Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Лабораторная работа 1. Вариант 16.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Лабораторная 1.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Лабораторная работа 1

1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.


Варианты заданий для нечетной предпоследней цифры пароля.

Таблица П.1.
6

D14A

D226D

KT315V

KP303D

Дополнительная информация

ноябрь 2022, зачтено
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Лабораторные работы 1-3. Вариант 16.
Лабораторная работа 1 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Лабораторная работа 2 1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Лабораторная работа 3 1 . Цель работы Изучить принцип действия, характерис
User nik200511 : 28 февраля 2023
506 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Лабораторная работа №1
2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов. 2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов. 2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Приме
User svladislav987 : 9 ноября 2021
200 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)».
Тема работы: «Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов» Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. В отчете приведены краткие теоретические сведения, используемые в работе, сопровождаемые поясняющими рисунками и схемами. (смотри мини скриншоты), приведены требуемые вольт-амперные характеристики, сделаны выводы. Объем отчета составляет 2
User boeobq : 21 ноября 2021
55 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)».
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Контрольная работа. Вариант 16.
Задача 1 По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры , , полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные представлены в таблице 1. Таблица 1 № варианта Тип ПТ 16 КП 303Д 14 -8 Задача 2 Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-парам
User nik200511 : 28 февраля 2023
160 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Контрольная работа. Вариант 16.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). ВАРИАНТ №16. Контрольная работа.
Задача №1 По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Дано: Транзистор: КП 303Д , UСИ0=14 В, UЗИ0= -8 В. Задача №2 Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы. Дано: Транзистор: КТ815
User OneOne : 10 ноября 2019
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Лабораторная работа №1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)
Лабораторная работа 1 Тема работы Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов ============================== Лабораторная работа 2 Тема работы Исследование статических характеристик биполярного транзистора ============================== Лабораторная работа 3 Тема работы Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
User Леший : 18 января 2021
50 руб.
Исследование электромагнитных полей элементарных излучателей
Отчет по лабораторной работе No 2 ЦЕЛЬ РАБОТЫ: Исследование диаграммы направленности элементарных электрического и магнитного излучателей. ЗАДАНИЕ ДЛЯ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО РАСЧЕТА. 1. Элементарный электрический излучатель возбуждён током, амплитуда которого I, [А], а частота f, [МГц]. Определить амплитуды напряженностей электрического и магнитного полей в точке, расположенной на расстоянии r, [км] от него, под углами q 1, q 2, q 3, q 4. 2. Используя принцип перестановочной двойственности, определи
User reanimator00 : 16 февраля 2011
65 руб.
Электровинтовой насос ЭВН-Дипломная работа-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа
Аннотация В дипломном проекте рассмотрены геологические условия Абино-Украинского месторождения, для данных условий выбран способ добычи нефти при помощи установки погружного электро-винтового насоса. Мною было составлено техническое задание на винтовой насос. Так же мною была разработана конструкция преобразователя обеспечивающего встречное вращение винтов, описано его назначение, устройство и принцип работы. Произведены расчеты на прочность основных и наиболее нагруженных элементов преобразо
3485 руб.
Электровинтовой насос ЭВН-Дипломная работа-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа
Пресс для клёпки тормозных накладок грузовых автомобилей (конструкторская часть дипломного проекта + чертеж)
Оглавление КОНСТРУКТОРСКАЯ ЧАСТЬ 1.1. Устройство тормозного механизма на примере автомобиля МАЗ 1.2. Определение усилий в тормозном механизме 1.3. Прочностной расчет заклёпочного соединения 1.3.1. Выбор материала заклёпки 1.3.2. Расчет заклепки на срез
User AgroDiplom : 2 сентября 2019
999 руб.
Пресс для клёпки тормозных накладок грузовых автомобилей (конструкторская часть дипломного проекта + чертеж) promo
Контрольная работа по дисциплине: Инженерная и компьютерная графика. Вариант №8
Лист 1 – Диаграммы функциональных зависимостей Тема: Диаграммы функциональных зависимостей Содержание: В соответствии с вариантом начертить диаграмму и нанести соответствующие надписи. Вариант 8 Построить диаграмму зависимости тока коллектора Iк от тока базы Iб для биполярного транзистора 2Т911А при фиксированных значениях Uкэ.Iк = f (Iб); Uкэ =const. Iб, мкА 600 900 1200 1500 Iк, мкА Uкэ = 13 В 9,67 14,86 20,27 25,92 Uкэ = 29 В 10,15 15,58 21,23 27,12 Лист 2 – Плоские сечени
User Roma967 : 26 декабря 2023
1300 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Инженерная и компьютерная графика. Вариант №8 promo
up Наверх