Контрольная работа №1 «Элементная база телекоммуникационных систем»
-
Категории:
СибГУТИ, Элементная база телекоммуникационных систем, Работа Контрольная
-
Добавлен:
21.06.2023
-
Размер:
54 KB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
balaixov
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
389AA630-9637-4D07-AF15-305A15409B62.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3 Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4 Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5 Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2 Исходные данные
Наноэлектронное изделие представляет собой интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), приведенную в таблице 2.1.
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, приведены в таблицах 2.2-2.5.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3 Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4 Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5 Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
2 Исходные данные
Наноэлектронное изделие представляет собой интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), приведенную в таблице 2.1.
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, приведены в таблицах 2.2-2.5.
Дополнительная информация
Работа зачтена, 2023 г.
Для связи — balaixov@ya.ru
Помогу закрыть сессию СибГУТИ / другого вуза любой сложности. Решу задачи любой сложности.
Для связи — balaixov@ya.ru
Помогу закрыть сессию СибГУТИ / другого вуза любой сложности. Решу задачи любой сложности.
Похожие материалы
Элементная база телекоммуникационных систем
radist2020
: 30 января 2022
Вариант 15
Задание 1
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Задача 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задача 3
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
radist2020
: 30 января 2022
600 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем СибГУТИ ДО Контрольная работа №1 (1 Вариант)
alcopec
: 13 февраля 2024
Контрольная работа (1 Вариант)
Анализ технико-экономической эффективности внедрения
наноэлектронных изделий
1. Intel Core 2 Duo E6300 KT316A 6С62Н ATF1500AL
alcopec
: 13 февраля 2024
125 руб.
Контрольная работа 1.Элементная база телекоммуникационных систем.2 семестр.Вариант 09
Максим33
: 15 мая 2020
ЗАДАЧА No 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения Б, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Таблица 1 – Варианты задания
No ВАРИАНТА Последняя цифра 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
Предпоследняя цифра
0
Rн Ом 100 200 300 400 500 1000 100 200 100 400
U2, В 110 220 360 360 110 220 110 220 110 360
Тип
Максим33
: 15 мая 2020
200 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем (Вариант 5)
hellofromalexey
: 24 марта 2020
ЗАДАЧА № 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения Б, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Rн, Ом = 1000
U2, В = 220
Тип выпрямителя Мостовая схема
ЗАДАЧА 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задание:
1.Осуществить выбор стабилитрона из Приложения Б.
2.Осуществить проверку схемы по
hellofromalexey
: 24 марта 2020
450 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР2
Vladislaw
: 5 июня 2021
1. Транзистор с управляющим p-n переходом
2.Транзистор с индуцированным каналом
Vladislaw
: 5 июня 2021
200 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 7
antoxa231
: 15 марта 2025
Контрольная работа по дисциплине
«Элементная база телекоммуникационных систем»
«Разработка интегрального цифрового устройства»
Вариант - 7
Цель работы: научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС)
Задание :
вариант уравнение мощность/ток время
7 Y_1=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅+X_1∙X_2∙X_3 I_(потр.ср)<60 мкА 〖t^1,0〗_(зд р)<120нс
Y_2=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅∙X_1∙X_2∙X_3
Y_3=(X_1 ) ̅+(X_2 ) ̅+(X_3 ) ̅+(X_4 ) ̅+(X_5 ) ̅
Цель пер
antoxa231
: 15 марта 2025
300 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. вариант №55
ScienceMonkey
: 22 февраля 2022
ЗАДАЧА № 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам,
приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже
таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами,
удовлетворяющими условиям (1) и (2).
ЗАДАЧА 2
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
По заданным характеристикам, приведенным в таблице 2.1 выбрать
транзисторы. Для выбора транзисторов использовать справочник транзисторов
(для выхода в справочник необ
ScienceMonkey
: 22 февраля 2022
310 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №29
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
ЗАДАЧА № 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
№ ВАРИАНТА
Предпоследняя цифра
2
Последняя цифра
9
400
360
Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой
ЗАДАЧА 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задание:
1.Осуществить выбор стабилит
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
580 руб.
Другие работы
Подшипник. Задание 82. Вариант 18
bublegum
: 26 октября 2020
Подшипник Задание 82 Вариант 18
Выполнить сборочный чертеж сварного соединения.
Выполнить чертежи всех деталей входящих в сборочный чертеж.
В том случае ,когда сварное изделие несложное, его детали можно изготовить непосредственно по сборочному чертежу. На сборочном чертеже при этом наносят все размеры, необходимые для изготовления деталей. В спецификации в графе Формат проставляют символ БЧ(без чертежа), приводят обозначение и наименование деталей, их количество.
3d модель и чертежи (все на
bublegum
: 26 октября 2020
150 руб.
Теплотехника СтГАУ Контрольная работа 1 Задача 1 Вариант 68
Z24
: 28 января 2026
Стальной трубопровод с внутренним диаметром d1 и наружным d2 с коэффициентом теплопроводности λ=50 Вт/(м·К) покрыт слоем тепловой изоляции. Температура стенки внутри трубы равна tc1, а температура наружной поверхности слоя изоляции tc3 должна составлять по санитарным нормам 50 ºC.
Определить необходимую толщину слоя тепловой изоляции из материала, указанного в табл. 4 при условии, что потеря тепла с 1 м трубы не должны превышать ql. Определить также температуру tc2 поверхности трубы, соприкас
Z24
: 28 января 2026
200 руб.
Ответы на вопросы экзамена: Мировая экономика
lyianya
: 4 мая 2016
1. Понятие, общая характеристика, предпосылки и этапы формирования мировой экономики.
2. Характеристика современного этапа формирования мировой экономики. Тенденции и прогнозы развития мировой экономики.
3.Сущность и содержание процесса глобализации мировой экономики.
4. Международное разделение труда (МРТ). Объективные основы формирования и этапы развития.
5.Сущность и формы процесса интернационализации мирового производства.
6.Теории международной торговли и тенденции развития её динамики и ст
lyianya
: 4 мая 2016
100 руб.
Гидростатика и гидродинамика ТИУ Задача 2.1 Вариант 19
Z24
: 31 декабря 2026
По напорному трубопроводу диаметром d, м, перекачивается мазут, имеющий кинематическую вязкость ν = 1,5 Ст (стокс). Расход мазута составляет Q, л/с. Определить режим движения жидкости.
Z24
: 31 декабря 2026
120 руб.
