Онлайн Тест 3 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем.
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Вопрос №1
Конденсатор не проводит...
Постоянный ток
Переменный ток
Импульсный ток
Нет правильного ответа
Вопрос №2
Какое требование предъявляется к ширине базы биполярного транзистора?
Она должна быть больше диффузионной длины электрона, но меньше длины волны электрона
Она должна быть больше диффузионной длины и длины волны электрона
Она должна быть меньше диффузионной длины и длины волны электрона
Она должна быть равна меньшему из значений диффузионной длины и длины волны электрона
Нет правильного ответа
Вопрос №3
При увеличении расстояния между обкладками конденсатора его электрическая емкость...
Возрастает
Не изменяется
Экспоненциальная зависимость
Нет правильного ответа
Вопрос №4
К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: не дает усиления по току, имеет усиление по напряжению и малое входное сопротивление?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа
Вопрос №5
Какая из схем включения биполярного транзистора называется эмиттерным повторителем и почему?
Схема с общей базой, потому что уровни напряжения на коллекторном и эмиттерном переходах этой схемы абсолютно совпадают
Схема с общим эмиттером, потому что эмиттер является общим электродом, относительно которого задаются и измеряются все остальные напряжения
Схема с общим коллектором, потому что выходное напряжение на эмиттере практически повторяет входное напряжение на базе и отличается от него только на величину падения напряжения на эмиттерном переходе
Схема с общим эмиттером, потому что выходное напряжение на эмиттере практически повторяет входное напряжение на базе и отличается от него только на величину падения напряжения на эмиттерном переходе
Схема с общим коллектором, потому что уровни напряжения на базе и коллекторе относительно эмиттера в точности совпадают
Нет правильного ответа
Вопрос №6
Как называется электрод полевого транзистора, через который в проводящий канал втекают носители заряда:
затвор
исток
сток
нет правильного ответа
Вопрос №7
Укажите полярность напряжения на эмиттере и коллекторе транзистора типа p-n-p.
минус, плюс
плюс, минус
минус, минус
нет правильного ответа
Вопрос №8
Как можно объяснить принцип работы биполярного транзистора, если физически он состоит из двух противоположно направленных диодов (p-n-переходов)?
Принцип работы заключается в том, что один p-n-переход проводит в прямом направлении, а другой при этом подвергается электрическому пробою (это означает, что важным параметром является длительность протекания тока - она должна быть небольшой)
Принцип работы заключается в том, что между его p-n-переходами существует взаимодействие – ток одного может управлять током другого (носители заряда, инжектированные через один из p-n-переходов, могут дойти до другого перехода, находящегося под обратным напряжением, и изменить его ток)
Принцип работы заключается в том, что проводимость транзистора идет в двух направлениях, от центрального электрода к боковым (или наоборот), соответственно составляющим его диодам
Принцип работы заключается в том, что p-n-переходы проводят ток попеременно - сначала коллекторный, потом эмиттерный, после чего транзистор закрывается на короткое время, а затем снова открывается
Нет правильного ответа
Вопрос №9
Что такое транзисторный ключ?
Это схема на диодах, соединенных эквивалентно транзистору, но с увеличенным быстродействием, благодаря чему эта схема может скачком переходить из одного состояния в другое
Это схема на транзисторе, обеспечивающая переключение тока в нагрузке при подаче на базу транзистора напряжения определенной полярности и уровня
Это схема на транзисторе, обеспечивающая коммутацию тока в нагрузке при достижении напряжением коллектор-эмиттер определенного уровня
Это схема на диодах, обеспечивающая переключение тока в нагрузке при подаче на вход схемы напряжения определенной полярности и уровня
Нет правильного ответа
Вопрос №10
Длина волны фотонов, излучаемых СИД зависит...
От размеров СИД
От размеров активного слоя СИД
От ширины запрещённой зоны
От тока накачки
Нет правильного ответа
Вопрос №11
Какими свободными носителями зарядов обусловлен ток в фоторезисторе?
Дырками
Протонами
Нейтронами
Нет правильного ответа
Вопрос №12
Вольт-амперная характеристика ППЛ - это...
Зависимость длины волны излучения от приложенной мощности
Зависимость тока накачки от приложенной мощности
Зависимость излучаемой мощности от тока накачки
Зависимость порогового тока от приложенного напряжения
Нет правильного ответа
Вопрос №13
При отсутствии излучения через фотодиод течет...
Диффузионный ток
Прямой ток
Темновой ток
Нет правильного ответа
Вопрос №14
Область рабочих параметров полевого транзистора, в которой канал существует от истока до стока называется:
областью насыщения
линейной областью
областью модуляции
нет правильного ответа
Вопрос №15
При параллельном соединении элементов R, L и C общая реактивная проводимость электрической цепи равна...
Полному комплексному сопротивлению схемы
Полной комплексной проводимости схемы
Суммарному значению сопротивлений всех элементов схемы
Нет правильного ответа
Вопрос №16
Как называют средний слой у биполярных транзисторов?
Сток
Исток
Коллектор
Нет правильного ответа
Вопрос №17
Какие направления характерны для совершенствования элементной базы электроники?
Повышение надежности
Снижение потребления мощности
Миниатюризация
Нет правильного ответа
Вопрос №18
Как зависит быстродействие транзистора от его насыщения?
Быстродействие транзистора никак не зависит от его насыщения
Чем больше насыщение транзистора, тем больше его быстродействие
Чем больше насыщение транзистора, тем меньше его быстродействие
Чем меньше насыщение транзистора, тем меньше его быстродействие
Нет правильного ответа
Вопрос №19
На какие основные классы делятся транзисторы?
На четыре - биполярные, полевые, инжекционные и транзисторы с изолированным затвором
На два - биполярные и полевые
На два - биполярные и инжекционные
На три - биполярные, полевые и инжекционные
Нет правильного ответа
Вопрос №20
Значение индуктивности прямо пропорционально:
Силе тока в цепи
Величине потокосцепления
Диэлектрической проницаемости среды
Нет правильного ответа
=============================================
Конденсатор не проводит...
Постоянный ток
Переменный ток
Импульсный ток
Нет правильного ответа
Вопрос №2
Какое требование предъявляется к ширине базы биполярного транзистора?
Она должна быть больше диффузионной длины электрона, но меньше длины волны электрона
Она должна быть больше диффузионной длины и длины волны электрона
Она должна быть меньше диффузионной длины и длины волны электрона
Она должна быть равна меньшему из значений диффузионной длины и длины волны электрона
Нет правильного ответа
Вопрос №3
При увеличении расстояния между обкладками конденсатора его электрическая емкость...
Возрастает
Не изменяется
Экспоненциальная зависимость
Нет правильного ответа
Вопрос №4
К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: не дает усиления по току, имеет усиление по напряжению и малое входное сопротивление?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа
Вопрос №5
Какая из схем включения биполярного транзистора называется эмиттерным повторителем и почему?
Схема с общей базой, потому что уровни напряжения на коллекторном и эмиттерном переходах этой схемы абсолютно совпадают
Схема с общим эмиттером, потому что эмиттер является общим электродом, относительно которого задаются и измеряются все остальные напряжения
Схема с общим коллектором, потому что выходное напряжение на эмиттере практически повторяет входное напряжение на базе и отличается от него только на величину падения напряжения на эмиттерном переходе
Схема с общим эмиттером, потому что выходное напряжение на эмиттере практически повторяет входное напряжение на базе и отличается от него только на величину падения напряжения на эмиттерном переходе
Схема с общим коллектором, потому что уровни напряжения на базе и коллекторе относительно эмиттера в точности совпадают
Нет правильного ответа
Вопрос №6
Как называется электрод полевого транзистора, через который в проводящий канал втекают носители заряда:
затвор
исток
сток
нет правильного ответа
Вопрос №7
Укажите полярность напряжения на эмиттере и коллекторе транзистора типа p-n-p.
минус, плюс
плюс, минус
минус, минус
нет правильного ответа
Вопрос №8
Как можно объяснить принцип работы биполярного транзистора, если физически он состоит из двух противоположно направленных диодов (p-n-переходов)?
Принцип работы заключается в том, что один p-n-переход проводит в прямом направлении, а другой при этом подвергается электрическому пробою (это означает, что важным параметром является длительность протекания тока - она должна быть небольшой)
Принцип работы заключается в том, что между его p-n-переходами существует взаимодействие – ток одного может управлять током другого (носители заряда, инжектированные через один из p-n-переходов, могут дойти до другого перехода, находящегося под обратным напряжением, и изменить его ток)
Принцип работы заключается в том, что проводимость транзистора идет в двух направлениях, от центрального электрода к боковым (или наоборот), соответственно составляющим его диодам
Принцип работы заключается в том, что p-n-переходы проводят ток попеременно - сначала коллекторный, потом эмиттерный, после чего транзистор закрывается на короткое время, а затем снова открывается
Нет правильного ответа
Вопрос №9
Что такое транзисторный ключ?
Это схема на диодах, соединенных эквивалентно транзистору, но с увеличенным быстродействием, благодаря чему эта схема может скачком переходить из одного состояния в другое
Это схема на транзисторе, обеспечивающая переключение тока в нагрузке при подаче на базу транзистора напряжения определенной полярности и уровня
Это схема на транзисторе, обеспечивающая коммутацию тока в нагрузке при достижении напряжением коллектор-эмиттер определенного уровня
Это схема на диодах, обеспечивающая переключение тока в нагрузке при подаче на вход схемы напряжения определенной полярности и уровня
Нет правильного ответа
Вопрос №10
Длина волны фотонов, излучаемых СИД зависит...
От размеров СИД
От размеров активного слоя СИД
От ширины запрещённой зоны
От тока накачки
Нет правильного ответа
Вопрос №11
Какими свободными носителями зарядов обусловлен ток в фоторезисторе?
Дырками
Протонами
Нейтронами
Нет правильного ответа
Вопрос №12
Вольт-амперная характеристика ППЛ - это...
Зависимость длины волны излучения от приложенной мощности
Зависимость тока накачки от приложенной мощности
Зависимость излучаемой мощности от тока накачки
Зависимость порогового тока от приложенного напряжения
Нет правильного ответа
Вопрос №13
При отсутствии излучения через фотодиод течет...
Диффузионный ток
Прямой ток
Темновой ток
Нет правильного ответа
Вопрос №14
Область рабочих параметров полевого транзистора, в которой канал существует от истока до стока называется:
областью насыщения
линейной областью
областью модуляции
нет правильного ответа
Вопрос №15
При параллельном соединении элементов R, L и C общая реактивная проводимость электрической цепи равна...
Полному комплексному сопротивлению схемы
Полной комплексной проводимости схемы
Суммарному значению сопротивлений всех элементов схемы
Нет правильного ответа
Вопрос №16
Как называют средний слой у биполярных транзисторов?
Сток
Исток
Коллектор
Нет правильного ответа
Вопрос №17
Какие направления характерны для совершенствования элементной базы электроники?
Повышение надежности
Снижение потребления мощности
Миниатюризация
Нет правильного ответа
Вопрос №18
Как зависит быстродействие транзистора от его насыщения?
Быстродействие транзистора никак не зависит от его насыщения
Чем больше насыщение транзистора, тем больше его быстродействие
Чем больше насыщение транзистора, тем меньше его быстродействие
Чем меньше насыщение транзистора, тем меньше его быстродействие
Нет правильного ответа
Вопрос №19
На какие основные классы делятся транзисторы?
На четыре - биполярные, полевые, инжекционные и транзисторы с изолированным затвором
На два - биполярные и полевые
На два - биполярные и инжекционные
На три - биполярные, полевые и инжекционные
Нет правильного ответа
Вопрос №20
Значение индуктивности прямо пропорционально:
Силе тока в цепи
Величине потокосцепления
Диэлектрической проницаемости среды
Нет правильного ответа
=============================================
Дополнительная информация
Не нашли нужный ответ на тесты СибГУТИ? Пишите, пройду тест БЕСПЛАТНО!
Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Похожие материалы
Элементная база телекоммуникационных систем
radist2020
: 30 января 2022
Вариант 15
Задание 1
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Задача 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задача 3
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
600 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР2
Vladislaw
: 5 июня 2021
1. Транзистор с управляющим p-n переходом
2.Транзистор с индуцированным каналом
200 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 7
antoxa231
: 15 марта 2025
Контрольная работа по дисциплине
«Элементная база телекоммуникационных систем»
«Разработка интегрального цифрового устройства»
Вариант - 7
Цель работы: научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС)
Задание :
вариант уравнение мощность/ток время
7 Y_1=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅+X_1∙X_2∙X_3 I_(потр.ср)<60 мкА 〖t^1,0〗_(зд р)<120нс
Y_2=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅∙X_1∙X_2∙X_3
Y_3=(X_1 ) ̅+(X_2 ) ̅+(X_3 ) ̅+(X_4 ) ̅+(X_5 ) ̅
Цель пер
350 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. вариант №55
ScienceMonkey
: 22 февраля 2022
ЗАДАЧА № 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам,
приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже
таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами,
удовлетворяющими условиям (1) и (2).
ЗАДАЧА 2
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
По заданным характеристикам, приведенным в таблице 2.1 выбрать
транзисторы. Для выбора транзисторов использовать справочник транзисторов
(для выхода в справочник необ
310 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №29
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
ЗАДАЧА № 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
№ ВАРИАНТА
Предпоследняя цифра
2
Последняя цифра
9
400
360
Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой
ЗАДАЧА 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задание:
1.Осуществить выбор стабилит
580 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №3
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
ЗАДАЧА No 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
No ВАРИАНТА Последняя цифра 3
Предпоследняя цифра
0 Rн, Ом 400
U2, В 360
Тип выпрямителя Однополупериодный выпрямитель
ЗАДАЧА 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задание:
1.Осуществить
580 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР №1
Vladislaw
: 5 июня 2021
1. ВАХ диода
1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода
1.2 Исследование обратной ветви ВАХ диода
1.3 Графики прямой и обратной ветвей ВАХ диода Zelex BAV70
2. ВАХ стабилитрона
2.1 Исследование обратной ветви ВАХ стабилитрона
2.2 Исследование прямой ветви ВАХ стабилитрона
2.3 Графики прямой и обратной ветвей ВАХ стабилитрона motor 1n 1N5924B
200 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР №3
Vladislaw
: 5 июня 2021
1. Расчет и испытание транзисторного ключа
1.2 Расчёт и испытание транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
2. Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа
2.2 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
2.3 Передаточные характеристики (графические зависимости) транзисторных ключей.
200 руб.
Другие работы
ММА/ИДО Иностранный язык в профессиональной сфере (ЛТМ) Тест 20 из 20 баллов 2024 год
mosintacd
: 28 июня 2024
ММА/ИДО Иностранный язык в профессиональной сфере (ЛТМ) Тест 20 из 20 баллов 2024 год
Московская международная академия Институт дистанционного образования Тест оценка ОТЛИЧНО
2024 год
Ответы на 20 вопросов
Результат – 100 баллов
С вопросами вы можете ознакомиться до покупки
ВОПРОСЫ:
1. We have … to an agreement
2. Our senses are … a great role in non-verbal communication
3. Saving time at business communication leads to … results in work
4. Conducting negotiations with foreigners we shoul
150 руб.
Задание №2. Методы управления образовательными учреждениями
studypro
: 13 октября 2016
Практическое задание 2
Задание 1. Опишите по одному примеру использования каждого из методов управления в Вашей профессиональной деятельности.
Задание 2. Приняв на работу нового сотрудника, Вы надеялись на более эффективную работу, но в результате разочарованы, так как он не соответствует одному из важнейших качеств менеджера - самодисциплине. Он не обязателен, не собран, не умеет отказывать и т.д.. Но, тем не менее, он отличный профессионал в своей деятельности. Какими методами управления Вы во
200 руб.
Особенности бюджетного финансирования
Aronitue9
: 24 августа 2012
Содержание:
Введение
Теоретические основы бюджетного финансирования
Понятие и сущность бюджетного финансирования
Характеристика основных форм бюджетного финансирования
Анализ бюджетного финансирования образования
Понятие и источники бюджетного финансирования образования
Проблемы бюджетного финансирования образования
Основные направления совершенствования бюджетного финансирования образования
Заключение
Список использованный литературы
Цель курсовой работы – исследовать особенности бюджетного фин
20 руб.
Программирование (часть 1-я). Зачёт. Билет №2
sibsutisru
: 3 сентября 2021
ЗАЧЕТ по дисциплине “Программирование (часть 1)”
Билет 2
Определить значение переменной y после работы следующего фрагмента программы:
a = 3; b = 2 * a – 10; x = 0; y = 2 * b + a;
if ( b > y ) or ( 2 * b < y + a ) ) then begin x = b – y; y = x + 4 end;
if ( a + b < 0 ) and ( y + x > 2 ) ) then begin x = x + y; y = x – 2 end;
200 руб.