СибГУТИ. Физика. Лабораторная Работа №2. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. 2-ой семестр.
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
10.08.2009
-
Размер:
41 KB
-
Покупок:
28
-
Добавил:
Art55555
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Лабораторная работа 2 (Физика).doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Дополнительная информация
Факультет: Радиосвязь, радиовещание и телевидение
2-ой семестр
Зачет
2-ой семестр
Зачет
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Другие работы
Промышленный переворот и развитие промышленного капитализма
Qiwir
: 14 ноября 2013
Введение
История человечества – это история экономики. Войны, составляющие лишь часть истории и поглотившие время людей, являются следствием развития экономики, защиты экономических интересов народов и государств. Поэтому историческое наследие народов заключается не в том, сколько они провели войн, завоевали чужих территорий, а в том, что они внесли в цивилизацию, что построили, создали, изобрели. Истинные исторические герои – люди, внесшие вклад в развитие ремесел, науки, экономики в государст
Qiwir
: 14 ноября 2013
10 руб.
Культурология. Понимание культуры в классическом марксизме. Вариант 03
thoridal
: 16 ноября 2017
Реферат (Контрольная работа) по культурологии. Вариант 03
Философия культуры И. Гердера.
Проблемы культуры в философии И. Канта.
Понимание культуры в классическом марксизме.
Философские проблемы культуры в трудах неокантианцев (Г. Риккерт, В. Виндельбант, Э. Кассирер).
З. Фрейд о природе культуры.
К.Г. Юнг о типологии культуры и проблеме архетипов.
Неофрейдистские концепции культуры (Э. Фромм, К. Хорни, Г. Маркузе).
Культура и игра в сочинениях Й. Хейзинги.
А. Швейцер о культуре и ее историческо
thoridal
: 16 ноября 2017
199 руб.
Структурная перестройка и инвестиционная политика России
Qiwir
: 7 марта 2014
Введение_________________________________________________3
Глава 1. Структурная перестройка российской экономики.
1.1. Проблемы структурной перестройки российской экономики4
1.2. Основные направления______________________________7
Глава 2. Инвестиционная политика России в переходный период___11
Заключение______________________________________________19
Список используемой литературы ___________________________21
Приложение_____________________________________________22
Введение
Россия - одно из
Qiwir
: 7 марта 2014
19 руб.
Гидравлика Пермская ГСХА Задача 45 Вариант 1
Z24
: 4 ноября 2025
Дроссельный затвор диаметром D, установленный на трубопроводе, проводящем воду к гидротурбине, может свободно вращаться вокруг горизонтальной оси О—О. Глубина погружения центра тяжести затвора Н. Определить силу гидростатического давления F на затвор, точку ее приложения, момент MF силы F относительно оси вращения и момент Мтр силы трения, если диаметр цапф d и коэффициент трения f. Построить эпюру гидростатического давления на затвор.
Z24
: 4 ноября 2025
180 руб.
