Зачетная работа по дисциплине "Элементная база телекоммуникационных систем".
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Дополнительная информация
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Программа для просмотра изображений
Описание
1. Преимущество ЛФД перед Р-I-n фотодиодом заключается в…
2. Какое требование предъявляется к ширине базы биполярного транзистора…
3. Излучение, которое излучает полупроводниковый лазер, относится…
4. Как можно объяснить принцип работы биполярного транзистора, если физически он состоит из двух противоположно направленных диодов (р-n-переходов)…
5. Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда и к эмиттерному, и к коллекторному переходам приложено прямое напряжение…
6. Какая из схем включения биполярного транзистора уступает двум другим по всем остальным параметрам и в настоящее время почти не применяется…
7. Электронные устройства, преобразующие постоянное напряжение в переменное напряжение, называются…
8. В режиме насыщения у транзисторного ключа напряжение между коллектором и эмиттером…
9. Спектральная характеристика СИД - это зависимость…
10. Что представляют собой коэффициенты передачи эмиттерного и базового токов биполярного транзистора…
11. Область рабочих параметров полевого транзистора, в которой канал существует от истока до стока называется…
12. Какие элементы должны содержаться в цепи для отсутствия переходных процессов…
13. Лавинный фотодиод по своей структуре отличается от Р-I-n фотодиода наличием…
14. В р- слое светодиода носителями являются…
15. На какие основные классы делятся транзисторы…
16. В чем заключается подобие идеализированных источников напряжения и тока…
17. К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: имеет усиление по току, не дает усиления по напряжению, огромное входное сопротивление…
18. Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда к эмиттерному переходу приложено обратное напряжение, а к коллекторному – прямое…
19. Излучение СИД является…
20. Конденсатор не проводит…
2. Какое требование предъявляется к ширине базы биполярного транзистора…
3. Излучение, которое излучает полупроводниковый лазер, относится…
4. Как можно объяснить принцип работы биполярного транзистора, если физически он состоит из двух противоположно направленных диодов (р-n-переходов)…
5. Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда и к эмиттерному, и к коллекторному переходам приложено прямое напряжение…
6. Какая из схем включения биполярного транзистора уступает двум другим по всем остальным параметрам и в настоящее время почти не применяется…
7. Электронные устройства, преобразующие постоянное напряжение в переменное напряжение, называются…
8. В режиме насыщения у транзисторного ключа напряжение между коллектором и эмиттером…
9. Спектральная характеристика СИД - это зависимость…
10. Что представляют собой коэффициенты передачи эмиттерного и базового токов биполярного транзистора…
11. Область рабочих параметров полевого транзистора, в которой канал существует от истока до стока называется…
12. Какие элементы должны содержаться в цепи для отсутствия переходных процессов…
13. Лавинный фотодиод по своей структуре отличается от Р-I-n фотодиода наличием…
14. В р- слое светодиода носителями являются…
15. На какие основные классы делятся транзисторы…
16. В чем заключается подобие идеализированных источников напряжения и тока…
17. К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: имеет усиление по току, не дает усиления по напряжению, огромное входное сопротивление…
18. Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда к эмиттерному переходу приложено обратное напряжение, а к коллекторному – прямое…
19. Излучение СИД является…
20. Конденсатор не проводит…
Дополнительная информация
Год сдачи - 2023;
полное название учебного заведения - Федеральное государственное образованное бюджетное учреждение
высшего профессионального образования
«Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики»
(ФГОБУ ВПО «СибГУТИ»);
преподаватель принявший работу - профессор Игнатов А.Н.
оценка - зачет
полное название учебного заведения - Федеральное государственное образованное бюджетное учреждение
высшего профессионального образования
«Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики»
(ФГОБУ ВПО «СибГУТИ»);
преподаватель принявший работу - профессор Игнатов А.Н.
оценка - зачет
Похожие материалы
Зачетная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Билет №03
hellofromalexey
: 25 апреля 2020
Билет 3
1. В чем заключается отличие физических процессов в биполярных и полевых транзисторах?
1) В биполярных транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков, а в полевых - переносом носителей заряда одного знака
2) И в биполярных, и в полевых транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков, только в биполярных учитывается перенос в обе стороны, а в полевых - только в одну сторону
3) И в биполярных, и в полевых транзистор
300 руб.
Другие работы
Гидравлика Задача 8.199
Z24
: 10 января 2026
Жидкость вытекает из закрытого резервуара, где на свободную поверхность жидкости действует манометрическое давление рман = 1,25 ат, в атмосферу через малое отверстие в тонкой стенке диаметром d = 3 см. Уровень воды жидкости в резервуаре h = 3 м. Центр отверстия расположен на высоте z = 0,45 м от дна резервуара. Определить насколько изменится расход, если к отверстию присоединить внутренний цилиндрический насадок того же диаметра. Коэффициент расхода насадка μ = 0,71.
150 руб.
Экономико-географическая характеристика машиностроительного комплекса мира
alfFRED
: 24 сентября 2013
СОДЕЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. МАШИНОСТРОНИЕ КАК ВЕДУЩАЯ ОТРАСЛЬ ПРОМЫШЛЕННОСТИ
1.1 Роль и содержание машиностроительного комплекса
1.2 География и факторы размещения мирового машиностроения
Глава 2.СТРУКТУРА СОВРЕМЕННОГО МАШИНОСТРОЕНИЯ
2.1 Общее машиностроение
2.2 Транспортное машиностроение
2.3 Электроника и электротехника
Глава 3.ХАРАКТЕРИСТИКА МАШИНОСТРОИТЕЛЬНОГО КОМПЛЕКСА НА ПРИМЕРЕ НЕКОТОРЫХ СТРАН
3.1 Машиностроительный комплекс Японии
3.2 Машиностроительный комплекс США
3.3 Машин
10 руб.
Гидравлика и нефтегазовая гидромеханика ТОГУ Задача 35 Вариант 6
Z24
: 28 ноября 2025
Определить длину трубопровода диаметром d, при которой расход вытекающей воды будет такой же, как из отверстия того же диаметра. Напор воды равен H. Коэффициент гидравлического трения трубы принять равным λ=0,03. Температура воды t, ºC.
150 руб.
Проектирование и расчёт надёжности тиристорного преобразователя
Demster
: 25 декабря 2012
Содержание
1. техническое задание 5
1.1. цель проектирования 5
1.2. задание на проектирование 5
1.3. основные технические требования 5
1.4. индивидуальное задание 6
Часть i. Выбор и расчет силовой части тиристорного преобразователя.. 7
2. выбор оптимальных схемных решений 7
2.1. Обзор типовых схемных решений, применяемых в серийно
Выпускаемых преобразователях 7
2.2. функциональная схема тиристорного преобразователя 8
2.3. описание работы схемы выпрямителя 9
2.4. обоснование выбора схемы выпрям
550 руб.