СибГУТИ. Физика. Лабораторная Работа №2. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. 2-ой семестр.
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
10.08.2009
-
Размер:
41 KB
-
Покупок:
28
-
Добавил:
Art55555
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Лабораторная работа 2 (Физика).doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Дополнительная информация
Факультет: Радиосвязь, радиовещание и телевидение
2-ой семестр
Зачет
2-ой семестр
Зачет
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Другие работы
Контрольная работа По дисциплине: «Микроэкономика ч.1». Вариант №20.
teacher-sib
: 28 апреля 2017
20. Путь развития и эффект масштаба.
Оглавление
Введение 3
1. Анализ сущности пути развития и эффекта масштаба 4
1.1. Понятие и сущность пути развития 4
1.2. Понятие и сущность эффекта масштаба 6
2. Виды эффектов масштабов 7
2.1. Положительный эффект масштаба 7
2.2. Отрицательный эффект масштаба 10
2.3. Минимально эффективный и постоянный эффект масштаб 12
Заключение 14
Список литературы 15
Приложение 16
teacher-sib
: 28 апреля 2017
400 руб.
Методика действия должностных лиц пункта управления узлами связи при управлении развертыванием и установлением связи
evelin
: 9 марта 2014
СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение.
2. Действие должностных лиц пункта управления узлами связи при управлении развертыванием и установлением связи.
1. ВВЕДЕНИЕ
Эксплуатация УС – это комплекс организационных и технических мероприятий, направленных на обеспечение высокой боевой готовности УС и его эффективного использования по предназначению.
Эксплуатация УС включает в себя организацию ОТС и других служб на УС, а также всех видов обеспечения его функционирования (кроме ОТС на УС могут организовываться часто
evelin
: 9 марта 2014
5 руб.
Объектно-ориентированное программирование. Вариант №3. Фигура смайлик
gnv1979
: 20 мая 2016
Написать программу, используя объектно-ориентированный подход, которая двигает по экрану изображение заданного графического объекта.
Для варианта 03 графический объект имеет вид:
Смайлик
Допускается: замена некоторых элементов графического объекта, изменение его цветовой гаммы.
Реализовать два вида движения: случайное и по нажатию на клавиши со стрелками. Предусмотреть для пользователя возможность выбора одного из двух режимов движения.
Описание классов необходимо оформить в виде отдельного мо
gnv1979
: 20 мая 2016
30 руб.
Характеристика пассива и актива баланса
evelin
: 29 ноября 2013
Внеоборотные
Нематериальные активы
Основные средства
Незавершенное строительство
Доходные вложения в материальные ценности
Долгосрочные финансовые вложения
Отложенные налоговые активы
Прочие внеоборотные активы
Оборотные
Запасы
Налог на добавленную стоимость по приобретенным ценностям
Дебиторская задолженность (платежи по которой ожидаются более чем через 12 месяцев после отчетной даты)
Дебиторская задолженность (платежи по которой ожидаются в течение 12 месяцев после отчетной даты)
Краткосрочны
evelin
: 29 ноября 2013
15 руб.
