupMenu, Memo, OpenDialog, SaveDialog.
Создание вложенного динамического меню.
Тема: работа с базами данных.
Тема: Базы данных
Тема: Базы данных.
199 руб.
Разрезы. Вариант 26. Задание 2 ЧЕРТЕЖ
coolns
: 30 сентября 2026
Разрезы. Вариант 26. Задание 2 ЧЕРТЕЖ
Задание:
1. Завершите изображение, соединив на месте вида спереди половину вида и половину разреза.
2. Завершите изображение, соединив на месте вида спереди часть вида и часть разреза.
3. Дополните главный вид недостающими линиями, выполнив фронтальный разрез.
4. Завершите изображение, cоединив половину вида с половиной разреза. Выполните изображение резьбы и рифления.
Чертежи и 3d модели + pdf (все на скриншотах показано и присутствует в архив
200 руб.