Зачетная работа по дисциплине "Элементная база телекоммуникационных систем".
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Элементная база телекоммуникационных систем, Работа Зачетная
-
Добавлен:
28.03.2023
-
Размер:
435 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
Grechikhin
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
1.JPG
|
|
10.JPG
|
|
11.JPG
|
|
12.JPG
|
|
13.JPG
|
|
14.JPG
|
|
15.JPG
|
|
16.JPG
|
|
17.JPG
|
|
18.JPG
|
|
19.JPG
|
|
2.JPG
|
|
20.JPG
|
|
3.JPG
|
|
4.JPG
|
|
5.JPG
|
|
6.JPG
|
|
7.JPG
|
|
8.JPG
|
|
9.JPG
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Программа для просмотра изображений
Описание
1. Преимущество ЛФД перед Р-I-n фотодиодом заключается в…
2. Какое требование предъявляется к ширине базы биполярного транзистора…
3. Излучение, которое излучает полупроводниковый лазер, относится…
4. Как можно объяснить принцип работы биполярного транзистора, если физически он состоит из двух противоположно направленных диодов (р-n-переходов)…
5. Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда и к эмиттерному, и к коллекторному переходам приложено прямое напряжение…
6. Какая из схем включения биполярного транзистора уступает двум другим по всем остальным параметрам и в настоящее время почти не применяется…
7. Электронные устройства, преобразующие постоянное напряжение в переменное напряжение, называются…
8. В режиме насыщения у транзисторного ключа напряжение между коллектором и эмиттером…
9. Спектральная характеристика СИД - это зависимость…
10. Что представляют собой коэффициенты передачи эмиттерного и базового токов биполярного транзистора…
11. Область рабочих параметров полевого транзистора, в которой канал существует от истока до стока называется…
12. Какие элементы должны содержаться в цепи для отсутствия переходных процессов…
13. Лавинный фотодиод по своей структуре отличается от Р-I-n фотодиода наличием…
14. В р- слое светодиода носителями являются…
15. На какие основные классы делятся транзисторы…
16. В чем заключается подобие идеализированных источников напряжения и тока…
17. К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: имеет усиление по току, не дает усиления по напряжению, огромное входное сопротивление…
18. Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда к эмиттерному переходу приложено обратное напряжение, а к коллекторному – прямое…
19. Излучение СИД является…
20. Конденсатор не проводит…
2. Какое требование предъявляется к ширине базы биполярного транзистора…
3. Излучение, которое излучает полупроводниковый лазер, относится…
4. Как можно объяснить принцип работы биполярного транзистора, если физически он состоит из двух противоположно направленных диодов (р-n-переходов)…
5. Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда и к эмиттерному, и к коллекторному переходам приложено прямое напряжение…
6. Какая из схем включения биполярного транзистора уступает двум другим по всем остальным параметрам и в настоящее время почти не применяется…
7. Электронные устройства, преобразующие постоянное напряжение в переменное напряжение, называются…
8. В режиме насыщения у транзисторного ключа напряжение между коллектором и эмиттером…
9. Спектральная характеристика СИД - это зависимость…
10. Что представляют собой коэффициенты передачи эмиттерного и базового токов биполярного транзистора…
11. Область рабочих параметров полевого транзистора, в которой канал существует от истока до стока называется…
12. Какие элементы должны содержаться в цепи для отсутствия переходных процессов…
13. Лавинный фотодиод по своей структуре отличается от Р-I-n фотодиода наличием…
14. В р- слое светодиода носителями являются…
15. На какие основные классы делятся транзисторы…
16. В чем заключается подобие идеализированных источников напряжения и тока…
17. К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: имеет усиление по току, не дает усиления по напряжению, огромное входное сопротивление…
18. Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда к эмиттерному переходу приложено обратное напряжение, а к коллекторному – прямое…
19. Излучение СИД является…
20. Конденсатор не проводит…
Дополнительная информация
Год сдачи - 2023;
полное название учебного заведения - Федеральное государственное образованное бюджетное учреждение
высшего профессионального образования
«Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики»
(ФГОБУ ВПО «СибГУТИ»);
преподаватель принявший работу - профессор Игнатов А.Н.
оценка - зачет
полное название учебного заведения - Федеральное государственное образованное бюджетное учреждение
высшего профессионального образования
«Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики»
(ФГОБУ ВПО «СибГУТИ»);
преподаватель принявший работу - профессор Игнатов А.Н.
оценка - зачет
Похожие материалы
Зачетная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Билет №03
hellofromalexey
: 25 апреля 2020
Билет 3
1. В чем заключается отличие физических процессов в биполярных и полевых транзисторах?
1) В биполярных транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков, а в полевых - переносом носителей заряда одного знака
2) И в биполярных, и в полевых транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков, только в биполярных учитывается перенос в обе стороны, а в полевых - только в одну сторону
3) И в биполярных, и в полевых транзистор
hellofromalexey
: 25 апреля 2020
300 руб.
Другие работы
Чинники, що впливають на ситуацію етичного вибору школярів середньої ланки
Qiwir
: 14 октября 2013
Зміст
Вступ
1. Загальна психологічна характеристика підліткового віку
1.1 Особливості новотвору підліткового віку
1.2 Особливості емоційної, мотиваційної та вольової сфер
2. Моральна самосвідомість особистості
2.1 Моральне самопізнання особистості, його умови та способи здійснення
2.2 Ціннісні орієнтації особистості
2.3 Моральний вибір особистості
Вступ
Зміни, які відбуваються нині в політичному, економічному житті українського народу, потребують проведення реформ у формуванні духовнос
Qiwir
: 14 октября 2013
Лабораторные работы "Статистические методы исследования в агроинженерии" 12 вариант
spone
: 5 июля 2019
РАСЧЕТНАЯ РАБОТА № 1
ПОСТРОЕНИЕ ГИСТОГРАММЫ И ПОЛИГОНА
ЭМПИРИЧЕСКОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ
РАСЧЕТНАЯ РАБОТА № 2
ПРОВЕРКА ОСНОВНОЙ ГИПОТЕЗЫ
ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ
РАСЧЕТНАЯ РАБОТА № 3
ТОЧЕЧНАЯ И ИНТЕРВАЛЬНАЯ ОЦЕНКА. СРАВНЕНИЕ ДВУХ ВЫБОРОК
РАСЧЕТНАЯ РАБОТА № 4
ОДНОФАКТОРНЫЙ ДИСПЕРСИОННЫЙ АНАЛИЗ
ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ
РАСЧЕТНАЯ РАБОТА № 5.1
ДВУХФАКТОРНЫЙ ДИСПЕРСИОННЫЙ АНАЛИЗ
РАСЧЕТНАЯ РАБОТА № 5
ТРЕХФАКТОРНЫЙ ДИСПЕРСИОННЫЙ АНАЛИЗ
РАСЧЕТНАЯ РАБОТА № 6
КОРРЕЛЯЦИОННЫЙ И РЕГРЕССИОННЫЙ АНАЛИЗ
ЛИНЕЙНАЯ (ПРЯМОЛИНЕЙНАЯ) КОРРЕЛЯ
spone
: 5 июля 2019
200 руб.
Структуры и алгоритмы обработки данных (часть 1). Лабораторные работы №№1-5. Контрольная работа. Зачетная работа Общий вариант.
Bodibilder
: 9 мая 2019
Лабораторная работа 1.
Методы сортировки массивов с квадратичной трудоемкостью.
Цель работы: Освоить методы сортировки массивов с квадратичной трудоемкостью.
Порядок выполнения работы:
Разработать подпрограммы сортировки массива целых чисел методами прямого выбора, методом пузырьковой сортировки и методом шейкерной сортировки.
Правильность сортировки проверить путем подсчета контрольной суммы и числа серий в массиве (оформить в виде подпрограммы).
Серией называется неубывающая последовательность
Bodibilder
: 9 мая 2019
115 руб.
Изучение характеристик электростатического поля. ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 1
ViktorLV
: 1 декабря 2016
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 1
по дисциплине «Физика»
Изучение характеристик электростатического поля.
Исследовать электростатическое поле, графически изобразить сечение эквипотенциальных поверхностей и силовые линии для некоторых конфигураций поля.
ViktorLV
: 1 декабря 2016
100 руб.
