Исследование статических характеристик биполярного транзистора

Цена:
50 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 014A6A4B-A064-4754-A31F-10C566AAD122.docx [ 999 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

1 . Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Подготовка к работе
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур. 2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.

Похожие материалы

Исследование статических характеристик биполярного транзистора
1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы (с точки зрения состояния переходов). 2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы. 2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процессы
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик биполярного транзистора»
1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы ( с точки зрения состояния переходов). 2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы. 2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процесс
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 1. Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). 2. Отчет о работе 2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1. 2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User ramzes14 : 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Билет № 10 1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры. 2. Определение H - параметров по характеристикам БТ. Биполярный транзистор в схемотехнических приложениях представляют как четырехполюсник и рассчитывают его параметры для такой схемы. Для транзистора как четырехполюсника характерны два значения тока I1 и I2 и два значения напряжения U1 и U2 (рис. 7).
СибГУТИ Работа Зачетная Электроника физическая
User JuliaRass : 23 января 2011
150 руб.
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Лабораторная работа №2 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр Для данной работу задание одно, вариант не выбирается Исследование статических характеристик биполярного транзистора Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User DaemonMag : 4 февраля 2010
30 руб.
Вариант №3. исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Отчет о работе 2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1. 2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В (график 1). Результаты измерений з
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User MK : 3 октября 2016
152 руб.
Вариант №4. исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Отчет о работе 2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1. 2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В (график 1). Результаты измерений за
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User MK : 14 сентября 2016
172 руб.
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Антон28 : 8 августа 2025
1500 руб.

Другие работы

Из истории московского книгопечатания
С чего начинается учебный год? В том числе, и со знакомства с новыми учебниками. Собственно учеба еще и не началась, а вы уже с интересом разглядываете те учебники, которые будут вашими спутниками на целый год, а порою, и дольше. И никакие технические новинки не способны пока вытеснить книгу из нашей жизни. Древнейшие книги были рукописными, а создавались они в монастырях, в том числе и московских – Чудовом, Вознесенском, Спасо-Андрониковом, Симонове, Троице-Сергиевом… Так было до середины XVI в
История Работа
User Aronitue9 : 25 августа 2013
30 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Сетевое программное обеспечение. Билет №15
Билет 15 1. Архитектура TCP/IP. Логическая структура СПО. Соответствие протоколов TCP/IP и OSI. 2. Взаимодействие между процессами в компьютерных сетях NetWare. Основные операции взаимодействия. 3. Байтстаффинг. Алгоритм и процедура байтстаффинга при вводе.
ДО СИБГУТИ Сетевое программное обеспечение Работа Экзаменационная
User SibGOODy : 18 марта 2018
500 руб.
promo
Контрольная работа по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств. Вариант 03
Задача № 1 Начертить принципиальную схему однотактного резисторного каскада предварительного усиления на БТ, включенном по схеме с ОЭ с эмитерной стабилизацией точки покоя. Рассчитать параметры элементов схемы, режим работы каскада по постоянному току, коэффициент усиления в области средних частот, входные параметры каскада и амплитуду входного сигнала. Исходные данные для расчетов приведены в таблицах 1 и 2. Таблица 1 – Исходные данные Предпоследняя цифра пароля: 0 Технические данные: - Марк
ДО СИБГУТИ Схемотехника телекоммуникационных устройств Работа Контрольная
User Учеба "Под ключ" : 11 декабря 2022
700 руб.
promo
Контрольная работа по дисциплине: «Техника мультисервисных сетей». Вариант №22.
Задание 1 Между двумя цифровыми ГТС М потоков Е1, в которых занято N со-единительных линии. Определите количество (М) потоков Е1, которое требу-ется для передачи данных между ГТС, приведите рисунок и подробное описа-ние цикла последнего Е1. Приведите технические параметры оптического мультиплексора, осуществляющего передачу потоков Е1 между ГТС. Вариант: 22 Количество соединительных линий: 305 Оптический мультиплексор: ГМ-1Gx Задание 2 Определить среднее значение величины битовой скорости в ло
ДО СИБГУТИ Техника мультисервисных сетей Работа Контрольная
User teacher-sib : 30 августа 2023
600 руб.
promo
up Наверх