Зачетная работа по дисциплине "Элементная база телекоммуникационных систем".
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Элементная база телекоммуникационных систем, Работа Зачетная
-
Добавлен:
28.03.2023
-
Размер:
435 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
Grechikhin
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
1.JPG
|
|
10.JPG
|
|
11.JPG
|
|
12.JPG
|
|
13.JPG
|
|
14.JPG
|
|
15.JPG
|
|
16.JPG
|
|
17.JPG
|
|
18.JPG
|
|
19.JPG
|
|
2.JPG
|
|
20.JPG
|
|
3.JPG
|
|
4.JPG
|
|
5.JPG
|
|
6.JPG
|
|
7.JPG
|
|
8.JPG
|
|
9.JPG
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Программа для просмотра изображений
Описание
1. Преимущество ЛФД перед Р-I-n фотодиодом заключается в…
2. Какое требование предъявляется к ширине базы биполярного транзистора…
3. Излучение, которое излучает полупроводниковый лазер, относится…
4. Как можно объяснить принцип работы биполярного транзистора, если физически он состоит из двух противоположно направленных диодов (р-n-переходов)…
5. Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда и к эмиттерному, и к коллекторному переходам приложено прямое напряжение…
6. Какая из схем включения биполярного транзистора уступает двум другим по всем остальным параметрам и в настоящее время почти не применяется…
7. Электронные устройства, преобразующие постоянное напряжение в переменное напряжение, называются…
8. В режиме насыщения у транзисторного ключа напряжение между коллектором и эмиттером…
9. Спектральная характеристика СИД - это зависимость…
10. Что представляют собой коэффициенты передачи эмиттерного и базового токов биполярного транзистора…
11. Область рабочих параметров полевого транзистора, в которой канал существует от истока до стока называется…
12. Какие элементы должны содержаться в цепи для отсутствия переходных процессов…
13. Лавинный фотодиод по своей структуре отличается от Р-I-n фотодиода наличием…
14. В р- слое светодиода носителями являются…
15. На какие основные классы делятся транзисторы…
16. В чем заключается подобие идеализированных источников напряжения и тока…
17. К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: имеет усиление по току, не дает усиления по напряжению, огромное входное сопротивление…
18. Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда к эмиттерному переходу приложено обратное напряжение, а к коллекторному – прямое…
19. Излучение СИД является…
20. Конденсатор не проводит…
2. Какое требование предъявляется к ширине базы биполярного транзистора…
3. Излучение, которое излучает полупроводниковый лазер, относится…
4. Как можно объяснить принцип работы биполярного транзистора, если физически он состоит из двух противоположно направленных диодов (р-n-переходов)…
5. Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда и к эмиттерному, и к коллекторному переходам приложено прямое напряжение…
6. Какая из схем включения биполярного транзистора уступает двум другим по всем остальным параметрам и в настоящее время почти не применяется…
7. Электронные устройства, преобразующие постоянное напряжение в переменное напряжение, называются…
8. В режиме насыщения у транзисторного ключа напряжение между коллектором и эмиттером…
9. Спектральная характеристика СИД - это зависимость…
10. Что представляют собой коэффициенты передачи эмиттерного и базового токов биполярного транзистора…
11. Область рабочих параметров полевого транзистора, в которой канал существует от истока до стока называется…
12. Какие элементы должны содержаться в цепи для отсутствия переходных процессов…
13. Лавинный фотодиод по своей структуре отличается от Р-I-n фотодиода наличием…
14. В р- слое светодиода носителями являются…
15. На какие основные классы делятся транзисторы…
16. В чем заключается подобие идеализированных источников напряжения и тока…
17. К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: имеет усиление по току, не дает усиления по напряжению, огромное входное сопротивление…
18. Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда к эмиттерному переходу приложено обратное напряжение, а к коллекторному – прямое…
19. Излучение СИД является…
20. Конденсатор не проводит…
Дополнительная информация
Год сдачи - 2023;
полное название учебного заведения - Федеральное государственное образованное бюджетное учреждение
высшего профессионального образования
«Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики»
(ФГОБУ ВПО «СибГУТИ»);
преподаватель принявший работу - профессор Игнатов А.Н.
оценка - зачет
полное название учебного заведения - Федеральное государственное образованное бюджетное учреждение
высшего профессионального образования
«Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики»
(ФГОБУ ВПО «СибГУТИ»);
преподаватель принявший работу - профессор Игнатов А.Н.
оценка - зачет
Похожие материалы
Зачетная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Билет №03
hellofromalexey
: 25 апреля 2020
Билет 3
1. В чем заключается отличие физических процессов в биполярных и полевых транзисторах?
1) В биполярных транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков, а в полевых - переносом носителей заряда одного знака
2) И в биполярных, и в полевых транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков, только в биполярных учитывается перенос в обе стороны, а в полевых - только в одну сторону
3) И в биполярных, и в полевых транзистор
hellofromalexey
: 25 апреля 2020
300 руб.
Другие работы
Алгоритмы и вычислительные методы оптимизации Билет № 6 Экзамен
Михаил18
: 26 сентября 2019
Все вычисления проводить с использованием простых дробей, округления не допускаются. Все нецелые числа в ответе должны быть записаны в виде простых дробей.
1. Составить функцию Лагранжа и проверить выполнение условий Куна-Таккера (найти параметры i) для оптимальной точки (5;2) задачи нелинейного программирования.
2. Решить графически игру, заданную платежной матрицей:
Михаил18
: 26 сентября 2019
100 руб.
Кадровая политика фирмы при создании производства мирового класса
alfFRED
: 22 октября 2013
ВВЕДЕНИЕ
Создание производства мирового класса постоянно связано с людьми, работающими на предприятии. Хотя оптимальные системы, процедуры и правильные принципы организации производства играют важную роль, но реализация всех возможностей, заложенных в новых методах управления, зависит уже от конкретных людей, от их квалификации, компетентности, знаний, дисциплины, мотивации, восприимчивости к обучению, способности решать проблемы.
Компетентность требуется работнику, занимающемус
alfFRED
: 22 октября 2013
10 руб.
Разработать микропроцессорное устройство на основе микроконтроллера AduC842
dsimav
: 29 января 2018
ЗАДАНИЕ НА КУРСОВУЮ РАБОТУ
ПО КУРСУ «МИКРОПРОЦЕССОРЫ И ЦИФРОВАЯ ОБРАБОТКА СИГНАЛОВ»
Разработать микропроцессорное устройство на основе микроконтроллера AduC842.
Содержание работы:
1. Ведение
2. Аналитический обзор микропроцессоров
3. Разработка структурной схемы устройства
4. Разработка принципиальной электрической схемы устройства с описанием назначения каждого элемента.
5. Разработка программного обеспечения устройства. (Схема алгоритма, программа на языке С. При написани
dsimav
: 29 января 2018
60 руб.
Фреза торцовая D=125 мм
diplomnikv
: 2 июня 2017
Фреза торцевая D=125 мм с углом в плане 45°
Чертеж в AutoCAD +спецификация + расчет
diplomnikv
: 2 июня 2017
40 руб.
