Онлайн Тест 5 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем.

Цена:
480 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 020F8313-69D0-4D67-B58B-CAD387C8E565.docx
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Вопрос №1
Что происходит в резистивном элементе?
Обратимое преобразование электромагнитной энергии в тепло или другие виды энергии
Ослабление электромагнитной энергии
Необратимое преобразование электромагнитной энергии в тепло или другие виды энергии
Нет правильного ответа

Вопрос №2
Как определяется дифференциальное сопротивление коллекторного перехода биполярного транзистора?
Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока коллектора при постоянном токе базы или эмиттера
Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока коллектора при постоянном напряжении коллектор-эмиттер
Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока коллектора при постоянном напряжении эмиттерного перехода
Нет правильного ответа

Вопрос №3
Как можно объяснить принцип работы биполярного транзистора, если физически он состоит из двух противоположно направленных диодов (p-n-переходов)?
Принцип работы заключается в том, что один p-n-переход проводит в прямом направлении, а другой при этом подвергается электрическому пробою (это означает, что важным параметром является длительность протекания тока - она должна быть небольшой)
Принцип работы заключается в том, что между его p-n-переходами существует взаимодействие – ток одного может управлять током другого (носители заряда, инжектированные через один из p-n-переходов, могут дойти до другого перехода, находящегося под обратным напряжением, и изменить его ток)
Принцип работы заключается в том, что проводимость транзистора идет в двух направлениях, от центрального электрода к боковым (или наоборот), соответственно составляющим его диодам
Принцип работы заключается в том, что p-n-переходы проводят ток попеременно - сначала коллекторный, потом эмиттерный, после чего транзистор закрывается на короткое время, а затем снова открывается
Нет правильного ответа

Вопрос №4
В индуктивном элементе происходит:
Накопление электрической энергии
Рассеивание электрической энергии
Накопление магнитной энергии
Рассеивание магнитной энергии
Нет правильного ответа

Вопрос №5
При последовательном соединении элементов R, L и C при отрицательных значениях реактивного сопротивления и угла сдвига фаз электрическая цепь в целом носит следующий характер:
Активно-емкостной
Индуктивный
Активно-индуктивный
Емкостной
Нет правильного ответа

Вопрос №6
Спектральная характеристика СИД - это зависимость:
Тока накачки от длины волны
Излучаемой мощности от длины волны излучения
Длины волны от мощности излучения
Длины волны от тока накачки
Нет правильного ответа

Вопрос №7
Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда к эмиттерному переходу приложено прямое напряжение, а к коллекторному - обратное?
Насыщения
Отсечки
Активный
Инверсный активный
Нет правильного ответа

Вопрос №8
Сколько p-n переходов содержит полупроводниковый диод?
Два
Три
Четыре
Нет правильного ответа

Вопрос №9
При отсутствии излучения через фотодиод течет...
Диффузионный ток
Прямой ток
Темновой ток
Нет правильного ответа

Вопрос №10
Устройство, преобразующее электрическую энергию в оптическую называют...
Передатчиком света
Приемником света
Регенератором света
Усилителем света
Нет правильного ответа

Вопрос №11
В чем заключается отличие физических процессов в биполярных и полевых транзисторах?
В биполярных транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков, а в полевых - переносом носителей заряда одного знака
И в биполярных, и в полевых транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков, только в биполярных учитывается перенос в обе стороны, а в полевых - только в одну сторону
И в биполярных, и в полевых транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда одного знака, но в биполярных имеется паразитный процесс переноса носителей другого знака, а в полевых такой паразитный процесс отсутствует
В биполярных транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда одного знака, а в полевых - переносом носителей заряда разных знаков
Нет правильного ответа

Вопрос №12
Конструкция полупроводникового лазера отличается от СИДа наличием...
Малыми габаритами
Дополнительного потенциального барьера
Пассивных областей
Резонаторов
Нет правильного ответа

Вопрос №13
Какое требование предъявляется к ширине базы биполярного транзистора?
Она должна быть больше диффузионной длины электрона, но меньше длины волны электрона
Она должна быть больше диффузионной длины и длины волны электрона
Она должна быть меньше диффузионной длины и длины волны электрона
Она должна быть равна меньшему из значений диффузионной длины и длины волны электрона
Нет правильного ответа

Вопрос №14
Почему электронные схемы должны иметь высокое входное и малое выходное сопротивление?
Потому что при построении многосхемного каскада выходной ток предыдущей схемы является входным током последующей, и падение напряжения должно перераспределяться таким образом, чтобы основная мощность выделялась на входе последующей схемы
Потому что на входе электронной схемы ток может значительно превышать выходной ток (выходной ток существенно снижается ввиду наличия падения напряжения на внутренних элементах схемы)
Потому что при возможном замыкании входов схемы накоротко ее структура должна оставаться целой, а выход схемы отдельно защищен от замыкания
Нет правильного ответа

Вопрос №15
Из каких элементов можно составить сглаживающие фильтры?
Из резисторов
Из конденсаторов
Из катушек индуктивности
Нет правильного ответа

Вопрос №16
Ватт-амперная характеристика светодиода - это зависимость:
Излучаемой мощности от напряжения на входе
Амплитуды напряжения от тока накачки
Сопротивления от тока накачки
Температуры от тока накачки
Нет правильного ответа

Вопрос №17
Устройство, преобразующее оптическую энергию в электрическую называют...
Передатчиком света
Приемником света
Регенератором света
Усилителем света
Нет правильного ответа

Вопрос №18
Как связаны между собой активное и реактивное сопротивление в режиме резонанса напряжений?
Равны между собой
Обратно пропорциональны
Прямо пропорциональны
Активное сопротивление в 2 раза больше реактивного
Активное сопротивление в 2 раза меньше реактивного
Нет правильного ответа

Вопрос №19
В чем заключается подобие идеализированных источников напряжения и тока?
Способны распределять в электрической цепи энергию источника
Способны отдавать в электрическую цепь энергию источника без потерь
Способны отдавать в электрическую цепь неограниченную по мощность
Нет правильного ответа

Вопрос №20
Укажите полярность напряжения на эмиттере и коллекторе транзистора типа p-n-p.
минус, плюс
плюс, минус
минус, минус
нет правильного ответа

=============================================

Дополнительная информация

Не нашли нужный ответ на тесты СибГУТИ? Пишите, пройду тест БЕСПЛАТНО!
Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.

E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Элементная база телекоммуникационных систем
Вариант 15 Задание 1 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). Задача 2 ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ Задача 3 АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
User radist2020 : 30 января 2022
600 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР2
1. Транзистор с управляющим p-n переходом 2.Транзистор с индуцированным каналом
User Vladislaw : 5 июня 2021
200 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 7
Контрольная работа по дисциплине «Элементная база телекоммуникационных систем» «Разработка интегрального цифрового устройства» Вариант - 7 Цель работы: научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС) Задание : вариант уравнение мощность/ток время 7 Y_1=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅+X_1∙X_2∙X_3 I_(потр.ср)<60 мкА 〖t^1,0〗_(зд р)<120нс Y_2=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅∙X_1∙X_2∙X_3 Y_3=(X_1 ) ̅+(X_2 ) ̅+(X_3 ) ̅+(X_4 ) ̅+(X_5 ) ̅ Цель пер
User antoxa231 : 15 марта 2025
350 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. вариант №55
ЗАДАЧА № 1 ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). ЗАДАЧА 2 АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА По заданным характеристикам, приведенным в таблице 2.1 выбрать транзисторы. Для выбора транзисторов использовать справочник транзисторов (для выхода в справочник необ
User ScienceMonkey : 22 февраля 2022
310 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. вариант №55
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №29
ЗАДАЧА № 1 ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). № ВАРИАНТА Предпоследняя цифра 2 Последняя цифра 9 400 360 Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой ЗАДАЧА 2 ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ Задание: 1.Осуществить выбор стабилит
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
580 руб.
promo
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №3
ЗАДАЧА No 1 ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). No ВАРИАНТА Последняя цифра 3 Предпоследняя цифра 0 Rн, Ом 400 U2, В 360 Тип выпрямителя Однополупериодный выпрямитель ЗАДАЧА 2 ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ Задание: 1.Осуществить
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
580 руб.
promo
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР №1
1. ВАХ диода 1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода 1.2 Исследование обратной ветви ВАХ диода 1.3 Графики прямой и обратной ветвей ВАХ диода Zelex BAV70 2. ВАХ стабилитрона 2.1 Исследование обратной ветви ВАХ стабилитрона 2.2 Исследование прямой ветви ВАХ стабилитрона 2.3 Графики прямой и обратной ветвей ВАХ стабилитрона motor 1n 1N5924B
User Vladislaw : 5 июня 2021
200 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР №3
1. Расчет и испытание транзисторного ключа 1.2 Расчёт и испытание транзисторного ключа на p-n-p транзисторе 2. Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа 2.2 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на p-n-p транзисторе 2.3 Передаточные характеристики (графические зависимости) транзисторных ключей.
User Vladislaw : 5 июня 2021
200 руб.
Компоновка подземного оборудования СШНУ, Схема компоновки глубинного оборудования-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
Компоновка подземного оборудования СШНУ, Схема компоновки глубинного оборудования-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
400 руб.
Компоновка подземного оборудования СШНУ, Схема компоновки глубинного оборудования-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
Контрольная работа по предмету. Психология и педагогика. 2-й семестр. Тема №16
Тема №16. Мотивы и потребности. Содержание 1. Потребности и мотивы личности 2. Мотив и мотивация. 3. Мотивация и деятельность. 4. Мотивация и личность. 5. Заключение. 6. Список использованной литературы.
User Landscape : 29 января 2014
50 руб.
Изделие сварное. Вариант 6 - Кронштейн
С.К. Боголюбов. Индивидуальные задания по курсу черчения. Выполнение чертежей сварных изделий. Задание 82. Вариант 6 - Кронштейн. Выполнить сборочный чертеж сварного изделия. Выполнить чертежи всех деталей, входящих в сборочный чертеж. В состав работы входит: По заданию выполненный сборочный чертеж изделия; Спецификация; Чертежи всех деталей, входящих в сборочный чертеж; 3D модели деталей и сборка. Выполнено в программе Компас.
User .Инженер. : 15 сентября 2025
150 руб.
Изделие сварное. Вариант 6 - Кронштейн promo
Основы мультимедийных технологий. контрольная работа. вариант 6. способы создания компьютерных шрифтов.
ПЛАН: 1. ПОНЯТИЕ ШРИФТОВ………………………….……………………………..3 2. ВИДЫ КОМПЬЮТЕРНЫХ ШРИФТОВ………………………………..……7 3. КЛАССИФИКАЦИЯ ШРИФТОВ…………………………………………...11 4. ХАРАКТЕРИСТИКИ ШРИФТА…………………………………………….14 5. СПОСОБЫ СОЗДАНИЯ КОМПЬЮТЕРНЫХ ШРИФТОВ………………..15 5.1. Традиционная схема создания шрифта……………………………………15 5.2. Программные средства создания шрифтов………………………………..17 5.3. Конверторы шрифтов……………………………………………………….20
User Ирина36 : 19 сентября 2022
300 руб.
up Наверх