Курсовая работа Разработка интегрального устройства
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Курсовая
-
Добавлен:
30.11.2022
-
Размер:
416 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
Виктория30
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
2638B1FB-3F5B-401C-852B-46EED6EAFE9B.docx
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Содержание
Техническое задание ................................................................................................3
Введение ...................................................................................................................4
1 Разработка структурной и принципиальной схем устройства............................5
2 Расчет элементов принципиальной схемы...........................................................8
2.1 Расчет выходного каскада VT2 ......................................................................8
2.2 Расчет каскада VT1 ....................................................................................... 11
3 Разработка интегральной микросхемы .............................................................. 14
3.1 Расчет амплитудно-частотной характеристики........................................... 14
3.2 Выбор пленочных элементов ....................................................................... 16
3.3 Выбор навесных элементов .......................................................................... 19
3.4 Составление топологии ................................................................................ 19
Заключение ............................................................................................................. 22
Список литературы ................................................................................................ 23
Техническое задание
1. Напряжение питания UПИТ = +9 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению КU = 10.
3. Входное сопротивление RВХ = 1,1 МОм.
4. Сопротивление нагрузки RН = 0,6 кОм.
5. Номинальное напряжение UНОМ = 1 В.
6. Нижняя рабочая частота FН = 15 Гц.
7. Верхняя рабочая частота FВ = 15 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте МН = 1 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте МВ = 1 дБ.
10. Тип входа – несимметричный
11. Тип выхода – симметричный
Техническое задание ................................................................................................3
Введение ...................................................................................................................4
1 Разработка структурной и принципиальной схем устройства............................5
2 Расчет элементов принципиальной схемы...........................................................8
2.1 Расчет выходного каскада VT2 ......................................................................8
2.2 Расчет каскада VT1 ....................................................................................... 11
3 Разработка интегральной микросхемы .............................................................. 14
3.1 Расчет амплитудно-частотной характеристики........................................... 14
3.2 Выбор пленочных элементов ....................................................................... 16
3.3 Выбор навесных элементов .......................................................................... 19
3.4 Составление топологии ................................................................................ 19
Заключение ............................................................................................................. 22
Список литературы ................................................................................................ 23
Техническое задание
1. Напряжение питания UПИТ = +9 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению КU = 10.
3. Входное сопротивление RВХ = 1,1 МОм.
4. Сопротивление нагрузки RН = 0,6 кОм.
5. Номинальное напряжение UНОМ = 1 В.
6. Нижняя рабочая частота FН = 15 Гц.
7. Верхняя рабочая частота FВ = 15 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте МН = 1 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте МВ = 1 дБ.
10. Тип входа – несимметричный
11. Тип выхода – симметричный
Дополнительная информация
Вариант:58
Проверил: Игнатов А.Н
- зачет
Проверил: Игнатов А.Н
- зачет
Похожие материалы
Курсовая работа. Разработка интегрального устройства
xtrail
: 17 марта 2013
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
xtrail
: 17 марта 2013
250 руб.
Курсовая работа. Разработка интегрального устройства. Вариант №1
ksemerius
: 29 июля 2017
UПИТ, 12В
Кu 8
RВХ, 2 МОм
RH,0.6 к0м
UНОМ, 2 В
FН,20 Гц
FВ, 15 кГц
МН 1 дБ
МВ 1 дБ
Тип входа несимметричный
Тип выхода симметричный
ksemerius
: 29 июля 2017
500 руб.
Курсовая работа Электроника РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО УСТРОЙСТВА Вариант 68
Lezvix
: 20 апреля 2021
Цель курсовой работы
Научиться:
- осуществлять правильный выбор типов и структур биполярных и полевых тран-зисторов;
- производить электрический расчет схем простейших устройств;
- приобрести навыки в составлении топологии интегральных микросхем.
Выбор варианта
Номер варианта определяется двумя последними цифрами пароля, либо номер варианта задает преподаватель. Варианты заданий приведены в приложении П.1.
Содержание курсовой работы
Техническое задание
Введение
1. Разработка структурной и принци
Lezvix
: 20 апреля 2021
200 руб.
Вариант №8. Курсовая работа. Разработка интегрального аналогового устройства
89293475284
: 6 сентября 2017
Рисунок 1– Классическая схема двухкаскадного усилителя
Исходные данные приведены в таблице 1 для варианта 08.
Таблица 1 – Исходные данные
№ вар. Uпит, В Кu RВХ, МОм RH, кОм UНОМ, В fн, Гц fв, кГц Мн, дБ Мв, дБ Тип входа Тип выхода
08 +9 10 1,1 0,6 1 15 15 1 1 Н Н
89293475284
: 6 сентября 2017
300 руб.
Курсовая работа "Разработка интегрального аналогового устройства". Вариант №6.
ДО Сибгути
: 6 марта 2016
Содержание курсовой работы:
Исходные данные: (см. скрин)
Рис.1 Усилитель с несимметричным входом и несимметричным выходом и БТ включенным по схеме с ОЭ
Структурная схема составляется на основе типовой схемы . В нашем случае техническому заданию соответствует двухкаскадная схема усилителя с использованием полевого и биполярного транзисторов. Во входном каскаде используется полевой транзистор VT1 c управляющим р-n переходом и каналом n –типа.
В выходном каскаде - биполярный транзистор VT2
ДО Сибгути
: 6 марта 2016
250 руб.
Курсовая работа. Разработка интегрального аналового устройства. Вариант №21
rambox360
: 25 января 2016
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
Разработать принципиальную схему и выполнить расчет двухкаскадной схемы усилителя с использованием полевого и биполярного транзисторов.
1. Напряжение источника питания .
2. Коэффициент усиления по напряжению .
3. Входное сопротивление .
4. Сопротивление нагрузки .
5. Номинальное выходное напряжение .
6. Нижняя рабочая частота .
7. Верхняя рабочая частота .
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте .
9. Коэффициент частотных искажений на верхней ра
rambox360
: 25 января 2016
100 руб.
Электроника. Курсовая работа. Разработка интегрального аналогового устройства. В-11.
naviS
: 7 ноября 2011
Введение.
Техническое задание
1. Разработка структурной схемы
2. Разработка принципиальной схемы
2.1 Расчет выходного каскада
2.2 Расчет усилителя мощности УМ
2.3 Расчет усилителя низкой частоты УНЧ
2.4 Расчет емкостей конденсаторов и построение АЧХ
2.5 Расчет коэффициента передачи входного устройства
3. Выполнение топологии ГИМС.
3.1 Конструктивный расчет тонкопленочных резисторов. .
3.2 Разработка топологии ГИМС
Список литературы.
naviS
: 7 ноября 2011
200 руб.
Электроника. Курсовая работа. "Разработка интегрального аналогового устройства". Вариант 5.
SibGUTI2
: 4 июня 2019
Электроника. Курсовая работа. "Разработка интегрального аналогового устройства". Вариант 5.
1. Методические указания по выполнению курсовой работы
Во введении указывается назначение и описываются возможности применения разрабатываемого устройства. Обосновывается необходимость реализации устройства в виде гибридной интегральной микросхемы.
Первый раздел посвящен разработке структурной схемы устройства.
Структурная схема составляется на основе типовой схемы приведенной, например, в [2]. В общем
SibGUTI2
: 4 июня 2019
350 руб.
Другие работы
Лабораторная работа №3 по дисциплине: Дискретная математика. Вариант №2 (2-й семестр)
Amor
: 3 июня 2014
Задание
Дано конечное множество A. Требуется сгенерировать все возможные перестановки его элементов в лексикографическом порядке. Требования к заданию множества – в нем не должно быть повторяющихся элементов, кроме того, удобнее использовать или только буквы, или только цифры.
Программа должна сначала упорядочить все элементы заданного множества по возрастанию (это первый – минимальный – набор), затем – посредством МИНИМАЛЬНО ВОЗМОЖНЫХ ПЕРЕСТАНОВОК! – сгенерировать последовательно возрастающие (
Amor
: 3 июня 2014
350 руб.
Междунар. стандарты финансовой отчетности КЕЙС СИБИТ
OLGA555
: 17 марта 2020
Интерактивная деятельность (анализ конкретных задач)
Интерактивная деятельность содержит несколько ситуаций, требующие
решения на основе использования знаний категорий этики.
При решении каждой ситуации обучающиеся должны:
1) проанализировать предложенную задачу, выделить важные
экономические и финансовые детали, влияющие на её решение, и дать
им оценку;
2) используя соответствующее экономические и финансовые понятия и
определения, выделить основы, направленные на решение задач;
3) сформулироват
OLGA555
: 17 марта 2020
150 руб.
Экзамеационный билет №6 по дисциплине "Физика". 1-й семестр
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 1 февраля 2014
1. Напряжённость магнитного поля для проводника с током конечной длины (с выводом).
2. Нормальное, тангенциальное и полное ускорение при криволинейном движении. Соотношения между этими величинами.
3. Два металлических шара радиусом 2 см и 6 см соединены проводом, ёмкостью которого можно пренебречь. Суммарный заряд обоих шаров равен 1 нКл. Чему равна поверхностная плотность заряда на каждом шаре?
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 1 февраля 2014
350 руб.
Эффективность инновационной деятельности
Qiwir
: 23 октября 2013
Инновационный менеджмент (НИОКР и внедрение их результатов в производство) является одной из основных сфер деятельности любой фирмы. Сфера НИОКР непосредственно связана с маркетингом фирмы, причем эта связь двухсторонняя. Подразделения НИОКР должны опираться в своей деятельности на маркетинговые исследования запросов и состояния рынка, и, следовательно, можно сказать, что они должны работать по заданию служб маркетинга. С другой стороны, отслеживание тенденций научно-технического процесса, прогн
Qiwir
: 23 октября 2013
10 руб.
