Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 06
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа No1
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона.
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
1. ВАХ диода
1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода
Таблица 1.1 – Характеристики диода
Параметр Единицы измерения Значение Тип диода
предельно-допустимый постоянный прямой ток
мА 75
Zelex FMMD914
предельно-допустимое обратное напряжение .
В 75
Лабораторная работа No2
Тема: Исследование характеристик полевых транзисторов
Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов
Расчетная часть
Транзистор с управляющим p-n переходом
Таблица 1.1 – Характеристики транзистора с управляющим p-n переходом
Марка транзистора (тип канала)
Motorola BF246B
Параметры I_cmax U_cиmax U_зиmax U_(зи отс) U_зи" пор"
Ед.изм. mA B B B B
Количественные значения 140 25 20 4 -
Таблица 1.2 – Семейство стоко-затворных характеристик транзистора с управляющим p-n переходом
No U_зиотс, В U_зи,В
(рассчитанные значения) U_си=0.01U_cиmax,B U_си= 0.5U_cиmax,В
(рассчитанные значения) (рассчитанные значения)
I_с, mA I_с, mA
1.
4 3.8 0,23 0,25
2. 3 2,73 6,25
3. 2 5,86 25
4. 1 8,98 56,25
5. 0 12,11 100
Привести формулы для расчета I_с, mA.
При U_си=0.01U_cиmax:
Лабораторная работа No3
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров
элементов некоторых ключевых схем.
1. Расчет и испытание транзисторного ключа
1.1Расчет и испытание транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
Расчетная часть
Таблица 1.1 – Параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
Наименование Е2 E1max h 21ОЭ Марка транзистора MJE13007
IБ ТР Номиналы резисторов
UКЭ max IК max RК Rб
Единицы измерения А В В В А А Ом Ом
Параметр 5,6 520 4,3 8÷60 700 8 0,7 92,9 5,14
Экспериментальная часть
По заданию требуется выбрать один транзистор из предлагаемого набора КТ3102Е, КТ315A, 2SC945, КТ815А, MJE13007, КТ872А.
В соответствии с приложением А методических указаний для варианта 06 электрические параметры ключей Iком=5,6 А Е2=520 В E1max=4,3 В.
По электрическим параметрам подходят MJE13007, КТ872А, которые отсутствуют в библиотеке Worcbench.
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона.
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
1. ВАХ диода
1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода
Таблица 1.1 – Характеристики диода
Параметр Единицы измерения Значение Тип диода
предельно-допустимый постоянный прямой ток
мА 75
Zelex FMMD914
предельно-допустимое обратное напряжение .
В 75
Лабораторная работа No2
Тема: Исследование характеристик полевых транзисторов
Цель работы: Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов
Расчетная часть
Транзистор с управляющим p-n переходом
Таблица 1.1 – Характеристики транзистора с управляющим p-n переходом
Марка транзистора (тип канала)
Motorola BF246B
Параметры I_cmax U_cиmax U_зиmax U_(зи отс) U_зи" пор"
Ед.изм. mA B B B B
Количественные значения 140 25 20 4 -
Таблица 1.2 – Семейство стоко-затворных характеристик транзистора с управляющим p-n переходом
No U_зиотс, В U_зи,В
(рассчитанные значения) U_си=0.01U_cиmax,B U_си= 0.5U_cиmax,В
(рассчитанные значения) (рассчитанные значения)
I_с, mA I_с, mA
1.
4 3.8 0,23 0,25
2. 3 2,73 6,25
3. 2 5,86 25
4. 1 8,98 56,25
5. 0 12,11 100
Привести формулы для расчета I_с, mA.
При U_си=0.01U_cиmax:
Лабораторная работа No3
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров
элементов некоторых ключевых схем.
1. Расчет и испытание транзисторного ключа
1.1Расчет и испытание транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
Расчетная часть
Таблица 1.1 – Параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
Наименование Е2 E1max h 21ОЭ Марка транзистора MJE13007
IБ ТР Номиналы резисторов
UКЭ max IК max RК Rб
Единицы измерения А В В В А А Ом Ом
Параметр 5,6 520 4,3 8÷60 700 8 0,7 92,9 5,14
Экспериментальная часть
По заданию требуется выбрать один транзистор из предлагаемого набора КТ3102Е, КТ315A, 2SC945, КТ815А, MJE13007, КТ872А.
В соответствии с приложением А методических указаний для варианта 06 электрические параметры ключей Iком=5,6 А Е2=520 В E1max=4,3 В.
По электрическим параметрам подходят MJE13007, КТ872А, которые отсутствуют в библиотеке Worcbench.
Дополнительная информация
Оценка: Зачет
Дата оценки: 09.04.2022
Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Дата оценки: 09.04.2022
Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Похожие материалы
Контрольная и Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 06
IT-STUDHELP
: 9 апреля 2022
Контрольная работа
ЗАДАЧА No 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения Б, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
No ВАРИАНТА Последняя цифра 6
Предпоследняя цифра
0 Rн, Ом 100
U2, В 110
Тип выпрямителя Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой
ЗАДАЧА 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТ
1300 руб.
Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №06
IT-STUDHELP
: 10 ноября 2023
Вариант №06
Лабораторная работа №1
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО УСТРОЙСТВА
Вариант 06
ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС).
ЗАДАНИЕ
1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упрощение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации.
2. Составить формальную электрическую схему устройства и привести список необходимых базовых
700 руб.
Лабораторные работы №1-2 по дисциплине: «Элементная база телекоммуникационных систем». Вариант №06.
teacher-sib
: 30 августа 2023
Лабораторная работа No1
по дисциплине: «Элементная база телекоммуникационных систем»
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО ЦИФРОВОГО
УСТРОЙСТВА
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО ЦИФРОВОГО УСТРОЙСТВА
ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС). Варианты приведены в приложении А.
ЗАДАНИЕ
1.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упро-щение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести
1000 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №1
L0ki
: 29 декабря 2020
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы:
1 Изучить характерные свойства электронно-дырочного
перехода, определяющие характеристики выпрямительного
диода и стабилитрона (лекция №2).
2 Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а
также по обработке и оформлению полученных результатов.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная
подготовка, состоящая в следующем:
1 Изучение темы и цели лабораторной работы.
2 При изучении теоретического материала в объ
195 руб.
Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №06
IT-STUDHELP
: 10 ноября 2023
Контрольная работа
Вариант №06
ТЕМА: АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Цель работы: оценить технико-экономическую эффективность внедрения изделий наноэлектроники
Исходные данные
Цифра пароля Тип наноизделия Тип транзистора Тип ЭВП Тип БИС
1. AMD Sempron M 3000+ КТ368Б 6С65Н ATF2500C
1. Определение выигрыша во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, тр
1300 руб.
Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 17
IT-STUDHELP
: 16 мая 2022
Вариант 17
Лабораторная работа No1
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция No2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
Выполнению данн
900 руб.
Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 14
IT-STUDHELP
: 9 апреля 2022
Лабораторная работа No1
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция No2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
1. ВАХ диода
Вариант 14, диод Zelex FMMD914
1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода
Таблица 1.1 – Характеристики диода
Параме
900 руб.
Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 18
IT-STUDHELP
: 9 апреля 2022
Лабораторная работа No1
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция No2).
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
Выполнению данной работы до
900 руб.
Другие работы
Анализ рынка бухгалтерского программного обеспечения
evelin
: 21 ноября 2013
Введение
Автоматизация бухгалтерского учета на предприятии и подготовка финансовой отчетности в налоговые органы в условиях переходной экономики России является одной из наиболее важных задач. Ситуация такова, что сам по себе бухгалтерский учет на предприятии может рассматриваться как внутреннее дело предприятия, а основой для оценки финансово-хозяйственной деятельности предприятия со стороны государства служит отчетность (бухгалтерский баланс и многочисленные другие отчетные формы), которая до
15 руб.
Построение 3-х видов. Вариант 8 ЧЕРТЕЖ
coolns
: 2 февраля 2026
Построение 3-х видов. Вариант 8 ЧЕРТЕЖ
ГРАФИЧЕСКАЯ РАБОТА № 3
ПОСТРОЕНИЕ 3-Х ВИДОВ
Цель работы: Познакомиться с методом прямоугольного проецирования.
Выработать навыки построения трех основных видов.
Чертеж выполнен на формате А3 + 3d модель + pdf (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в КОМПАС 3D.
Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком КОМПАС-3D Viewer.
По другим вариантам и всем вопрос
170 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Математический анализ (часть 2). Билет №24
SibGOODy
: 26 августа 2018
БИЛЕТ № 24
1. Линейные дифференциальные уравнения второго порядка с постоянными коэффициентами без правой части и их решение.
2. Найти градиент функции z=f(x,y) в точке M(1;1) z=x/(x^(2)+y^(2)).
3. Изменить порядок интегрирования. Область интегрирования изобразить на чертеже (см. скрин)
4. Найти объем тела, полученного вращением фигуры, ограниченной линиями y^(2)=4-x, x=0 вокруг оси ОУ.
5. Найти область сходимости ряда (см. скрин).
6. Решить дифференциальное уравнение с данным начальны
650 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 4 Вариант 18
Z24
: 1 января 2026
Круглое отверстие в вертикальной стенке закрытого резервуара с водой перекрыто сферической крышкой. Радиус сферы R = (0,5 + 0,02·y) м. угол α = (120 + 0,1·z)º, глубина погружения центра тяжести отверстия H = (1,0 + 0,1·y) м.
Определить давление воды на крышку, если на свободной поверхности рм = (147 + 0,2·z) = 148,8 кПа (рис. 4).
200 руб.