Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Экзамен. Билет 7.

Цена:
83 руб.

Состав работы

material.view.file_icon BDBFA3B3-1DFE-4F71-BF81-515B8F67A35C.rar [ 201 KB ]
material.view.file_icon 07.docx [ 223 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1. Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

зачтено без замечаний, январь 2023, Борисов А.В.

Похожие материалы

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №7
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
200 руб.
promo
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User Алексей134 : 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
1. Статические характеристики полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные ха
Электротехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User aikys : 18 июня 2016
65 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Экзамен. Билет № 7
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покаж
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User tusur : 25 июня 2014
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
******* Не известно Электротехника, электроника и схемотехника Работа Контрольная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.

Другие работы

Отчёт по практике по информационным технологиям в экономике и информатике
1. Цели и задачи практики………………………………………………….3 2. Организация практики…………………………………………………...3 3. Содержание практики……………………………………………………3 4. Функции освоенных программных средств……………………………4 5. Индивидуальное задание………………………………………………...7 Целью проведения практики по информационным технологиям в экономике и информатике на 3 курсе явилось закрепление знаний и навыков, полученных при изучении дисциплин «Информатика», «Применение ЭВМ в экономических расчетах», а также расширение навыков использова
Информатика Работа Курсовая
User Aronitue9 : 20 января 2012
42 руб.
Межрегиональные отношения на примере Башкирии
Введение Современный этап экономического развития страны характеризуется быстро растущим интересом к обширному комплексу региональных проблем. Пространственный аспект различных явлений оказывается в центре внимания при региональных исследованиях. Демография, социология, статистика, геология, экономика отраслей – таков далеко не полный перечень наук, в которых пространственные связи изучаемых явлений все в большей мере влияют на изучение региональных проблем. При этом в качестве критерия для отб
Работа Экономика
User alfFRED : 31 октября 2013
10 руб.
Инженерная графика. Вариант №5. Задание №3.Простые разрезы
Всё выполнено в программе КОМПАС 3D v16 Задание СФУ Вариант №5. Задание №3. По аксонометрической проекции построить три ортогональные. Выполнить простые разрезы. В состав работы входят три файла: - 3D модель детали; - ассоциативный чертеж с простыми разрезами по этой модели; - аналогичный обычный чертеж. Помогу с другими вариантами, пишите в ЛС.
СФУ Чертежи Инженерная графика
User Чертежи : 8 апреля 2020
70 руб.
Инженерная графика. Вариант №5. Задание №3.Простые разрезы
Капитальный ремонт кронблока У-3-200-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
Капитальный ремонт кронблока У-3-200-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа 1.1. Техническая характеристика кронблока УЗ-200 Грузоподъемность, т 200 Максимальное натяжение каната, т 24,5 Число канатных блоков 6 Д блока по дну канавки, мм 1000 Д блока по ребордам, мм 1120 Канавки обработанные под канат диаметром, мм 33 Расположение блоков соосное Диаметр оси блоков, мм 220 № подшипника опоры блока 42244 Размеры подшипника, мм
Нефтяная промышленность Диплом и связанное с ним
User lenya.nakonechnyy.92@mail.ru : 27 ноября 2024
1050 руб.
Капитальный ремонт кронблока У-3-200-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
up Наверх