Контрольная по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 09
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Элементная база телекоммуникационных систем, Работа Контрольная
-
Добавлен:
09.08.2024
-
Размер:
63 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
xtrail
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
F3C0D518-FE90-423D-B103-8B6A428CE85B.docx
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. табл. 1.1).
Таблица 1.1 - Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля: 9
Тип наноизделия: Dual-Core Intel Xeon 5130
Тип транзистора: КТ372А
Тип ЭВП: 6С51Н
Тип БИС: ATF2500BQ
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, представлены в таблицах 1.2-1.5.
Задания к практическим занятиям
1.1. Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2. Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3. Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4. Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5. Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. табл. 1.1).
Таблица 1.1 - Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля: 9
Тип наноизделия: Dual-Core Intel Xeon 5130
Тип транзистора: КТ372А
Тип ЭВП: 6С51Н
Тип БИС: ATF2500BQ
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, представлены в таблицах 1.2-1.5.
Задания к практическим занятиям
1.1. Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2. Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3. Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4. Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5. Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
Дополнительная информация
Без замечаний.
2024 год
Преподаватель: Елистратова И.Б.
2024 год
Преподаватель: Елистратова И.Б.
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: «Элементная база телекоммуникационных систем». вариант №09
Hermes
: 17 апреля 2021
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1.(формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения Б, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
No ВАРИАНТА Последняя цифра 9
Предпоследняя цифра
0 Rн, Ом 400
U2, В 360
Тип выпрямителя Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой
ЗАДАЧА 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задание:
1.Осущест
Hermes
: 17 апреля 2021
300 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Контрольная работа. Вариант: 09
Fijulika
: 18 февраля 2020
Новосибирск, 2020 г
ЗАДАЧА No 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1.(формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения Б, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
No ВАРИАНТА Последняя цифра 9
Предпоследняя цифра
0 Rн, Ом 400
U2, В 360
Тип выпрямителя Двухполупериодныйвыпрямитель со средней точкой
ЗАДАЧА 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТ
Fijulika
: 18 февраля 2020
50 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем
radist2020
: 30 января 2022
Вариант 15
Задание 1
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Задача 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задача 3
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
radist2020
: 30 января 2022
600 руб.
Контрольная работа По дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем
Виктория30
: 30 ноября 2022
ЗАДАЧА № 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам,
приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами,
удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Таблица 1.1 – Исходные данные
№ ВАРИАНТА Последняя
цифра
8
Предпослед няя
цифра
5
Rн, Ом 400
U2, В 360
Тип выпрямителя Двухполупериодный
выпрямитель со средней точкой
ЗАДАЧА № 2
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТО
Виктория30
: 30 ноября 2022
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Элементная база телекоммуникационных систем"
Oksgus
: 13 июля 2022
1. Цель работы
Оценить технико-экономическую эффективность внедрения изделий наноэлектроники.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса
Классификация и система обозначений электронных приборов и интегральных схем.
Технико-экономические показатели радиоаппаратуры разных поколений.
3. Выбор варианта
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. т
Oksgus
: 13 июля 2022
450 руб.
Контрольная по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 04
xtrail
: 8 августа 2024
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
1 Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегра
xtrail
: 8 августа 2024
900 руб.
Контрольная по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01
xtrail
: 7 августа 2024
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Содержание
1 Задание. 3
2 Исходные данные 3
3 Определение выигрыша во времени безотказной работы 5
4 Определение выигрыша по занимаемому объему 7
5 Определение выигрыша в массе 9
6 Определение выигрыша по потребляемой мощности 10
7 Определение выигрыша в стоимости 12
Выводы 13
1 Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложно
xtrail
: 7 августа 2024
900 руб.
Контрольная по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №16
xtrail
: 28 июля 2024
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. табл. 1.1).
Таблица 1.1 - Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля: 16
Тип наноизделия: Dual-Core Intel Xeon 5160
Тип транзистора: КТ371А
Тип ЭВП: 6Э12Н
Тип БИС: ATF1508ASV
1.1 Задания к практическим занятиям
1.1. Определить выигры
xtrail
: 28 июля 2024
900 руб.
Другие работы
Особливості міжнародних економічних відношень
Lokard
: 23 ноября 2013
Вступ
Тема 1. Предмет, значення і завдання курсу «Міжнародні економічні відносини”
Тема 2. Світове господарство (СГ) та особливості його розвитку. Типологія країн світу і роль окремих їх угрупувань у СГ і МЕВ
Тема 3. МЕВ у системі світового господарства і проблеми їх розвитку
Тема 4. Еволюційні періоди формування МЕВ
Тема 5. Середовище розвитку МЕВ
Тема 6. Закони і принципи розвитку СГ і МЕВ
Тема 7. Міжнародний поділ праці як об’єктивна основа МЕВ
Тема 8. Загальні проблеми сучасних МЕВ
Lokard
: 23 ноября 2013
10 руб.
Термодинамика и теплопередача ДВГУПС 2004 Контрольная работа 1 Задача 3 Вариант 6
Z24
: 1 января 2026
При нагреве некоторого количества газа при определенных условиях (табл. 1.3) температура газа повышается от t1 до t2. Определить количество теплоты, переданное газу в этом процессе, учитывая зависимость теплоемкости от температуры.
Z24
: 1 января 2026
150 руб.
Термодинамика и теплопередача ТюмГНГУ Теория теплообмена Задача 3 Вариант 39
Z24
: 12 января 2026
Стальной трубопровод диаметром d1/d2=100 мм/110 мм с коэффициентом теплопроводности λ1 покрыт изоляцией в 2 слоя одинаковой толщины δ2=δ3=50 мм, причем первый слой имеет коэффициент теплопроводности λ2, второй λ3.
Определить потери теплоты через изоляцию с 1 м трубы, если температура внутренней поверхности t1, а наружной поверхности изоляции t4. Определить температуру на границе соприкосновения слоев t3. Как изменится величина тепловых потерь с 1 м трубопровода, если слой изоляции поменять ме
Z24
: 12 января 2026
200 руб.
Английский язык 2 сем. 2 Кр.
валли19
: 10 июня 2018
I.Перепишите и письменно переведите на русский язык следующие предложения. Помните, что объектный и субъектный инфинитивные обороты соответствуют придаточным предложениям.
l. Some liquids are known to conduct current without any changes to themselves.
2. Samples of semiconductors with improved properties are reported, to be obtained, on a new installation.
3. Scientific discoveries to be practically applied in industry and agriculture are paid special attention to.
II.Перепишите и письменно пере
валли19
: 10 июня 2018
85 руб.
