Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Экзамен. Билет 7.

Цена:
83 руб.

Состав работы

material.view.file_icon BDBFA3B3-1DFE-4F71-BF81-515B8F67A35C.rar [ 201 KB ]
material.view.file_icon 07.docx [ 223 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1. Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

зачтено без замечаний, январь 2023, Борисов А.В.

Похожие материалы

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №7
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
200 руб.
promo
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User Алексей134 : 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
1. Статические характеристики полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные ха
Электротехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User aikys : 18 июня 2016
65 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Экзамен. Билет № 7
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покаж
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User tusur : 25 июня 2014
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
******* Не известно Электротехника, электроника и схемотехника Работа Контрольная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.

Другие работы

ИГ.05.10.01 - Корпус. Виды
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16 Вариант 10 ИГ.05.10.01 - Корпус. Виды 1. По прямоугольной изометрической проекции построить главный вид, вид сверху и вид слева. Показать линии невидимого контура. 2. Нанести размеры. В состав работы входят 4 файла: - 3D модель данной детали, расширение файла *.m3d; - ассоциативный чертеж формата А3 в трёх видах с линиями невидимого контура и проставленными размерами, выполненый по данной 3D модели, расширение файла *.cdw; - аналогичный обычный чертеж,
СибГАУ Чертежи Инженерная графика
User Чертежи СибГАУ им. Решетнева : 25 октября 2021
100 руб.
ИГ.05.10.01 - Корпус. Виды
Разработка конструкции и технологического процесса изготовления заготовки детали - «Вал-шестерня»
При выполнении курсовой работы я получил навыки по разработке технологического процесса. С помощью литературы получил навыки расчетов: o при определении потребного количества оборудования o определения усилия зажима применяемой оснастки Также получил навык расчета и проектирования технологической оснастки. Научился разрабатывать технологический маршрутный процесс для изготовления данной детали. Произвел выбор оборудования для изготовления детали Вал-шестерня. Осуществил выбор средств ко
Технология машиностроения Работа Курсовая
User Рики-Тики-Та : 5 сентября 2011
55 руб.
Лабораторные работы №1, №2, №3 по дисциплине: Техника мультисервисных сетей. Вариант 2
Лабораторная работа № 1 “Изучение гибкого мультиплексора Маком-МХ” Цель работы: - изучение принципов построения современных систем передачи плезиохронной цифровой иерархии на примере гибкого мультиплексора Маком-МХ - измерение амплитудно-частотной характеристики канала. Рекомендации по выполнению: 1. Программный интерфейс лабораторной работы состоит из разделов: введение теория с текущим тестированием измерение амплитудно-частотной характеристики канала Задачи 2. Следуя подска
ДО СИБГУТИ Техника мультисервисных сетей Работа Лабораторная
User SibGUTI2 : 29 марта 2026
650 руб.
Лабораторные работы №1, №2, №3 по дисциплине: Техника мультисервисных сетей. Вариант 2
Курсовая работа по предмету "Электроника" Разработка интегрального аналогового устройства. Вариант №12
Содержание курсовой работы. 1. Техническое задание. 2. Введение. 3. Разработка структурной схемы. 4. Разработка принципиальной схемы. 5. Разработка интегральной микросхемы. 6. Заключение. 7. Список литературы. 8. Приложение: а.) Схема электрическая принципиальная. б.) Эскиз устройства. в.) Спецификация компонентов устройства. 1. Техническое задание. 1. Разработать электрическую схему аналогового устройства (Усилителя низкой частоты) на основе биполярных и полевых транзисторов. 2.
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User gumar75 : 8 октября 2013
250 руб.
Курсовая работа по предмету "Электроника" Разработка интегрального аналогового устройства. Вариант №12
up Наверх