Курсовой проект по дисциплине: «Электроника» «Разработка интегрального аналогового устройства» Вариант 17
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Электроника, Работа Курсовая
-
Добавлен:
22.12.2023
-
Размер:
2 MB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
triton88
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Курсовая.doc
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
П.1 Исходные данные курсовой работы на тему "Разработка интегрального аналогового устройства"
Разработать принципиальную схему и выполнить расчет двухкаскадной схемы усилителя с использованием полевого и биполярного транзисторов.
1. Разработка структурной схемы.
2. Разработка принципиальной схемы.
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики
4. Разработка интегральной микросхемы.
Вывод
ЛИТЕРАТУРА
1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. –М.: Сов. Радио, 1980,-424стр.
2. Прянишников В.А. Электроника. Курс лекций. – СПб: Корона-принт, 1998, -400 стр.
3. Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И. Аналоговая и цифровая электроника: Учебник для вузов. – М.: Горячая линия - Телеком, 2003.
4. Конспект лекций.
Зачет. Год 2023
Проверила: Игнатов А.Н.
Разработать принципиальную схему и выполнить расчет двухкаскадной схемы усилителя с использованием полевого и биполярного транзисторов.
1. Разработка структурной схемы.
2. Разработка принципиальной схемы.
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики
4. Разработка интегральной микросхемы.
Вывод
ЛИТЕРАТУРА
1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. –М.: Сов. Радио, 1980,-424стр.
2. Прянишников В.А. Электроника. Курс лекций. – СПб: Корона-принт, 1998, -400 стр.
3. Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И. Аналоговая и цифровая электроника: Учебник для вузов. – М.: Горячая линия - Телеком, 2003.
4. Конспект лекций.
Зачет. Год 2023
Проверила: Игнатов А.Н.
Похожие материалы
Электроника. Разработка интегрального аналогового устройства. Вариант №17
tchestr
: 18 января 2013
В данной работе разрабатывается двухкаскадный усилитель, предназначенный для усиления гармонических сигналов в диапазоне звуковых частот, выполняемый в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИМС). Гибридные интегральные микросхемы представляют собой микросхемы, которые содержат кроме элементов, неразрывно связанных с подложкой, компоненты, которые могут быть выделены как самостоятельное изделие. Главные достоинства ГИМС состоят в том, что они имеют малые размеры
tchestr
: 18 января 2013
100 руб.
Курсовая работа. Электроника. РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО АНАЛОГОВОГО УСТРОЙСТВА
nasiknice
: 2 декабря 2020
Вариант 10 РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО АНАЛОГОВОГО УСТРОЙСТВА.
nasiknice
: 2 декабря 2020
500 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Mikhasolodovnik
: 11 февраля 2019
Вариант №10;
По указанию преподавателя напряжение питание принимаю равным 10В, так как это максимально допустимое напряжение для полевого транзистора 2П201А.
UПИТ = -10 В;
Коэффициент усиления по напряжению KU = 8 раз;
Входное сопротивление RВХ = 0,33 МОм;
Сопротивление нагрузки RН = 2 кОм;
Номинальное напряжение UНОМ = 2 В;
Нижняя рабочая частота FН = 50 Гц;
Верхняя рабочая частота FВ = 10 кГц;
Коэффициент частотных искажений на нижней частоте MН = 1 дБ;
Коэффициент частотных искажений на верх
Mikhasolodovnik
: 11 февраля 2019
1000 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Adam
: 26 сентября 2017
Введение 4
1. Разработка структурной схемы 7
2. Разработка принципиальной схемы 8
3. Разработка интегральной микросхемы 10
3.1 Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов 10
4. Расчёт первого каскада на VT1 13
5. Расчёт ёмкостей СР1, СК, СР2, СР3. 14
6. Расчет АЧХ. 15
7. Выбор навесных элементов и расчёт конфигурации плёночных элементов 16
8. Этапы изготовления ГИМС 21
Литература 24
Adam
: 26 сентября 2017
300 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Эрик4
: 9 апреля 2017
Исходные данные:
1. Напряжение источника питания - Uпит = +15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению - Кu = 13.
3. Входное сопротивление - Rвх = 2,7 МОм.
4. Сопротивление нагрузки - Rн = 2 кОм.
5. Номинальное входное напряжение - Uном = 3 В.
6. Нижняя рабочая частота (НРЧ) - fн = 300 Гц.
7. Верхняя рабочая частота (ВРЧ) - fв = 3,4 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на НРЧ - Мн =3 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на ВРЧ - Мв =3 дБ.
10. Тип входа - Н.
11. Тип выхода - С.
Эрик4
: 9 апреля 2017
200 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Dctjnkbxyj789
: 16 января 2016
Исходные данные курсовой работы:
Напряжение источника питания U_пит=-12 В;
Коэффициент усиления по напряжению K_u=8;
Входное сопротивление R_вх=0,33 МОм;
Сопротивление нагрузки R_Н=2кОм;
Номинальное выходное напряжение U_ном=2 В;
Нижняя рабочая частота f_н=50 Гц;
Верхняя рабочая частота f_в=10 кГц;
Частотные искажения (НЧ) М_н=1 дБ;
Частотные искажения (ВЧ) М_в=1 дБ;
Тип входа – несимметричный;
Тип выхода – несимметричный.
Dctjnkbxyj789
: 16 января 2016
100 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
nik5590585
: 22 января 2015
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС).
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ варианта 02
1. Напряжение источника питания UПИТ = + 9 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 6.
3. Входное сопротивление: RВХ = 5,1 МОм.
4. Выходное сопротивление: RН = 1,0 кОм.
5. Выходное номинальное напряжение UНОМ = 1 В.
6. Нижняя рабочая частота: fН = 50 Гц.
7. Верхняя рабочая частота: FВ
nik5590585
: 22 января 2015
360 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Amor
: 10 июня 2013
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
Amor
: 10 июня 2013
150 руб.
Другие работы
«Исследование зануления»
vovan1441
: 10 апреля 2019
познакомиться с особенностями
использования трёхфазных четырёхпроводных
сетей переменного тока напряжением до 1000В.
vovan1441
: 10 апреля 2019
200 руб.
Задачник по процессам тепломассообмена Задача 1.37 Вариант 1г
Z24
: 23 октября 2025
В нагревательной печи, где температура газов tж1, стенка сделана из трех слоев: динасового кирпича толщиной 60 мм, красного кирпича толщиной 250 мм и снаружи слоя изоляции толщиной δиз. Воздух в цехе имеет температуру tж2. Коэффициент теплоотдачи в печи от газов к стенке α1, снаружи от изоляции к воздуху α2. Найти коэффициент теплопередачи от газов к воздуху, потери теплоты через стенку, температуры на поверхностях всех слоев. Построить график температур в стенке.
Z24
: 23 октября 2025
180 руб.
Термодинамика и теплопередача СамГУПС 2012 Задача 4 Вариант 5
Z24
: 7 ноября 2025
Определить объемный состав смеси идеальных газов, заданной в массовых долях (см. задачу 3), парциальные давления ее компонентов при абсолютном давление смеси р, а также средние изобарные мольную и объемную теплоемкости смеси в интервале температур от 0 ºС до t.
Z24
: 7 ноября 2025
150 руб.
Инвестиционные риски. Виды и сущность
alfFRED
: 25 марта 2014
ВВЕДЕНИЕ
Инвестиции (от лат. investre — облачать) — долгосрочные вложения государственного или частного капитала в собственной стране или за рубежом с целью получения дохода в предприятия разных отраслей, предпринимательские проекты, социально-экономические программы, инновационные проекты.1
В рыночной экономике существуют различные возможности для инвестиционных вложений. При выборе юридическим или физическим лицом направления вложения капитала одним из основных критериев служит оценка инвестиц
alfFRED
: 25 марта 2014
10 руб.
