Зачетная работа по дисциплине "Элементная база телекоммуникационных систем".

ID: 234518
Дата закачки: 28 Марта 2023
Продавец: Grechikhin (Напишите, если есть вопросы)
Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Зачетная
Форматы файлов: JPG/JPEG
Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ

Описание:
1. Преимущество ЛФД перед Р-I-n фотодиодом заключается в…
2. Какое требование предъявляется к ширине базы биполярного транзистора…
3. Излучение, которое излучает полупроводниковый лазер, относится…
4. Как можно объяснить принцип работы биполярного транзистора, если физически он состоит из двух противоположно направленных диодов (р-n-переходов)…
5. Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда и к эмиттерному, и к коллекторному переходам приложено прямое напряжение…
6. Какая из схем включения биполярного транзистора уступает двум другим по всем остальным параметрам и в настоящее время почти не применяется…
7. Электронные устройства, преобразующие постоянное напряжение в переменное напряжение, называются…
8. В режиме насыщения у транзисторного ключа напряжение между коллектором и эмиттером…
9. Спектральная характеристика СИД - это зависимость…
10. Что представляют собой коэффициенты передачи эмиттерного и базового токов биполярного транзистора…
11. Область рабочих параметров полевого транзистора, в которой канал существует от истока до стока называется…
12. Какие элементы должны содержаться в цепи для отсутствия переходных процессов…
13. Лавинный фотодиод по своей структуре отличается от Р-I-n фотодиода наличием…
14. В р- слое светодиода носителями являются…
15. На какие основные классы делятся транзисторы…
16. В чем заключается подобие идеализированных источников напряжения и тока…
17. К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: имеет усиление по току, не дает усиления по напряжению, огромное входное сопротивление…
18. Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда к эмиттерному переходу приложено обратное напряжение, а к коллекторному – прямое…
19. Излучение СИД является…
20. Конденсатор не проводит…

Комментарии: Год сдачи - 2023;
полное название учебного заведения - Федеральное государственное образованное бюджетное учреждение
высшего профессионального образования
«Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики»
(ФГОБУ ВПО «СибГУТИ»);
преподаватель принявший работу - профессор Игнатов А.Н.
оценка - зачет

Размер файла: 435,1 Кбайт
Фаил: