Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №8
-
Категории:
Электротехника, электроника и схемотехника, СибГУТИ, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
26.04.2023
-
Размер:
174 KB
-
Покупок:
4
-
Добавил:
IT-STUDHELP
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
5FB48985-D1BA-46AD-92E8-D2A897F8DFB0.docx
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Билет №8
1.Структурные схемы и поколения ОУ.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
=============================================
1.Структурные схемы и поколения ОУ.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
=============================================
Дополнительная информация
Проверил(а):Борисов Александр Васильевич
Оценка: Отлично
Дата оценки: 26.04.2023г.
Помогу с вашим вариантом, другой работой, дисциплиной или онлайн-тестом.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Оценка: Отлично
Дата оценки: 26.04.2023г.
Помогу с вашим вариантом, другой работой, дисциплиной или онлайн-тестом.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Похожие материалы
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
aikys
: 18 июня 2016
1. Статические характеристики полевого транзистора.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные ха
aikys
: 18 июня 2016
65 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №2
IT-STUDHELP
: 29 сентября 2023
Билет №2
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и
IT-STUDHELP
: 29 сентября 2023
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
Илья272
: 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №3
IT-STUDHELP
: 18 сентября 2023
Билет №3
1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передато
IT-STUDHELP
: 18 сентября 2023
250 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №4
IT-STUDHELP
: 26 апреля 2023
Билет №4
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную
IT-STUDHELP
: 26 апреля 2023
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №19
IT-STUDHELP
: 12 ноября 2022
Вопросы:
1.Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходны
IT-STUDHELP
: 12 ноября 2022
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №1
Леший
: 18 января 2021
Билет 1:
1. Аналоговые ключи на транзисторах.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
Леший
: 18 января 2021
500 руб.
Другие работы
Опора радиальная автоматического бурового ключа АКБ 3М. Сборочный чертеж-Деталировка: Втулка А4, Втулка антифрикционная А4, Ось А3, Ролик А3, Упорное кольцо А4-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
as.nakonechnyy.92@mail.ru
: 11 апреля 2018
Опора радиальная автоматического бурового ключа АКБ 3М Сборочный чертеж-Деталировка: Втулка А4, Втулка антифрикционная А4, Ось А3, Ролик А3, Упорное кольцо А4-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
as.nakonechnyy.92@mail.ru
: 11 апреля 2018
581 руб.
Реферат: Аналіз біографії Гітлера за неофрейдистськими теоріями та теоріями Фройда
Elfa254
: 15 октября 2013
План
Вступ
І. Теоретична частина
1.1 Едіпів комплекс за теорією З. Фройда
1.2 Нарцисизм за теорією З. Фройда
1.3 Некрофілія за теорією Е. Фромма
ІІ. Практична частина
2.1 Едіпів комплекс у А. Гітлера за теорією З. Фройда
2.2 Прояви нарцисизму в А. Гітлера за теорією З. Фройда
2.3 Прояви некрофілії в Адольфа Гітлера згідно з теорією Е. Фромма
Висновок
Вступ
Постать Адольфа Гітлера є дуже суперечливою в світовій історії. Але, якщо розглядати його, як просту людину, на рівні з іншими, т
Elfa254
: 15 октября 2013
Курсовая работа. Расчет фундамента и основания под эстакадную ёмкость
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 25 апреля 2016
В данной курсовой работе рассматриваются фундамент и основание эстакадных ёмкостей и производится их расчёт.
Фундаментом является подземная часть сооружения, которая воспринимает нагрузку от наземных частей и передаст ее основанию сооружения. Верхняя часть фундамента служит опорой для механизмов или сооружений.
Фундаменты должны удовлетворять следующим основным требованиям: максимальная удельная нагрузка (среднее давление) под подошвой фундамента не должна превышать расчетного сопротивления гру
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 25 апреля 2016
796 руб.
Инструменты реализации экологической политики в области природообустройства
OstVER
: 22 сентября 2012
МГУП(Московский государственный университет природообустройства)
Лектор Шабанов В. В.
Экологическая политика.
Экологическое обоснование на различных этапах природообустройства.
Основные этапы «проектирования» хозяйственной деятельности.
Экологическая оценка и инструменты ее реализации.
Стратегическая Оценка Воздействия на Окружающую Среду (СОВОС)
Оценка Воздействий на Окружающую Среду (ОВОС).
Экологическая экспертиза
Виды экспертизы. Технико-экономическая и экологическая экспертиза. Виды эколо
OstVER
: 22 сентября 2012
3 руб.
