СибГУТИ. Физика. Лабораторная Работа №2. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. 2-ой семестр.
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
10.08.2009
-
Размер:
41 KB
-
Покупок:
28
-
Добавил:
Art55555
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Лабораторная работа 2 (Физика).doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Дополнительная информация
Факультет: Радиосвязь, радиовещание и телевидение
2-ой семестр
Зачет
2-ой семестр
Зачет
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Другие работы
Редуктор 33.000 деталировка
coolns
: 5 марта 2020
Редуктор 33.000 сборочный чертеж
Редуктор 33.000 спецификация
Крышка 33.001
Корпус 33.002
Вал-шестерня Z=20 33.003
Втулка 33.004
Вал-шестерня Z=20 33.007
Колесо зубчатое Z=56 33.008
Вал 33.009
Колесо зубчатое Z=52 33.010
Редуктор таксометра устанавливается на автомобилях и приводится в действие от коробки передач через двухступенчатый редуктор (i = 1:6,63). Ведущий вал 3 редуктора таксометра получает вращение от коробки передач через конец Л детали 3 (см. схему). От вала 3 через зубчатые колеса
coolns
: 5 марта 2020
600 руб.
Проектирование АТП с реконструкцией зоны ТР (разработка поворотного стенда для груз. авто)
dangerrose
: 14 ноября 2016
Автомобили предприятия-грузовые, эксплуатируются в пределах г. Братска по асфальтобетонному покрытию с слабохолмистым (свыше 200 до 300 м) рельефом местности, т.е. при ΙΙ категории эксплуатации. Г. Братск относится к зоне холодного климата.
Задачи дипломного проектирования
С учетом вышесказанного определены следующие задачи:
1) предложить проект технического перевооружения агрегатного цеха;
2) предложить комплекс мероприятий по повышению качества выпол-нения работ по ремонту агрегатов;
3) предл
dangerrose
: 14 ноября 2016
100 руб.
НГТУ. Проекционные задачи. Задача 2 - Вариант 28
.Инженер.
: 11 мая 2026
НГТУ. Проекционные задачи. Задача 2 - Вариант 28
По предложенным изображениям построить три вида детали, выполнить ломаный разрез (ГОСТ 2.305), проставить размеры (ГОСТ 2.307).
В состав работы входит:
-3D модель детали;
-Чертеж детали
Выполнено в программе Компас + чертеж в PDF
.Инженер.
: 11 мая 2026
200 руб.
Техногенное развитие и техносферизация планеты
alfFRED
: 3 сентября 2013
В начале третьего тысячелетия человечество осознало свое затруднительное положение. В течение нескольких столетий до этого пути исторического развития казались ясными и ведущими к более приятному будущему. Идеал научно-технического прогресса владел сознанием масс и обещал своим результатом развитие всех областей человеческой жизни. Власть человека над природой — как внешней, так и внутренней — росла, жизнь становилась все легче, старые проблемы продвигались к решению, социальный прогресс казался
alfFRED
: 3 сентября 2013
10 руб.
