Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №8
-
Категории:
Электротехника, электроника и схемотехника, СибГУТИ, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
26.04.2023
-
Размер:
174 KB
-
Покупок:
4
-
Добавил:
IT-STUDHELP
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
5FB48985-D1BA-46AD-92E8-D2A897F8DFB0.docx
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Билет №8
1.Структурные схемы и поколения ОУ.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
=============================================
1.Структурные схемы и поколения ОУ.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
=============================================
Дополнительная информация
Проверил(а):Борисов Александр Васильевич
Оценка: Отлично
Дата оценки: 26.04.2023г.
Помогу с вашим вариантом, другой работой, дисциплиной или онлайн-тестом.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Оценка: Отлично
Дата оценки: 26.04.2023г.
Помогу с вашим вариантом, другой работой, дисциплиной или онлайн-тестом.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Похожие материалы
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
aikys
: 18 июня 2016
1. Статические характеристики полевого транзистора.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные ха
aikys
: 18 июня 2016
65 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №2
IT-STUDHELP
: 29 сентября 2023
Билет №2
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и
IT-STUDHELP
: 29 сентября 2023
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №3
IT-STUDHELP
: 18 сентября 2023
Билет №3
1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передато
IT-STUDHELP
: 18 сентября 2023
250 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №4
IT-STUDHELP
: 26 апреля 2023
Билет №4
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную
IT-STUDHELP
: 26 апреля 2023
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №19
IT-STUDHELP
: 12 ноября 2022
Вопросы:
1.Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходны
IT-STUDHELP
: 12 ноября 2022
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №1
Леший
: 18 января 2021
Билет 1:
1. Аналоговые ключи на транзисторах.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
Леший
: 18 января 2021
500 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №9
IT-STUDHELP
: 3 ноября 2019
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, п
IT-STUDHELP
: 3 ноября 2019
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
Илья272
: 11 июня 2021
500 руб.
Другие работы
Контрольная работа № 1 по дисциплине: Электромагнитные поля и волны. Вариант 09
alexkrt
: 19 января 2012
ЗАДАЧА 1
Плоская электромагнитная волна с частотой f распространяется в безграничной реальной среде с диэлектрической проницаемостью , магнитной проницаемостью , проводимостью . Амплитуда напряженности электрического поля в точке с координатой z = 0 Еm.
1. Определить к какому типу относится данная среда на заданной частоте.
2. Рассчитать фазовый набег волны на расстоянии, равном глубине проникновения ∆0.
3. Рассчитать отношение фазовой скорости в реальной среде к фазовой скорости в идеальной
alexkrt
: 19 января 2012
150 руб.
Город и бытовой мусор
evelin
: 16 марта 2013
Оценку экологического состояния столь крупного и сложного объекта, как Москва, дать затруднительно по следующим основным причинам: 1)Оценка должна учитывать множество самых разных показателей по всем районам и предприятиям, производственным зонам, магистралям, системам связи, рекреационным площадям и т. д.; 2)Полученные сведения должны быть систематизированы, сведены в единую легко интерпретируемую систему; 3)Система сбора и обобщения имеющихся данных пока что не имеет единой научной концепции,
evelin
: 16 марта 2013
10 руб.
Реферат по дисциплине экономика "Деньги, денежные обращения". Вариант №10.
Jack
: 17 мая 2013
Реферат по дисциплине экономика "Деньги, денежные обращения". Вариант №10.
Введение
1.Деньги и их функции
1.1 История появления денег
1.2 Роль и функции денег
1.3 Виды денег
2.Денежное обращение. Денежные агрегаты. Закон денежного обращения.
Заключение
Литература
Jack
: 17 мая 2013
160 руб.
Зарубежная методика оценки вероятности банкротства и ее применение в российских условиях
Slolka
: 30 октября 2013
Введение
ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ
Модель Альтмана. Расчет индекса кредитоспособности применительно к российским условиям
ПРАКТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ
Задача № 1
Задача № 2
Задача № 3
Заключение
Список использованной литературы
Введение
Вопрос выживания в условиях рыночной экономики для большинства предприятий становится очень актуальным. Руководству организации больше не на кого положиться при решении текущих проблем, все решения приходится принимать самостоятельно, более того, необходимо нести за ни
Slolka
: 30 октября 2013
10 руб.
