Лабораторная работа №1 по дисциплине: Электротехника и электроника. Вариант общий
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа №1
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.
5. Указания к составлению отчета
5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов.
5.2 Привести таблицы с результатами измерений.
5.3 Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов для прямого включения.
5.4 По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления при прямом токе 4 мА для каждого из диодов. Результаты занести в таблицу 1.4.
5.5 На графике №2 привести вольтамперную характеристику диода Д7Ж при обратном включении. По графику определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления диода при напряжении 3 В.
5.6 На графике №3 привести ВАХ стабилитрона IСТ=f(UСТ).
5.7 Привести осциллограммы, полученные при исследовании выпрямителя (сигнал на входе и на выходе). Осциллограммы располагать одна под другой без сдвига по времени.
5.8 Сделать выводы по проделанной работе.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.
5. Указания к составлению отчета
5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов.
5.2 Привести таблицы с результатами измерений.
5.3 Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов для прямого включения.
5.4 По характеристикам определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления при прямом токе 4 мА для каждого из диодов. Результаты занести в таблицу 1.4.
5.5 На графике №2 привести вольтамперную характеристику диода Д7Ж при обратном включении. По графику определить сопротивления постоянному току и дифференциальные сопротивления диода при напряжении 3 В.
5.6 На графике №3 привести ВАХ стабилитрона IСТ=f(UСТ).
5.7 Привести осциллограммы, полученные при исследовании выпрямителя (сигнал на входе и на выходе). Осциллограммы располагать одна под другой без сдвига по времени.
5.8 Сделать выводы по проделанной работе.
Дополнительная информация
Зачет без замечаний!
Год сдачи: 2022 г.
Преподаватель: Борисов А.В.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru
Год сдачи: 2022 г.
Преподаватель: Борисов А.В.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru
Похожие материалы
Лабораторная работа №3 по дисциплине: Электротехника и электроника. Вариант общий
Учеба "Под ключ"
: 2 декабря 2022
Лабораторная работа No3
«Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов»
1 . Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Подготовка к работе
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур.
2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
5. Указания к составлению отчета
Отчет должен содержать:
5.1 Схемы исс
400 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Электротехника и электроника. Вариант общий
Учеба "Под ключ"
: 2 декабря 2022
Лабораторная работа №2
«Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы (с точки зрения состояния переходов).
2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных струк
400 руб.
Электротехника и электроника
qwerty2013
: 6 марта 2022
Разработка устройства контроля температуры
Данная курсовая работа посвящена разработке устройства контроля температуры.
В состав курсовой работы входят расчётно-пояснительная записка и графическая часть. Пояснительная записка состоит из разделов, указанных в содержании. Графическая часть работы выполнена при помощи программ sPlan 7.0 (схема электрическая принципиальная, схема функциональная, перечень элементов) и Sprint-Layout 7.0 (печатная плата).
В данной работе разработано четырехканально
500 руб.
Электротехника и электроника.
maxgalll
: 6 января 2011
Зачётная работа Билет № 6
1. Импульсная характеристика цепи h(t). Ее применение.
2. Определить i2(0+), ток в момент коммутации.
Е=12 В,
R=10 Ом.
65 руб.
Электротехника и электроника
maxgalll
: 6 января 2011
Контрольная работа №3 Вариант 14
Задача 3.1.
Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа К, в результате чего в цепи возникает переходной процесс.
Задача 3.2.
Задача посвящена временному и частотному (спектральному) методам расчета реакции цепей на сигналы произвольной формы. В качестве такого сигнала используется импульс прямоугольной формы (видеоимпульс).
Электрич
100 руб.
Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Электротехника и электроника. Вариант №01
IT-STUDHELP
: 16 мая 2023
лабораторная работа №1
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и па
750 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)».
boeobq
: 21 ноября 2021
Тема работы: «Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
В отчете приведены краткие теоретические сведения, используемые в работе, сопровождаемые поясняющими рисунками и схемами. (смотри мини скриншоты), приведены требуемые вольт-амперные характеристики, сделаны выводы.
Объем отчета составляет 2
55 руб.
Контрольная и Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Электротехника и электроника. Вариант №01
IT-STUDHELP
: 16 мая 2023
Вариант No01
Задача 1
Задача посвящена знакомству с методами расчета сложных резистивных цепей.
На рис. 1 приведены схемы резистивных цепей в режиме постоянного тока. Номер схемы и параметры элементов схемы определяются в соответствии с вариантом по таблицам 1 и 2 соответственно.
Выполните следующее:
1. Перерисуйте схему своего варианта. Выпишите значения элементов схемы. Во всех вариантах внутреннее сопротивление источника тока равно 100 кОм.
2. Составьте систему уравнений электрического рав
1000 руб.
Другие работы
Гидравлика Задача 1.9
Z24
: 1 декабря 2025
Определить повышение давления, при котором начальный объем воды уменьшится на 3%. Коэффициент объемного сжатия βр=4,75·10-10 1/Па.
120 руб.
Экологические проблемы в карстовых районах
alfFRED
: 2 сентября 2013
Природное выщелачивание урана с накоплением на геохимических барьерах достаточно широко известно [1], чтобы предположить, что после выхода карстовых подземных водотоков, на геохимических барьерах следует ожидать урановую, радоновую и тритиевую аномалии. На Кавказе такими примерами являются два подобных района: в местах выхода (в реки) карстовых подземных водотоков из хребтов Алек (у поселка Ажек) и Арабика (у поселков Дзыхра - Менделеево). Цели данной работы - это выявление (прогноз, поиск и раз
10 руб.
Дільниця функціонального покриття індієм
alfFRED
: 28 сентября 2013
ЗМІСТ
Вступ
1. Особливості виробництва індію
2. Розробка технологічного процесу нанесення покриття
2.1 Характеристика деталей, вибір виду і товщини покриття
2.2 Вибір та обґрунтування підготовчих операцій
2.3 Вибір і обґрунтування робочого електроліту для одержання покриття
2.4 Вибір і обґрунтування завершальних операцій. Після промивки в холодній та теплій воді деталі сушать при температурі 40-50 0С повітрям
2.6 Карта технологічного процесу
2.7 Контроль якості та товщини покриття
3. Розра
10 руб.
Мультисервисные сети связи/ Контрольная работа/ Вариант №2/ 2020 г.
artinjeti
: 17 ноября 2019
Задание № 1
Сравнение технологий коммутации каналов и коммутации пакетов
Задание № 2
1. Отобразить на рисунке те элементы сети (рис.2.1), которые включены в Ваш маршрут, согласно Вашему варианту из табл.2.2
2. Отобразить на этом же рисунке профили протоколов (плоскость C или U) для всех элементов сети, входящих в Ваш маршрут, согласно Вашему варианту из табл.2.2
n/n Маршрут, по которому надо отобразить профили протоколов Плоскость
Вариант №2 - ТА4(ISDN)-AGW-ядро сети IP/MPLS-TGW-АТС3-ТА2 (I
180 руб.