Курсовая работа Разработка интегрального устройства
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Курсовая
-
Добавлен:
30.11.2022
-
Размер:
416 KB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
Виктория30
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
2638B1FB-3F5B-401C-852B-46EED6EAFE9B.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Содержание
Техническое задание ................................................................................................3
Введение ...................................................................................................................4
1 Разработка структурной и принципиальной схем устройства............................5
2 Расчет элементов принципиальной схемы...........................................................8
2.1 Расчет выходного каскада VT2 ......................................................................8
2.2 Расчет каскада VT1 ....................................................................................... 11
3 Разработка интегральной микросхемы .............................................................. 14
3.1 Расчет амплитудно-частотной характеристики........................................... 14
3.2 Выбор пленочных элементов ....................................................................... 16
3.3 Выбор навесных элементов .......................................................................... 19
3.4 Составление топологии ................................................................................ 19
Заключение ............................................................................................................. 22
Список литературы ................................................................................................ 23
Техническое задание
1. Напряжение питания UПИТ = +9 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению КU = 10.
3. Входное сопротивление RВХ = 1,1 МОм.
4. Сопротивление нагрузки RН = 0,6 кОм.
5. Номинальное напряжение UНОМ = 1 В.
6. Нижняя рабочая частота FН = 15 Гц.
7. Верхняя рабочая частота FВ = 15 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте МН = 1 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте МВ = 1 дБ.
10. Тип входа – несимметричный
11. Тип выхода – симметричный
Техническое задание ................................................................................................3
Введение ...................................................................................................................4
1 Разработка структурной и принципиальной схем устройства............................5
2 Расчет элементов принципиальной схемы...........................................................8
2.1 Расчет выходного каскада VT2 ......................................................................8
2.2 Расчет каскада VT1 ....................................................................................... 11
3 Разработка интегральной микросхемы .............................................................. 14
3.1 Расчет амплитудно-частотной характеристики........................................... 14
3.2 Выбор пленочных элементов ....................................................................... 16
3.3 Выбор навесных элементов .......................................................................... 19
3.4 Составление топологии ................................................................................ 19
Заключение ............................................................................................................. 22
Список литературы ................................................................................................ 23
Техническое задание
1. Напряжение питания UПИТ = +9 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению КU = 10.
3. Входное сопротивление RВХ = 1,1 МОм.
4. Сопротивление нагрузки RН = 0,6 кОм.
5. Номинальное напряжение UНОМ = 1 В.
6. Нижняя рабочая частота FН = 15 Гц.
7. Верхняя рабочая частота FВ = 15 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте МН = 1 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте МВ = 1 дБ.
10. Тип входа – несимметричный
11. Тип выхода – симметричный
Дополнительная информация
Вариант:58
Проверил: Игнатов А.Н
- зачет
Проверил: Игнатов А.Н
- зачет
Похожие материалы
Курсовая работа. Разработка интегрального устройства
xtrail
: 17 марта 2013
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
xtrail
: 17 марта 2013
250 руб.
Курсовая работа. Разработка интегрального устройства. Вариант №1
ksemerius
: 29 июля 2017
UПИТ, 12В
Кu 8
RВХ, 2 МОм
RH,0.6 к0м
UНОМ, 2 В
FН,20 Гц
FВ, 15 кГц
МН 1 дБ
МВ 1 дБ
Тип входа несимметричный
Тип выхода симметричный
ksemerius
: 29 июля 2017
500 руб.
Курсовая работа Электроника РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО УСТРОЙСТВА Вариант 68
Lezvix
: 20 апреля 2021
Цель курсовой работы
Научиться:
- осуществлять правильный выбор типов и структур биполярных и полевых тран-зисторов;
- производить электрический расчет схем простейших устройств;
- приобрести навыки в составлении топологии интегральных микросхем.
Выбор варианта
Номер варианта определяется двумя последними цифрами пароля, либо номер варианта задает преподаватель. Варианты заданий приведены в приложении П.1.
Содержание курсовой работы
Техническое задание
Введение
1. Разработка структурной и принци
Lezvix
: 20 апреля 2021
200 руб.
Вариант №8. Курсовая работа. Разработка интегрального аналогового устройства
89293475284
: 6 сентября 2017
Рисунок 1– Классическая схема двухкаскадного усилителя
Исходные данные приведены в таблице 1 для варианта 08.
Таблица 1 – Исходные данные
№ вар. Uпит, В Кu RВХ, МОм RH, кОм UНОМ, В fн, Гц fв, кГц Мн, дБ Мв, дБ Тип входа Тип выхода
08 +9 10 1,1 0,6 1 15 15 1 1 Н Н
89293475284
: 6 сентября 2017
300 руб.
Курсовая работа "Разработка интегрального аналогового устройства". Вариант №6.
ДО Сибгути
: 6 марта 2016
Содержание курсовой работы:
Исходные данные: (см. скрин)
Рис.1 Усилитель с несимметричным входом и несимметричным выходом и БТ включенным по схеме с ОЭ
Структурная схема составляется на основе типовой схемы . В нашем случае техническому заданию соответствует двухкаскадная схема усилителя с использованием полевого и биполярного транзисторов. Во входном каскаде используется полевой транзистор VT1 c управляющим р-n переходом и каналом n –типа.
В выходном каскаде - биполярный транзистор VT2
ДО Сибгути
: 6 марта 2016
250 руб.
Курсовая работа. Разработка интегрального аналового устройства. Вариант №21
rambox360
: 25 января 2016
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
Разработать принципиальную схему и выполнить расчет двухкаскадной схемы усилителя с использованием полевого и биполярного транзисторов.
1. Напряжение источника питания .
2. Коэффициент усиления по напряжению .
3. Входное сопротивление .
4. Сопротивление нагрузки .
5. Номинальное выходное напряжение .
6. Нижняя рабочая частота .
7. Верхняя рабочая частота .
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте .
9. Коэффициент частотных искажений на верхней ра
rambox360
: 25 января 2016
100 руб.
Электроника. Курсовая работа. Разработка интегрального аналогового устройства. В-11.
naviS
: 7 ноября 2011
Введение.
Техническое задание
1. Разработка структурной схемы
2. Разработка принципиальной схемы
2.1 Расчет выходного каскада
2.2 Расчет усилителя мощности УМ
2.3 Расчет усилителя низкой частоты УНЧ
2.4 Расчет емкостей конденсаторов и построение АЧХ
2.5 Расчет коэффициента передачи входного устройства
3. Выполнение топологии ГИМС.
3.1 Конструктивный расчет тонкопленочных резисторов. .
3.2 Разработка топологии ГИМС
Список литературы.
naviS
: 7 ноября 2011
200 руб.
Электроника. Курсовая работа. "Разработка интегрального аналогового устройства". Вариант 5.
SibGUTI2
: 4 июня 2019
Электроника. Курсовая работа. "Разработка интегрального аналогового устройства". Вариант 5.
1. Методические указания по выполнению курсовой работы
Во введении указывается назначение и описываются возможности применения разрабатываемого устройства. Обосновывается необходимость реализации устройства в виде гибридной интегральной микросхемы.
Первый раздел посвящен разработке структурной схемы устройства.
Структурная схема составляется на основе типовой схемы приведенной, например, в [2]. В общем
SibGUTI2
: 4 июня 2019
350 руб.
Другие работы
Решение производственных ситуаций
Aronitue9
: 12 мая 2012
Основное направление кадровой политики ресторана.
Что входит в обязанности официанта.
Перечислить виды дневных дипломатических приемов и учесть их особенности.
Правила этикета при обслуживании: самоуверенных и общительных людей.
Смоделировать 3 ситуации с выявлением допущенной ошибки при обслуживании посетителей и предоставлением рекомендаций по ее предотвращению, либо выхода из конфликтной ситуации.
Aronitue9
: 12 мая 2012
20 руб.
Климатические воздействия и их характеристики. Радиационные воздействия их характеристика
ostah
: 13 ноября 2012
Климатические воздействия и их характеристики
Климатические воздействия при эксплуатации РЭСИ подразделяют на естественные и искусственные. Естественные климатические воздействия определяются погодными условиями, включающими температуру, влажность, ветер, атмосферное давление и др. Искусственные климатические воздействия создаются вследствие функционирования РЭСИ и расположенных рядом объектов.
Формирование естественных климатических воздействий
При составлении технических условий на РЭСИ, а т
ostah
: 13 ноября 2012
10 руб.
Основы телекоммуникаций, СИБГУТИ, Лабораторная работа №3 Принцип временной коммутации, Вариант №1
motilda
: 31 января 2025
Задание.
Во временном коммутаторе ВК 32ЦЛх32ЦЛ определить номера и
содержимое ячеек памяти ЗУИ и ЗУА при соединении NВИвх входящего
канала NВЦЛ цифровой линии с NВИисх исходящим каналом NИЦЛ цифровой
линии при передаче кодовой комбинации КК.
ЗУИ работает в режиме - запись последовательная; считывание по адресу.
№ варианта 1
NВИвх 2
NВИисх 31
NВЦЛ 1
NИЦЛ 30
КК 101
motilda
: 31 января 2025
300 руб.
Зачетная работа. Билет №6. Приборы СВЧ и ОД
SibGUTI2
: 2 апреля 2018
Вопросы к зачету
по курсу «ЭКП СВЧ и ОД» Билет №6
1 Назовите факторы, мешающие работе электронных приборов на СВЧ.
2 Как можно уменьшить вредное влияние индуктивностей выводов?
3 Дайте определение понятия угла пролета. Напишите формулу.
4 Какими способами можно получить модулированный по плотности электронный поток?
5 Какое управление и какая длительность взаимодействия электронного потока и
электромагнитного поля в отражательном клистроне?
6 Где, в каком месте ЛБВ типа О происходит
SibGUTI2
: 2 апреля 2018
150 руб.
