Контрольная по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 09
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. табл. 1.1).
Таблица 1.1 - Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля: 9
Тип наноизделия: Dual-Core Intel Xeon 5130
Тип транзистора: КТ372А
Тип ЭВП: 6С51Н
Тип БИС: ATF2500BQ
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, представлены в таблицах 1.2-1.5.
Задания к практическим занятиям
1.1. Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2. Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3. Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4. Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5. Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. табл. 1.1).
Таблица 1.1 - Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля: 9
Тип наноизделия: Dual-Core Intel Xeon 5130
Тип транзистора: КТ372А
Тип ЭВП: 6С51Н
Тип БИС: ATF2500BQ
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, представлены в таблицах 1.2-1.5.
Задания к практическим занятиям
1.1. Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2. Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3. Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4. Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5. Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
Дополнительная информация
Без замечаний.
2024 год
Преподаватель: Елистратова И.Б.
2024 год
Преподаватель: Елистратова И.Б.
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: «Элементная база телекоммуникационных систем». вариант №09
Hermes
: 17 апреля 2021
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1.(формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения Б, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
No ВАРИАНТА Последняя цифра 9
Предпоследняя цифра
0 Rн, Ом 400
U2, В 360
Тип выпрямителя Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой
ЗАДАЧА 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задание:
1.Осущест
300 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Контрольная работа. Вариант: 09
Fijulika
: 18 февраля 2020
Новосибирск, 2020 г
ЗАДАЧА No 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1.(формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения Б, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
No ВАРИАНТА Последняя цифра 9
Предпоследняя цифра
0 Rн, Ом 400
U2, В 360
Тип выпрямителя Двухполупериодныйвыпрямитель со средней точкой
ЗАДАЧА 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТ
50 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем
radist2020
: 30 января 2022
Вариант 15
Задание 1
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Задача 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задача 3
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
600 руб.
Контрольная работа По дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем
Виктория30
: 30 ноября 2022
ЗАДАЧА № 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам,
приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами,
удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Таблица 1.1 – Исходные данные
№ ВАРИАНТА Последняя
цифра
8
Предпослед няя
цифра
5
Rн, Ом 400
U2, В 360
Тип выпрямителя Двухполупериодный
выпрямитель со средней точкой
ЗАДАЧА № 2
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТО
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Элементная база телекоммуникационных систем"
Oksgus
: 13 июля 2022
1. Цель работы
Оценить технико-экономическую эффективность внедрения изделий наноэлектроники.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса
Классификация и система обозначений электронных приборов и интегральных схем.
Технико-экономические показатели радиоаппаратуры разных поколений.
3. Выбор варианта
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. т
450 руб.
Контрольная по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 04
xtrail
: 8 августа 2024
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
1 Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегра
900 руб.
Контрольная по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01
xtrail
: 7 августа 2024
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Содержание
1 Задание. 3
2 Исходные данные 3
3 Определение выигрыша во времени безотказной работы 5
4 Определение выигрыша по занимаемому объему 7
5 Определение выигрыша в массе 9
6 Определение выигрыша по потребляемой мощности 10
7 Определение выигрыша в стоимости 12
Выводы 13
1 Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложно
900 руб.
Контрольная по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №16
xtrail
: 28 июля 2024
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. табл. 1.1).
Таблица 1.1 - Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля: 16
Тип наноизделия: Dual-Core Intel Xeon 5160
Тип транзистора: КТ371А
Тип ЭВП: 6Э12Н
Тип БИС: ATF1508ASV
1.1 Задания к практическим занятиям
1.1. Определить выигры
900 руб.
Другие работы
Контрольная работа по дисциплине: "Теория сложностей вычислительных процессов и структур". Вариант № 1
xtrail
: 22 апреля 2013
Задание
Написать программу, которая оптимальным образом расставляет скобки при перемножении матриц. Размерности матриц считать из файла. На экран вывести промежуточные вычисления и результат.
Номер варианта выбирается по последней цифре пароля.
М1[2x5], M2[5x7], M3[7x4], М4[4x5], M5[5x6], M6[6x3], M7[3x2], M8[2x9].
350 руб.
ФЦКН.01.24.00.000 СБ - Ролик натяжной
.Инженер.
: 22 апреля 2026
Разъемные соединения. ФЦКН.01.24.00.000 СБ - Ролик натяжной. Сборочный чертеж. Спецификация. Чертежи
В состав работы входит:
-3D модели всех деталей;
-3D сборка;
-3D сборка с разносом компонентов;
-Чертежи всех деталей;
-Чертежи стандартных изделий;
-Сборочный чертеж;
-Спецификация.
ФЦКН.01.24.00.000 СБ - Ролик натяжной Сборочный чертеж
ФЦКН.01.24.01.000 СБ - Кронштейн сварной Сборочный чертеж
ФЦКН.01.24.00.001 - Ступица
ФЦКН.01.24.00.002 - Обод
ФЦКН.01.24.00.003 - Ось
ФЦКН.01.
600 руб.
Электромагнитные поля и волны. Зачетная. Билет №3
Vodoley
: 18 октября 2020
Типы световодов, их параметры. Структура поля симметричных и гибридных волн. Особенности критического режима.
Задача 1
В волноводе прямоугольного сечения а = 48 мм, b = 22 мм распространяется основной тип волны. Амплитуда напряженности электрического поля на оси волновода равна Em = 60 В/м. Стенки волновода выполнены из меди, удельная проводимость меди σ = 5,7⋅"1" "0" ^7Сим/м.
Требуется:
1.Определить частотные границы одноволнового режима.
50 руб.
Бруй Л.П. Техническая термодинамика и теплопередача ТОГУ Задача 6 Вариант 36
Z24
: 14 января 2026
Вертикальный участок паропровода диаметром 150 мм и длиной 5 м охлаждается воздухом в условиях свободной конвекции. Температура наружной поверхности паропровода tСТ, температура воздуха t1 (табл. 4).
Определить коэффициент теплоотдачи от наружной поверхности паропровода к воздуху и величину теплового потока на расчетном участке. Показать примерный график изменения коэффициента теплоотдачи по высоте трубы.
В конце задачи следует ответить письменно на следующие вопросы:
Что называется ко
180 руб.