Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Лабораторная работа 1. Вариант 16.
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа 1
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Варианты заданий для нечетной предпоследней цифры пароля.
Таблица П.1.
6
D14A
D226D
KT315V
KP303D
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Варианты заданий для нечетной предпоследней цифры пароля.
Таблица П.1.
6
D14A
D226D
KT315V
KP303D
Дополнительная информация
ноябрь 2022, зачтено
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Лабораторные работы 1-3. Вариант 16.
nik200511
: 28 февраля 2023
Лабораторная работа 1
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Лабораторная работа 2
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
Лабораторная работа 3
1 . Цель работы
Изучить принцип действия, характерис
506 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Лабораторная работа №1
svladislav987
: 9 ноября 2021
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Приме
200 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)».
boeobq
: 21 ноября 2021
Тема работы: «Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
В отчете приведены краткие теоретические сведения, используемые в работе, сопровождаемые поясняющими рисунками и схемами. (смотри мини скриншоты), приведены требуемые вольт-амперные характеристики, сделаны выводы.
Объем отчета составляет 2
55 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Контрольная работа. Вариант 16.
nik200511
: 28 февраля 2023
Задача 1
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры , , полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные представлены в таблице 1.
Таблица 1
№ варианта Тип ПТ
16 КП 303Д 14 -8
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-парам
160 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). ВАРИАНТ №16. Контрольная работа.
OneOne
: 10 ноября 2019
Задача №1
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Дано:
Транзистор: КП 303Д , UСИ0=14 В, UЗИ0= -8 В.
Задача №2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Дано:
Транзистор: КТ815
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
350 руб.
Лабораторная работа №1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)
Леший
: 18 января 2021
Лабораторная работа 1
Тема работы
Исследование статических характеристик
полупроводниковых диодов
==============================
Лабораторная работа 2
Тема работы
Исследование статических характеристик
биполярного транзистора
==============================
Лабораторная работа 3
Тема работы
Исследование статических характеристик
и параметров полевых транзисторов
50 руб.
Другие работы
Исследование электромагнитных полей элементарных излучателей
reanimator00
: 16 февраля 2011
Отчет по лабораторной работе No 2
ЦЕЛЬ РАБОТЫ: Исследование диаграммы направленности элементарных электрического и магнитного излучателей.
ЗАДАНИЕ ДЛЯ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО РАСЧЕТА.
1. Элементарный электрический излучатель возбуждён током, амплитуда которого I, [А], а частота f, [МГц]. Определить амплитуды напряженностей электрического и магнитного полей в точке, расположенной на расстоянии r, [км] от него, под углами q 1, q 2, q 3, q 4.
2. Используя принцип перестановочной двойственности, определи
65 руб.
Электровинтовой насос ЭВН-Дипломная работа-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 29 февраля 2016
Аннотация
В дипломном проекте рассмотрены геологические условия Абино-Украинского месторождения, для данных условий выбран способ добычи нефти при помощи установки погружного электро-винтового насоса. Мною было составлено техническое задание на винтовой насос. Так же мною была разработана конструкция преобразователя обеспечивающего встречное вращение винтов, описано его назначение, устройство и принцип работы. Произведены расчеты на прочность основных и наиболее нагруженных элементов преобразо
3485 руб.
Пресс для клёпки тормозных накладок грузовых автомобилей (конструкторская часть дипломного проекта + чертеж)
AgroDiplom
: 2 сентября 2019
Оглавление
КОНСТРУКТОРСКАЯ ЧАСТЬ
1.1. Устройство тормозного механизма на примере автомобиля МАЗ
1.2. Определение усилий в тормозном механизме
1.3. Прочностной расчет заклёпочного соединения
1.3.1. Выбор материала заклёпки
1.3.2. Расчет заклепки на срез
999 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Инженерная и компьютерная графика. Вариант №8
Roma967
: 26 декабря 2023
Лист 1 – Диаграммы функциональных зависимостей
Тема: Диаграммы функциональных зависимостей
Содержание: В соответствии с вариантом начертить диаграмму и нанести соответствующие надписи.
Вариант 8
Построить диаграмму зависимости тока коллектора Iк от тока базы Iб
для биполярного транзистора 2Т911А при фиксированных значениях Uкэ.Iк = f (Iб); Uкэ =const.
Iб, мкА 600 900 1200 1500
Iк, мкА Uкэ = 13 В 9,67 14,86 20,27 25,92
Uкэ = 29 В 10,15 15,58 21,23 27,12
Лист 2 – Плоские сечени
1300 руб.