Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных системи. Вариант №10ID: 230188Дата закачки: 17 Ноября 2022 Продавец: IT-STUDHELP (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Работа Контрольная Форматы файлов: Microsoft Word Сдано в учебном заведении: СибГУТИ Описание: Контрольная работа АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ по дисциплине «Элементная база телекоммуникационных систем» Задание. 1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции. 1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции. 1.3 Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции. 1.4 Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции. 1.5 Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции. Исходные данные Наноэлектронное изделие представляет собой интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), приведенную в таблице 2.1. Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, приведены в таблицах 2.2-2.5. Таблица 2.1 – Данные для вариантов элементной базы Цифра пароля Тип наноизделия Тип транзистора Тип ЭВП Тип БИС 10 Dual-Core Intel Xeon LV 5148 КТ382АМ 6С52Н ATF1504ASVL Таблица 2.2 – Параметры ЭВП № Тип Iнак, мА Uнак, В Iанод, мА Uанод, В Nвывод Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб 2 6С52Н 130 6,3 8 120 12 11 20,3 3,2 144 Таблица 2.3 – Параметры транзисторов № Наименование Iпотр, мА Uпит, В Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб 10 КТ382АМ 30 10 5,3 2,7 0,3 25,70 Таблица 2.4 – Параметры БИС № Наименование Iпот, мА Nэлем Uпит, В Nвывод Площадь S, м^2∙10^(-6) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб 12 ATF1504ASVL 130 6000 3,3 100 144 1,2 12 147,42 Таблица 2.5 – Параметры наноизделий № Наименование процессора Количество элементов, млн Количество выводов Потребляемая мощность, Вт Тактовая частота, ГГц Площадь S, кв. мм Напряжение питания, В Высота h, мм Технология, нм Цена, руб. Min Max Min Max 3 Dual-Core Intel Xeon LV 5148 321 771 65 95 2,33 80 1,2 1,4 2,6 65 28375 Таблица 2.6 – Интенсивность отказов дискретных элементов Название радиоэлемента Интенсивность отказов, 10^(-6), 1/час Транзисторы 0,01 Паяное соединение 0,0003 БИС 0,02 Наноиздение 0,03 ЭВП 0,25 Механическое соединение 0,01 ========================================= Комментарии: Проверил(а): Елистратова Ирина Борисовна Оценка: Отлично Дата оценки: 17.11.2022 Помогу с вашим вариантом, другой дисциплиной, онлайн-тестом, либо сессией под ключ. E-mail: sneroy20@gmail.com E-mail: ego178@mail.ru Размер файла: 52,9 Кбайт Фаил: 
(.docx)
------------------- Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные! Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку. Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот. -------------------
Скачано: 2 Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! |
||||
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Элементная база телекоммуникационных систем / Контрольная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных системи. Вариант №10