Зачетная работа по дисциплине "Элементная база телекоммуникационных систем".
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Элементная база телекоммуникационных систем, Работа Зачетная
-
Добавлен:
28.03.2023
-
Размер:
435 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
Grechikhin
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
1.JPG
|
|
10.JPG
|
|
11.JPG
|
|
12.JPG
|
|
13.JPG
|
|
14.JPG
|
|
15.JPG
|
|
16.JPG
|
|
17.JPG
|
|
18.JPG
|
|
19.JPG
|
|
2.JPG
|
|
20.JPG
|
|
3.JPG
|
|
4.JPG
|
|
5.JPG
|
|
6.JPG
|
|
7.JPG
|
|
8.JPG
|
|
9.JPG
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Программа для просмотра изображений
Описание
1. Преимущество ЛФД перед Р-I-n фотодиодом заключается в…
2. Какое требование предъявляется к ширине базы биполярного транзистора…
3. Излучение, которое излучает полупроводниковый лазер, относится…
4. Как можно объяснить принцип работы биполярного транзистора, если физически он состоит из двух противоположно направленных диодов (р-n-переходов)…
5. Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда и к эмиттерному, и к коллекторному переходам приложено прямое напряжение…
6. Какая из схем включения биполярного транзистора уступает двум другим по всем остальным параметрам и в настоящее время почти не применяется…
7. Электронные устройства, преобразующие постоянное напряжение в переменное напряжение, называются…
8. В режиме насыщения у транзисторного ключа напряжение между коллектором и эмиттером…
9. Спектральная характеристика СИД - это зависимость…
10. Что представляют собой коэффициенты передачи эмиттерного и базового токов биполярного транзистора…
11. Область рабочих параметров полевого транзистора, в которой канал существует от истока до стока называется…
12. Какие элементы должны содержаться в цепи для отсутствия переходных процессов…
13. Лавинный фотодиод по своей структуре отличается от Р-I-n фотодиода наличием…
14. В р- слое светодиода носителями являются…
15. На какие основные классы делятся транзисторы…
16. В чем заключается подобие идеализированных источников напряжения и тока…
17. К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: имеет усиление по току, не дает усиления по напряжению, огромное входное сопротивление…
18. Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда к эмиттерному переходу приложено обратное напряжение, а к коллекторному – прямое…
19. Излучение СИД является…
20. Конденсатор не проводит…
2. Какое требование предъявляется к ширине базы биполярного транзистора…
3. Излучение, которое излучает полупроводниковый лазер, относится…
4. Как можно объяснить принцип работы биполярного транзистора, если физически он состоит из двух противоположно направленных диодов (р-n-переходов)…
5. Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда и к эмиттерному, и к коллекторному переходам приложено прямое напряжение…
6. Какая из схем включения биполярного транзистора уступает двум другим по всем остальным параметрам и в настоящее время почти не применяется…
7. Электронные устройства, преобразующие постоянное напряжение в переменное напряжение, называются…
8. В режиме насыщения у транзисторного ключа напряжение между коллектором и эмиттером…
9. Спектральная характеристика СИД - это зависимость…
10. Что представляют собой коэффициенты передачи эмиттерного и базового токов биполярного транзистора…
11. Область рабочих параметров полевого транзистора, в которой канал существует от истока до стока называется…
12. Какие элементы должны содержаться в цепи для отсутствия переходных процессов…
13. Лавинный фотодиод по своей структуре отличается от Р-I-n фотодиода наличием…
14. В р- слое светодиода носителями являются…
15. На какие основные классы делятся транзисторы…
16. В чем заключается подобие идеализированных источников напряжения и тока…
17. К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: имеет усиление по току, не дает усиления по напряжению, огромное входное сопротивление…
18. Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда к эмиттерному переходу приложено обратное напряжение, а к коллекторному – прямое…
19. Излучение СИД является…
20. Конденсатор не проводит…
Дополнительная информация
Год сдачи - 2023;
полное название учебного заведения - Федеральное государственное образованное бюджетное учреждение
высшего профессионального образования
«Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики»
(ФГОБУ ВПО «СибГУТИ»);
преподаватель принявший работу - профессор Игнатов А.Н.
оценка - зачет
полное название учебного заведения - Федеральное государственное образованное бюджетное учреждение
высшего профессионального образования
«Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики»
(ФГОБУ ВПО «СибГУТИ»);
преподаватель принявший работу - профессор Игнатов А.Н.
оценка - зачет
Похожие материалы
Зачетная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Билет №03
hellofromalexey
: 25 апреля 2020
Билет 3
1. В чем заключается отличие физических процессов в биполярных и полевых транзисторах?
1) В биполярных транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков, а в полевых - переносом носителей заряда одного знака
2) И в биполярных, и в полевых транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков, только в биполярных учитывается перенос в обе стороны, а в полевых - только в одну сторону
3) И в биполярных, и в полевых транзистор
hellofromalexey
: 25 апреля 2020
300 руб.
Другие работы
Спуско-подъемный комплекс буровой установки-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 24 мая 2016
Спуско-подъемный комплекс буровой установки-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 24 мая 2016
297 руб.
Фінансове планування в сучасних умовах економіки України
Elfa254
: 8 января 2014
ЗМІСТ
РЕФЕРАТ
ВСТУП
РОЗДІЛ 1. ТЕОРЕТИКО-МЕТОДОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ФІНАНСОВОГО ПЛАНУВАННЯ
1.1. Теоретичні основи планування
1.2. Методика та процес планування на підприємстві
РОЗДІЛ 2. ФІНАНСОВО-ЕКОНОМІЧНА ДІЯЛЬНІСТЬ ТА її АНАЛІЗ НА ВАТ "ХЕРСОНСЬКИЙ БАВОВНЯНИЙ КОМБІНАТ"
2.1. Організаційно-економічна характеристика підприємства
2.2. Аналіз фінансового стану підприємства
РОЗДІЛ 3. СТРАТЕГІЧНЕ ТА ОПЕРАТИВНЕ ПЛАНУВАННЯ НА ПІДПРИЄМСТВІ ВАТ "ХБК"
3.1. Бізнес-план
3.2. Оперативне планування та шляхи його вдо
Elfa254
: 8 января 2014
15 руб.
Возникновение и развитие философии
Qiwir
: 30 августа 2013
В системе чрезвычайно разнообразных знаний об окружающем нас мире важное место занимает философия. Зародившись в глубокой древности, она прошла многовековой путь развития, на протяжении которого возникали и существовали самые различные философские школы и течения.
Слово «философия» – греческого происхождения и буквально означает «любовь к мудрости». Философия представляет собой систему взглядов на окружающую нас действительность, систему наиболее общих понятий о мире и месте в нем человека. С м
Qiwir
: 30 августа 2013
5 руб.
Плита Вариант 1а ЧЕРТЕЖ t-flex
coolns
: 17 ноября 2024
Плита Вариант 1а t-flex
Плита Вариант 1а т-флекс
Сложные разрезы. Упражнение 45
Перечертить два вида деталей. Выполнить указанный разрез. Проставить размеры.
Чертеж и 3d модель (все показана на скриншотах и присутствует в архиве) выполнены в T-FLEX CAD 16 Учебная Версия. ВОЗМОЖНО ОТКРЫТЬ И ВЫШЕ ВЕРСИЯХ T-FLEX CAD.
Также открывать и просматривать чертежи и 3D-модели, выполненные в T-FLEX CAD возможно в T-FLEX Viewer.
По другим вариантам и всем вопросам пишите в Л/С. Отвечу и помогу.
coolns
: 17 ноября 2024
150 руб.
