Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников, ЛР 6.8 , 7-й вариант, 2021г.
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ
...
3. ОПИСАНИЕ УСТАНОВКИ
...
4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ
...
5. ВЫВОД
...
6.КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1. Объясните зонную структуру собственного полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnφ от 1/Т?
3. В чем особенности валентной зоны, зоны проводимости и запрещенной зоны?
4. Почему полупроводник не проводит ток при абсолютном нуле и проводит его когда температура выше абсолютного нуля?
5. Как ведут себя сопротивление проводника и полупроводника при нагреве?
7.РЕШЕНИЕ ЗАДАЧИ
Для полупроводника определена постоянная σ_0=8∙〖10〗^5 〖(Ом∙м)〗^(-1). Найдите плотность тока в полупроводнике при наличии напряженности внешнего поля 150 В/м. Температура полупроводника 700 К, ширина запрещенной зоны 1,1 эВ.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ
...
3. ОПИСАНИЕ УСТАНОВКИ
...
4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ
...
5. ВЫВОД
...
6.КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1. Объясните зонную структуру собственного полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnφ от 1/Т?
3. В чем особенности валентной зоны, зоны проводимости и запрещенной зоны?
4. Почему полупроводник не проводит ток при абсолютном нуле и проводит его когда температура выше абсолютного нуля?
5. Как ведут себя сопротивление проводника и полупроводника при нагреве?
7.РЕШЕНИЕ ЗАДАЧИ
Для полупроводника определена постоянная σ_0=8∙〖10〗^5 〖(Ом∙м)〗^(-1). Найдите плотность тока в полупроводнике при наличии напряженности внешнего поля 150 В/м. Температура полупроводника 700 К, ширина запрещенной зоны 1,1 эВ.
Дополнительная информация
2021 г.,
Преподаватель: доцент, зав. кафедры физики
Черевко А.Г.
Оценка: 5.
Преподаватель: доцент, зав. кафедры физики
Черевко А.Г.
Оценка: 5.
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
49 руб.
Другие работы
Теоретические основы контрольно - ревизионной деятельности
Lokard
: 30 декабря 2014
Введение
1. Особенности организации ревизии на объектах разных организационно-правовых форм и форм собственности
1.1 Содержание и задачи ревизии
1.2 Виды и формы финансового контроля
1.3 Органы, осуществляющие ревизию и контроль на акционерных обществах
2. Проверка правильности учета основных средств в ОАО «Нижняя Ельцовка»
2.1 Инвентаризация основных средств
2.2 Проверка правильности отнесения имущества к основным средствам
2.3 Проверка формирования первоначальной стоимости основных сре
10 руб.
Анализ хозяйственно-экономической деятельности ООО Амурский розлив
Lokard
: 7 ноября 2013
Основной вид деятельности предприятия: производство безалкогольных напитков – квас и квасного напитка ТМ «Атаман Кваснов».
ООО «Амурский розлив» расположен в городе Благовещенске по адресу 1-й км. Новотроицкого шоссе 1. Входит в состав группы компаний «ИНТЕГРАЛ» и имеет два подразделения: цех брожения и цех розлива. Цех брожения отвечает за приготовления фильтрованного, пастеризованного кваса, квасного напитка, а цех розлива отвечает за розлив кваса, квасного напитка. Цех розлива снабжён двумя
10 руб.
Применение модуля EPLAN PPE при сквозном проектировании АСУ ТП
alfFRED
: 2 октября 2013
Среди предлагаемых в настоящее время программных продуктов, предназначенных для проектирования автоматизированных систем управления технологическими процессами, особого внимания заслуживает модуль EPLAN PPE (Process Plant Engineering), входящий в состав платформы EPLAN. Области применения данного модуля очень широкие – от создания систем инженерного обеспечения зданий до автоматизации завода в целом. Во всех случаях, где стоит задача автоматизации любого технологического процесса, модуль EPLAN P
10 руб.
Курсовой проект «Проект цифровой радиорелейной линии г. Уфа – г. Челябинск». 11 вариант
Azaz102np
: 12 февраля 2021
Курсовой проект
«Проект цифровой радиорелейной линии
г. Уфа – г. Челябинск». 11 вариант
Оглавление
1.Введение 3
2.Краткая характеристика региона проектирования 4
3.Выбор трассы ЦРРЛ 7
4.Выбор радиотехнического оборудования 10
5. Расчет устойчивости связи на ЦРРЛ 13
5.1 Построение профиля пролета 13
5.2 Расчет величины просвета H(0) 14
5.3 Расчёт минимально-допустимого множителя ослабления 16
5.4 Расчет устойчивости связи на пролетах ЦРРЛ 17
5.5 Расчет замираний из-за экранирующего действия пр
700 руб.