Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Экзамен. Билет 7.

Цена:
83 руб.

Состав работы

material.view.file_icon BDBFA3B3-1DFE-4F71-BF81-515B8F67A35C.rar [ 201 KB ]
material.view.file_icon 07.docx [ 223 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1. Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

зачтено без замечаний, январь 2023, Борисов А.В.

Похожие материалы

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №7
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
200 руб.
promo
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User Алексей134 : 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
1. Статические характеристики полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные ха
Электротехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User aikys : 18 июня 2016
65 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Экзамен. Билет № 7
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покаж
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User tusur : 25 июня 2014
200 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
******* Не известно Электротехника, электроника и схемотехника Работа Контрольная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.

Другие работы

Проект производственно-технической базы АТП на 200 автомобилей с разработкой участка ремонта приборов систем питания
Курсовой проект содержит три листа графической части и пояснительную записку на 70 стр., 13 таблиц, 10 использованных источников. На основании технологического расчета АТП разработан вариант планировочного решения генерального плана и производственного корпуса. Обоснован общий технологический процесс обслуживания и ремонта топливной аппаратуры автомобилей, подобрано необходимое оборудование и инструмент. Выполненные расчеты основных технико-экономических показателей проектируемого АТП свидетель
Автомобили и технологическое обслуживание Работа Курсовая
User proekt-sto : 20 февраля 2022
35 руб.
Проект производственно-технической базы АТП на 200 автомобилей с разработкой участка ремонта приборов систем питания
ЭВМ и переферийные устройства. Лабораторная работа №4-5. Курсовая работа. Вариант №№0,10.20...
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА N4 ИССЛЕДОВАНИЕ АРИФМЕТИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ 1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ Получение практических навыков использования операций сложения, вычитания и умножения; освоение использования окон Module и Inspect программы TURBO DEBUGGER. 3. ПОДГОТОВКА К РАБОТЕ 3.1. Изучить методические указания. 3.2. Подготовить ответы на контрольные вопросы. 3.3. Проанализировать приведенную ниже программу PROG4, написать комментарии ко всем командам сегмента кода, указав при этом тип используемых операндов и способ
ДО СИБГУТИ ЭВМ и периферийные устройства Работа Лабораторная
User Bodibilder : 19 мая 2019
240 руб.
Модель монополістичної конкуренції
Ознаки монополістичної конкуренції. Монополістична конкуренція — вид конкуренції, що може виник­нути за великої кількості продавців, що реалізують диференційовану про­дукцію на ринку з вільним входом та виходом для нових виробників. Прикладом ринків з монополістичною конкуренцією у США є ринки трикотажу, жіночого одягу, взуття, ювелірних виробів. Докладніше ознаки монополістичної конкуренції можна сформулюва­ти таким чином: 1) ринок складається з відносно великої кількості продавців, кожен з
Работа Экономика
User evelin : 29 октября 2013
10 руб.
Контрольная работа №2 по физике. Вариант №6. Семестр 1-й. ЗО.
366. Аккумулятор с ЭДС Ɛ=12В заряжается от сети постоянного тока с напряжением U=15В. Определить напряжение на клеммах аккумулятора, если его внутреннее сопротивление R_i=10 Ом. 376. За время t=10c, при равномерно возрастающей силе тока от нуля до некоторого максимума, в проводнике выделилось количество теплоты Q=40кДж. 406. По двум бесконечно длинным проводам, скрещенным под прямым углом, текут токи I_1=100A и I_2=200A... 416. Шины генератора длиной l=4м находятся на расстоянии d=10см друг от
СибГУТИ Физика Работа Контрольная
User grigorev1976 : 17 сентября 2014
120 руб.
promo
up Наверх