Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников, ЛР 6.8 , 7-й вариант, 2021г.
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ
...
3. ОПИСАНИЕ УСТАНОВКИ
...
4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ
...
5. ВЫВОД
...
6.КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1. Объясните зонную структуру собственного полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnφ от 1/Т?
3. В чем особенности валентной зоны, зоны проводимости и запрещенной зоны?
4. Почему полупроводник не проводит ток при абсолютном нуле и проводит его когда температура выше абсолютного нуля?
5. Как ведут себя сопротивление проводника и полупроводника при нагреве?
7.РЕШЕНИЕ ЗАДАЧИ
Для полупроводника определена постоянная σ_0=8∙〖10〗^5 〖(Ом∙м)〗^(-1). Найдите плотность тока в полупроводнике при наличии напряженности внешнего поля 150 В/м. Температура полупроводника 700 К, ширина запрещенной зоны 1,1 эВ.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ
...
3. ОПИСАНИЕ УСТАНОВКИ
...
4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ
...
5. ВЫВОД
...
6.КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1. Объясните зонную структуру собственного полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnφ от 1/Т?
3. В чем особенности валентной зоны, зоны проводимости и запрещенной зоны?
4. Почему полупроводник не проводит ток при абсолютном нуле и проводит его когда температура выше абсолютного нуля?
5. Как ведут себя сопротивление проводника и полупроводника при нагреве?
7.РЕШЕНИЕ ЗАДАЧИ
Для полупроводника определена постоянная σ_0=8∙〖10〗^5 〖(Ом∙м)〗^(-1). Найдите плотность тока в полупроводнике при наличии напряженности внешнего поля 150 В/м. Температура полупроводника 700 К, ширина запрещенной зоны 1,1 эВ.
Дополнительная информация
2021 г.,
Преподаватель: доцент, зав. кафедры физики
Черевко А.Г.
Оценка: 5.
Преподаватель: доцент, зав. кафедры физики
Черевко А.Г.
Оценка: 5.
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
49 руб.
Другие работы
Крышка. Варинат 7
lepris
: 5 октября 2022
Крышка. Варинат 7
Вариант 7 часть 2 Крышка
Вычертить контуры деталей, применяя правила построения сопряжений и деления окружностей на равные части.
Чертежи выполнен на формате А3 в AutoCAD 2013 (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) возможно открыть с 2013 по 2022 и выше версиях.
Также открывать и просматривать чертежи и 3D-модели, выполненные в Autocad возможно программой просмотра DWG TrueView 2022.
Помогу с другими вариантами.Пишите в Л/С.
100 руб.
Газорегуляторный пункт шкафной ГРПШ 32 - 10
DiKey
: 16 мая 2020
Газорегуляторный пункт шкафной ГРПШ 32 - 10
100 руб.
Лабораторная работа № 4 по дисциплине «Представление графической информации»
1231233
: 23 января 2012
Задание:
Написать программу для вписывания логотипа в BMP файлы. (Логотип создать в отдельном файле)
Реализация программы:
Модуль Lab4bmp
//---------------------------------------------------------------------------
#include "colors.h"
void main()
{
// обработаем файл UP.bmp
FILE *log = fopen( "UP.bmp", "rb" );
int _siz = siz_(log );
LPVOID log_ = malloc( _siz + 1 );
memset( log_, 0x00, _siz + 1 );
fread( log_, _siz, 1, log );
head_file bmp = { 0 };
fclose( log );
memcpy( &b
23 руб.
Отчет по преддипломной практике ООО "Гранд Отель Европа"
Elfa254
: 19 ноября 2015
Специальность: Управление персоналом.
Краткая информация из истории гостиницы.
Философия гостиницы "Гранд Отель Европа".
Нормативные документы, регулирующие деятельность гостиницы «Гранд Отель Европа».
Служба управления номерным фондом.
Дополнительные услуги.
Система управления гостиничным предприятием.
Организационная структура.
Функциональное назначение служб.
Должностные инструкции.
Генеральный менеджер гостиницы.
Портье.
Супервайзер.
Инженер по охране труда.
Менеджер по персоналу.
Администра
45 руб.