Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №30
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Вариант №30
Задание №1
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Исходные данные:
U_СИ0=9 В;
U_ЗИ0=-3,2 В;
Строим характеристику прямой передачи:
, В
0 -0,4 -0,8 -1,2 -1,6 -2 -2,4
, мА
4,77 3,77 2,8 1,95 1,3 0,7 0,3
Задание №2
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Исходные данные:
U_КЭ=30 В;
Решение:
, мА
2,5 7,5 12,5 17,5 22,5 27,5
, В
0,15 0,05 0,04 0,035 0,03 –
, Ом
30 10 8 7 6 –
Задание №3
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Исходные данные:
Принципиальная схема элемента - Рис. 1а
Принципиальная схема элемента - 5
Напряжение питания, В. - 2
Пороговые напряжения МДП транзисторов VT1 и VT2 - 1
На схеме изображен элемент НЕ на nМОП-транзисторах с положительным источником питания.
Задача №4
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.
Исходные данные:
R_1=1 кОм;
R_2=10 кОм;
R_3=0,82 кОм;
U_вх=100 мВ;
U_пит=6 В;
Решение:
=============================================
Задание №1
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Исходные данные:
U_СИ0=9 В;
U_ЗИ0=-3,2 В;
Строим характеристику прямой передачи:
, В
0 -0,4 -0,8 -1,2 -1,6 -2 -2,4
, мА
4,77 3,77 2,8 1,95 1,3 0,7 0,3
Задание №2
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Исходные данные:
U_КЭ=30 В;
Решение:
, мА
2,5 7,5 12,5 17,5 22,5 27,5
, В
0,15 0,05 0,04 0,035 0,03 –
, Ом
30 10 8 7 6 –
Задание №3
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Исходные данные:
Принципиальная схема элемента - Рис. 1а
Принципиальная схема элемента - 5
Напряжение питания, В. - 2
Пороговые напряжения МДП транзисторов VT1 и VT2 - 1
На схеме изображен элемент НЕ на nМОП-транзисторах с положительным источником питания.
Задача №4
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.
Исходные данные:
R_1=1 кОм;
R_2=10 кОм;
R_3=0,82 кОм;
U_вх=100 мВ;
U_пит=6 В;
Решение:
=============================================
Дополнительная информация
Проверил(а): Борисов Александр Васильевич
Оценка: Отлично
Дата оценки: 04.10.2023г.
Помогу с вашим вариантом, другой дисциплиной, онлайн-тестом, либо сессией под ключ.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Оценка: Отлично
Дата оценки: 04.10.2023г.
Помогу с вашим вариантом, другой дисциплиной, онлайн-тестом, либо сессией под ключ.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
350 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант 14
Roma967
: 14 октября 2024
Задача 1
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные представлены в таблице 1.1.
Таблица 1.1 - Исходные данные.
№ варианта: 14
Тип ПТ: КП302А
Uси0, В: 6
Uзи0, В: -2,5
Задача 2
Используя характеристики заданного биполя
1500 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант 31
SibGOODy
: 10 июля 2023
Задача 1
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные представлены в таблице 1.1.
Таблица 1.1 - Исходные данные к задаче №1
№ варианта: 31
Тип ПТ: КП307Ж
UСИ0, В: 9
UЗИ0, В: -4
Задача 2
Используя характеристики задан
1000 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант 11
SibGOODy
: 10 июля 2023
Задача 1
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные представлены в таблице 1.1.
Таблица 1.1 - Исходные данные к задаче №1
№ варианта: 11
Тип ПТ: КП903Б
UСИ0, В: 5
UЗИ0, В: -4
Задача 2
Используя характеристики задан
1000 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №04
IT-STUDHELP
: 3 июля 2023
Контрольная работа
Вариант №04
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные: КП303Д; U_CИ0=10B; U_ЗИ0=-8В.
------------------------------------------------------------------------------
Задача 2.
Используя
400 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №19
IT-STUDHELP
: 29 апреля 2023
Вариант №19
Задача №1
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Полевой транзистор КП307Ж,
UСИ0, В = 7,
UЗИ0, В = - 4
---------
400 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №10
IT-STUDHELP
: 25 декабря 2022
Контрольная работа
Вариант №10
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, R_i, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные: КП903A; U_CИ0=10B; U_ЗИ0=-8В.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистор
400 руб.
Другие работы
Теплотехника МГУПП 2015 Задача 1.1 Вариант 47
Z24
: 6 января 2026
В баллоне емкостью V при температуре t и давлении p содержится газовая смесь, объемный состав которой следующий: RO2, RN2 и RCO2.
Определить массу газа.
150 руб.
Объектно-ориентированная СУБД (прототип)
Slolka
: 1 октября 2013
Введение............................................................................................................................................ 3
1.1 Причины появления объектно-ориентированных баз данных.................................................. 3
1.2 Подходы в разработке ООБД.......................................................................................................... 4
1.3 Краткий сравнительный анализ постреляционных и традиционных баз данных................. 5
1.4
10 руб.
Свободные Экономические Зоны на примере Калининградской области
Elfa254
: 11 ноября 2013
Свободные экономические зоны (СЭЗ) прочно вошли в мировую хозяйственную практику и действуют в различных странах. Сейчас в мире, по разным данным, от 400 до 2000 СЭЗ, но, как отмечено, к этому перечню нельзя с полным основанием отнести ни одну российскую, поскольку те образования, которые в России называются "свободными экономическими зонами", не удовлетворяют международным требованиям, предъявляемым к такого рода зонам.
Более того, несмотря на неоднократные попытки создания реально функциониру
5 руб.
Невербальные коммуникации
Elfa254
: 24 марта 2013
Невербальное общение включает в себя пять подсистем.
Обмен невербальной информацией.
Общее представление о языке телодвижений.
Восприимчивость, Интуиция и Предчувствия.
10 руб.