Контрольная работа По дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем- АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Содержание
Цель работы 3
1. Исходные данные 3
2. Задания к практическим занятиям 5
3. Расчёты 6
3.1. Определение выигрыша во времени безотказной работы 6
3.2. Определение выигрыша по занимаемому объему 9
3.3. Определение выигрыша в массе 11
3.4. Определение выигрыша по потребляемой мощности 12
3.5. Определение выигрыша в стоимости 14
Список использованных источников 15
Цель работы:
Оценить технико-экономическую эффективность внедрения изделий наноэлектроники.
1. Исходные данные
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (таблица 1.1).
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, показаны в таблицах 1.2–1.5.
Интенсивности отказов элементов показаны в таблице 1.6.
Цель работы 3
1. Исходные данные 3
2. Задания к практическим занятиям 5
3. Расчёты 6
3.1. Определение выигрыша во времени безотказной работы 6
3.2. Определение выигрыша по занимаемому объему 9
3.3. Определение выигрыша в массе 11
3.4. Определение выигрыша по потребляемой мощности 12
3.5. Определение выигрыша в стоимости 14
Список использованных источников 15
Цель работы:
Оценить технико-экономическую эффективность внедрения изделий наноэлектроники.
1. Исходные данные
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (таблица 1.1).
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, показаны в таблицах 1.2–1.5.
Интенсивности отказов элементов показаны в таблице 1.6.
Дополнительная информация
Проверила: Игнатов А.Н.
Новосибирск, 2023 г.
Новосибирск, 2023 г.
Похожие материалы
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ - Контрольная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 16
Roma967
: 15 февраля 2024
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. табл. 1.1).
Таблица 1.1 - Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля: 16
Тип наноизделия: Dual-Core Intel Xeon 5160
Тип транзистора: КТ371А
Тип ЭВП: 6Э12Н
Тип БИС: ATF1508ASV
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов,
1000 руб.
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ - Контрольная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 07
triton88
: 22 декабря 2023
Контрольная работа
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзист
850 руб.
Контрольная работа АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ. Вариант №6.
Grechikhin
: 28 марта 2023
Задание
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3 Определить выигрыш по массе наноэлек
300 руб.
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ - Контрольная работа по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант 36
Roma967
: 28 марта 2024
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Содержание
Цель работы 3
1. Исходные данные 3
2. Задания к практическим занятиям 6
3. Расчёты 7
3.1. Определение выигрыша во времени безотказной работы 7
3.2. Определение выигрыша по занимаемому объему 9
3.3. Определение выигрыша в массе 10
3.4. Определение выигрыша по потребляемой мощности 11
3.5. Определение выигрыша в стоимости 13
Список использованных источников 14
Цель работы
Оценить технико-экономическую эффе
1000 руб.
Контрольная работа По дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем
Виктория30
: 30 ноября 2022
ЗАДАЧА № 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам,
приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами,
удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Таблица 1.1 – Исходные данные
№ ВАРИАНТА Последняя
цифра
8
Предпослед няя
цифра
5
Rн, Ом 400
U2, В 360
Тип выпрямителя Двухполупериодный
выпрямитель со средней точкой
ЗАДАЧА № 2
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТО
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Элементная база телекоммуникационных систем"
Oksgus
: 13 июля 2022
1. Цель работы
Оценить технико-экономическую эффективность внедрения изделий наноэлектроники.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса
Классификация и система обозначений электронных приборов и интегральных схем.
Технико-экономические показатели радиоаппаратуры разных поколений.
3. Выбор варианта
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. т
450 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем
radist2020
: 30 января 2022
Вариант 15
Задание 1
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Задача 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задача 3
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
600 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №12
IT-STUDHELP
: 15 мая 2026
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Цель работы
Оценить технико-экономическую эффективность внедрения изделий наноэлектроники.
1. Исходные данные
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (таблица 1.1).
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствую
700 руб.
Другие работы
Теплотехника Задача 26.64 Вариант 81
Z24
: 11 февраля 2026
По стальной трубе, с внешним диаметром dн и толщиной стенки δ течет вода, средняя температура которой tв. По внутренней (или наружной) поверхности труба покрыта слоем накипи λнак=0,8 Вт/(м·К), толщиной 2 мм. Снаружи трубопровод охлаждается воздухом с температурой tвоз при коэффициенте теплоотдачи α2. Коэффициент теплоотдачи от воды к стенке трубопровода α1, коэффициент теплопроводности материала трубы λтр=28 Вт/(м·К).
Определить:
— коэффициент теплопередачи;
— погонный тепловой поток;
200 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 12 Вариант 91
Z24
: 2 января 2026
Вычислить дебит артезианской скважины при условии, что мощность водоносного пласта t = (15 + 0,5·y) м; диаметр скважины d = (30 + 0,5·z) см; глубина откачки S = (6 + 1·y) = 10 м; радиус влияния R = (150 + 10·z) м; коэффициент фильтрации k = (10 + 1·y) м/сут (рис. 12).
120 руб.
Матричные операции в вейвлетном базисе
Qiwir
: 9 августа 2013
Введение
Вейвлет-преобразование сигналов (wavelet transform), теория которого оформилась в начале 90-х годов, является не менее общим по областям своих применений, чем классическое преобразование Фурье. Принцип ортогонального разложения по компактным волнам состоит в возможности независимого анализа функции на разных масштабах ее изменения. Вейвлет-представление сигналов (функций времени) является промежуточным между полностью спектральным и полностью временным представлениями.
Компактные волны
Лабораторная работа №3 по физическим основам электроники
ramzes14
: 9 ноября 2012
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Отчет о работе
2.1. Снять передаточную характеристику IC = F(U3И) (график 2.1). Результаты измерений занести в таблицу 2.1. Определить напряжение отсечки U3ИО (определить напряжение U3И, при котором ток стока снизится примерно до 10 мкА) На рис. 2.1 приведена схема для снятия статических передаточных характеристик полевого т
70 руб.