Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников, ЛР 6.8 , 7-й вариант, 2021г.
-
Категории:
СибГУТИ, Физика , Работа Лабораторная
-
Добавлен:
10.02.2022
-
Размер:
166 KB
-
Покупок:
2
-
Добавил:
Voodoo322228
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
3FB31B33-28D1-4FAD-BC35-98781A2CCA1F.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ
...
3. ОПИСАНИЕ УСТАНОВКИ
...
4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ
...
5. ВЫВОД
...
6.КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1. Объясните зонную структуру собственного полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnφ от 1/Т?
3. В чем особенности валентной зоны, зоны проводимости и запрещенной зоны?
4. Почему полупроводник не проводит ток при абсолютном нуле и проводит его когда температура выше абсолютного нуля?
5. Как ведут себя сопротивление проводника и полупроводника при нагреве?
7.РЕШЕНИЕ ЗАДАЧИ
Для полупроводника определена постоянная σ_0=8∙〖10〗^5 〖(Ом∙м)〗^(-1). Найдите плотность тока в полупроводнике при наличии напряженности внешнего поля 150 В/м. Температура полупроводника 700 К, ширина запрещенной зоны 1,1 эВ.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ
...
3. ОПИСАНИЕ УСТАНОВКИ
...
4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ
...
5. ВЫВОД
...
6.КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1. Объясните зонную структуру собственного полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnφ от 1/Т?
3. В чем особенности валентной зоны, зоны проводимости и запрещенной зоны?
4. Почему полупроводник не проводит ток при абсолютном нуле и проводит его когда температура выше абсолютного нуля?
5. Как ведут себя сопротивление проводника и полупроводника при нагреве?
7.РЕШЕНИЕ ЗАДАЧИ
Для полупроводника определена постоянная σ_0=8∙〖10〗^5 〖(Ом∙м)〗^(-1). Найдите плотность тока в полупроводнике при наличии напряженности внешнего поля 150 В/м. Температура полупроводника 700 К, ширина запрещенной зоны 1,1 эВ.
Дополнительная информация
2021 г.,
Преподаватель: доцент, зав. кафедры физики
Черевко А.Г.
Оценка: 5.
Преподаватель: доцент, зав. кафедры физики
Черевко А.Г.
Оценка: 5.
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Гидравлика СПбГУГА 2018 Задача 8 Вариант 1
Z24
: 3 января 2026
Определить местные потери давления на полнопоточном фильтре, установленном в трубопроводе (рис. 5), если расход жидкости Q, показания манометров p1=0,1 МПа, p2=0,25 МПа, а диаметры труб d1=5 мм, d2=10 мм, кинематическая вязкость и плотность жидкости ν=0,4 см²/с и ρ=1000 кг/м³. Потерями на трение по длине пренебречь.
Z24
: 3 января 2026
150 руб.
Иследование собственных и дополнительных затуханий в оптических кабелях связи
Таня
: 15 октября 2021
Лабораторная работа №1 "ИСЛЕДОВАНИЕ СОБСТВЕННЫХ И ДОПОЛНИТЕЛЬНЫХ ЗАТУХАНИЙ В ОПТИЧЕСКИХ КАБЕЛЯХ СВЯЗИ"
1. Цель работы
Цель работы является проведение компьютерного эксперимента по исследованию собственных и дополнительных затуханий в оптических кабелях связи:
- собственных затуханий;
- затуханий в местах соединений оптических волокон;
- затуханий на микроизгибах и макроизгибах.
Таня
: 15 октября 2021
300 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Системы коммутации (часть 2)
lebed-e-va
: 21 марта 2016
Вариант 04
1. Назначение АТС: центральная станция типа SI-2000 V.5
2. Емкость станции:
2.1. Количество абонентов, включенных в центральную АТС: 5749
2.2. Количество местных таксофонов: 10
2.3. Количество междугородных таксофонов: 8
2.4. Количество кабин переговорных пунктов: 5
2.5. Количество оконечных устройств передачи данных: 15
2.6. Количество пользователей ISDN:
доступ 30B+D: 11
доступ 2B+D: 24
2.7. УПАТС, включенные в ЦС:
типа Harris 20-20 LX емкостью 681
lebed-e-va
: 21 марта 2016
150 руб.
Насос шестеренный. Вариант 46 ЧЕРТЕЖ
coolns
: 23 ноября 2023
Насос шестеренный. Вариант 46
Схема принципиальная полная насоса шестеренного показаны на рис.5.320, а.
Такие насосы применяются для перекачки жидкостей различной вязкости, в том числе масел, и могут создавать довольно большое давление в нагнетательном трубопроводе. Шестеренными их называют потому, что зубчатые колеса, которые являются основными рабочими звеньями, имеют второе название - шестерни.
Насос состоит из кронштейна 1, корпуса 2 и крышки 6, которые скреплены винтами 11 и установочными
coolns
: 23 ноября 2023
600 руб.
