Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №16
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа No1
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО ЦИФРОВОГО УСТРОЙСТВА
по дисциплине
«Элементная база телекоммуникационных систем»
Цель работы
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС).
Задание
2.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упрощение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации.
2.2. Составить формальную электрическую схему устройства и привести
список необходимых базовых элементов. Количество типов ЦИМС и корпусов
ИМС должно быть по возможности минимальным.
2.3. На основе анализа данных задания обосновать выбор типа логики
(ТТЛ, ТТЛШ, КМДП) и подходящих по параметрам серий. При выборе ИМС возможно использование ИМС с различным типом логики (например, ТТЛ и ТТЛШ, ТТЛШ и КМДП и т.д.) при условии их совместимости по параметрам, совместимости по питанию (все ИМС должны питаться от одного источника).
2.4. Выводы о результатах выполненной работы (в частности, можно указать и другие варианты реализации устройства).
Разработка цифрового устройства
Преобразование уравнения
Задано исходное уравнение
Y2=X1⋅X2⋅X3+X4⋅X5⋅X6.
==========================================
Лабораторная работа No2
Изучение интегральных операционных усилителей
по дисциплине
«Элементная база телекоммуникационных систем»
1 Цель работы
Изучить типы, характеристики и параметры интегральных операционных усилителей (ИОУ).
2 Задание
2.1 Привести схему устройства на ИОУ, предусмотренную
индивидуальным заданием.
3.2 Пояснить назначение устройства, привести виды амплитудный и
амплитудно-частотной характеристик.
3.3 Оформить отчет о проделанной работе, отчет должен содержать:
схему устройства;
виды характеристик (амплитудной и АЧХ);
список использованных источников информации.
3 Выполнение работы
В соответствии с вариантом, требуется изучить неинвертирующий усилитель.
Схема неинвертирующего усилителя приведена на рисунке 3.1.
===========================================
===========================================
===========================================
Контрольная работа
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
по дисциплине
«Элементная база телекоммуникационных систем»
Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3 Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4 Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5 Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
Исходные данные
Наноэлектронное изделие представляет собой интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), приведенную в таблице 2.1.
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, приведены в таблицах 2.2-2.5.
Таблица 2.1 – Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля Тип наноизделия Тип транзистора Тип ЭВП Тип БИС
16 Dual-Core Intel Xeon 5060 КТ371А 6Э12Н ATF1508ASV
Таблица 2.2 – Параметры ЭВП
No Тип Iнак, мА Uнак, В Iанод, мА Uанод, В Nвывод Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
7 6Э12Н 140 6,3 10 125 12 11 20,8 5 120
Таблица 2.3 – Параметры транзисторов
No Наименование Iпотр, мА Uпит, В Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
7 КТ371А 30 5 5,3 2,7 0,3 12,63
Таблица 2.4 – Параметры БИС
No Наименование Iпот, мА Nэлем Uпит, В Nвывод Площадь S, м^2∙10^(-6) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
15 ATF1508ASV 135 12000 3,3 160 256 1,05 15 364,26
Таблица 2.5 – Параметры наноизделий
No Наименование процессора Количество элементов, млн Количество выводов Потребляемая мощность, Вт Тактовая частота, ГГц Площадь S, кв. мм Напряжение питания, В Высота h, мм Технология, нм Цена, руб.
Min Max Min Max
10 Dual-Core Intel Xeon 5060 321 771 65 95 3,20 80 1,2 1,4 2,6 65 13444
Таблица 2.6 – Интенсивность отказов дискретных элементов
Название радиоэлемента Интенсивность отказов, 10^(-6), 1/час
Транзисторы 0,01
Паяное соединение 0,0003
БИС 0,02
Наноиздение 0,03
ЭВП 0,25
Механическое соединение 0,01
==============================================
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО ЦИФРОВОГО УСТРОЙСТВА
по дисциплине
«Элементная база телекоммуникационных систем»
Цель работы
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС).
Задание
2.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упрощение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации.
2.2. Составить формальную электрическую схему устройства и привести
список необходимых базовых элементов. Количество типов ЦИМС и корпусов
ИМС должно быть по возможности минимальным.
2.3. На основе анализа данных задания обосновать выбор типа логики
(ТТЛ, ТТЛШ, КМДП) и подходящих по параметрам серий. При выборе ИМС возможно использование ИМС с различным типом логики (например, ТТЛ и ТТЛШ, ТТЛШ и КМДП и т.д.) при условии их совместимости по параметрам, совместимости по питанию (все ИМС должны питаться от одного источника).
2.4. Выводы о результатах выполненной работы (в частности, можно указать и другие варианты реализации устройства).
Разработка цифрового устройства
Преобразование уравнения
Задано исходное уравнение
Y2=X1⋅X2⋅X3+X4⋅X5⋅X6.
==========================================
Лабораторная работа No2
Изучение интегральных операционных усилителей
по дисциплине
«Элементная база телекоммуникационных систем»
1 Цель работы
Изучить типы, характеристики и параметры интегральных операционных усилителей (ИОУ).
2 Задание
2.1 Привести схему устройства на ИОУ, предусмотренную
индивидуальным заданием.
3.2 Пояснить назначение устройства, привести виды амплитудный и
амплитудно-частотной характеристик.
3.3 Оформить отчет о проделанной работе, отчет должен содержать:
схему устройства;
виды характеристик (амплитудной и АЧХ);
список использованных источников информации.
3 Выполнение работы
В соответствии с вариантом, требуется изучить неинвертирующий усилитель.
Схема неинвертирующего усилителя приведена на рисунке 3.1.
===========================================
===========================================
===========================================
Контрольная работа
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
по дисциплине
«Элементная база телекоммуникационных систем»
Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3 Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4 Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5 Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
Исходные данные
Наноэлектронное изделие представляет собой интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), приведенную в таблице 2.1.
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, приведены в таблицах 2.2-2.5.
Таблица 2.1 – Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля Тип наноизделия Тип транзистора Тип ЭВП Тип БИС
16 Dual-Core Intel Xeon 5060 КТ371А 6Э12Н ATF1508ASV
Таблица 2.2 – Параметры ЭВП
No Тип Iнак, мА Uнак, В Iанод, мА Uанод, В Nвывод Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
7 6Э12Н 140 6,3 10 125 12 11 20,8 5 120
Таблица 2.3 – Параметры транзисторов
No Наименование Iпотр, мА Uпит, В Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
7 КТ371А 30 5 5,3 2,7 0,3 12,63
Таблица 2.4 – Параметры БИС
No Наименование Iпот, мА Nэлем Uпит, В Nвывод Площадь S, м^2∙10^(-6) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
15 ATF1508ASV 135 12000 3,3 160 256 1,05 15 364,26
Таблица 2.5 – Параметры наноизделий
No Наименование процессора Количество элементов, млн Количество выводов Потребляемая мощность, Вт Тактовая частота, ГГц Площадь S, кв. мм Напряжение питания, В Высота h, мм Технология, нм Цена, руб.
Min Max Min Max
10 Dual-Core Intel Xeon 5060 321 771 65 95 3,20 80 1,2 1,4 2,6 65 13444
Таблица 2.6 – Интенсивность отказов дискретных элементов
Название радиоэлемента Интенсивность отказов, 10^(-6), 1/час
Транзисторы 0,01
Паяное соединение 0,0003
БИС 0,02
Наноиздение 0,03
ЭВП 0,25
Механическое соединение 0,01
==============================================
Дополнительная информация
Проверил(а): Елистратова Ирина Борисовна
Оценка: Отлично
Дата оценки: 03.12.2022г.
Помогу с вашим вариантом, другой дисциплиной, онлайн-тестом, либо сессией под ключ.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Оценка: Отлично
Дата оценки: 03.12.2022г.
Помогу с вашим вариантом, другой дисциплиной, онлайн-тестом, либо сессией под ключ.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Похожие материалы
Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №4
Сергей449
: 8 июня 2025
Лабораторная работа No1
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО ЦИФРОВОГО УСТРОЙСТВА
по дисциплине
«Элементная база телекоммуникационных систем»
1 Цель работы
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС).
2 Задание
2.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упрощение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации.
2.2. Составить формальную электрическ
350 руб.
Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №03
IT-STUDHELP
: 10 ноября 2023
Контрольная работа
Вариант No03
Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3 Оп
1300 руб.
Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №06
IT-STUDHELP
: 10 ноября 2023
Контрольная работа
Вариант №06
ТЕМА: АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Цель работы: оценить технико-экономическую эффективность внедрения изделий наноэлектроники
Исходные данные
Цифра пароля Тип наноизделия Тип транзистора Тип ЭВП Тип БИС
1. AMD Sempron M 3000+ КТ368Б 6С65Н ATF2500C
1. Определение выигрыша во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, тр
1300 руб.
Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систе. Вариант №02
IT-STUDHELP
: 9 мая 2023
Лабораторная работа 1
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО ЦИФРОВОГО УСТРОЙСТВА
Разработка интегрального цифрового устройства
ЦЕЛЬ РАБОТЫ:
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС).
ЗАДАНИЕ
1.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упро-щение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации.
1.2. Составить формальную электрическую схему устройст
1200 руб.
Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систе. Вариант №33
IT-STUDHELP
: 9 мая 2023
Лабораторная работа 1
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО ЦИФРОВОГО УСТРОЙСТВА
Цель работы
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС).
Задание
2.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упрощение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации.
2.2. Составить формальную электрическую схему устройства и привести
список необходимых базовых элементов.
1200 руб.
Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систе. Вариант №8
IT-STUDHELP
: 9 мая 2023
Лабораторная работа 1
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО ЦИФРОВОГО УСТРОЙСТВА
ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС).
ЗАДАНИЕ
1.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упро-щение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации.
1.2. Составить формальную электрическую схему устройства и привести список необходимых базовых элементов.
1200 руб.
Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систе. Вариант №28
IT-STUDHELP
: 9 мая 2023
Лабораторная работа 1
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО ЦИФРОВОГО УСТРОЙСТВА
Разработка интегрального цифрового устройства
ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС). Варианты приведены в приложении А.
ЗАДАНИЕ
1.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упрощение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации.
1.2. Составить формал
1200 руб.
Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систе. Вариант №13
IT-STUDHELP
: 9 мая 2023
Лабораторная работа 1
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО ЦИФРОВОГО УСТРОЙСТВА
Цель работы
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС).
Задание
2.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упрощение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации.
2.2. Составить формальную электрическую схему устройства и привести
список необходимых базовых элементов.
1200 руб.
Другие работы
Проект миницеха по выпеканию хлеба в условиях СООО "Полесская Нива" с усовершенствованием конструкции тестоделительной машины Б8-2М
Shloma
: 4 июня 2021
РЕФЕРАТ
Дипломный проект на тему: "Проект миницеха по выпеканию хлеба в условиях СООО "Полесская Нива" с усовершенствованием конструкции тестоделительной машины Б8-2М"
Проект содержит пояснительную записку на 84 листах и графическую часть на 6-ти форматах А1.
В первом разделе проведен анализ хозяйствования в СООО "Полесская Нива" и установлена возможность организации производства хлеба.
Во втором разделе проведены расчеты рецептур производства хлеба, подобрано оборудование и выполнена п
1590 руб.
Расчет элементов автомобильных гидросистем МАМИ Задача 6.7 Вариант Е
Z24
: 21 декабря 2025
От насоса 1 жидкость поступает по трубопроводу к точке М, в которой поток разделяется на два. Один из них направляется в гидроцилиндр 3 и затем сливается в бак, а второй проходит через охладитель (радиатор) 2 и также сливается в бак. Определить давление, создаваемое насосом, скорость движения Vп поршня гидроцилиндра и полезную мощность, развиваемую гидроприводом, если известна внешняя нагрузка на штоке гидроцилиндра F, диаметр его поршня D, штока dш и подача насоса Q. При решении учесть потери в
180 руб.
Социальная дифференциация общества
evelin
: 6 февраля 2014
В основании теорий социальной стратификации и социальной мобильности лежат понятия социальной дифференциации и социального неравенства. Иногда эти понятия отождествляются, однако надо отметить, что понятие «социальная дифференциация» более широкое по объему и включает любые социальные различия, в том числе не связанные с неравенством. Например, одни люди являются футбольными болельщиками, а другие не являются. Это занятие выступает дифференцирующим качеством, но не будет признаком социального не
5 руб.
Насос самовсасывающий вихревой СВН-80А-Чертеж-Оборудование транспорта и хранения нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
leha.nakonechnyy.2016@mail.ru
: 29 января 2018
Насос самовсасывающий вихревой СВН-80А-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование транспорта нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
483 руб.