Контрольная по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 09
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. табл. 1.1).
Таблица 1.1 - Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля: 9
Тип наноизделия: Dual-Core Intel Xeon 5130
Тип транзистора: КТ372А
Тип ЭВП: 6С51Н
Тип БИС: ATF2500BQ
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, представлены в таблицах 1.2-1.5.
Задания к практическим занятиям
1.1. Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2. Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3. Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4. Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5. Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. табл. 1.1).
Таблица 1.1 - Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля: 9
Тип наноизделия: Dual-Core Intel Xeon 5130
Тип транзистора: КТ372А
Тип ЭВП: 6С51Н
Тип БИС: ATF2500BQ
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, представлены в таблицах 1.2-1.5.
Задания к практическим занятиям
1.1. Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2. Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3. Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4. Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5. Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
Дополнительная информация
Без замечаний.
2024 год
Преподаватель: Елистратова И.Б.
2024 год
Преподаватель: Елистратова И.Б.
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: «Элементная база телекоммуникационных систем». вариант №09
Hermes
: 17 апреля 2021
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1.(формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения Б, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
No ВАРИАНТА Последняя цифра 9
Предпоследняя цифра
0 Rн, Ом 400
U2, В 360
Тип выпрямителя Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой
ЗАДАЧА 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задание:
1.Осущест
300 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Контрольная работа. Вариант: 09
Fijulika
: 18 февраля 2020
Новосибирск, 2020 г
ЗАДАЧА No 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1.(формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения Б, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
No ВАРИАНТА Последняя цифра 9
Предпоследняя цифра
0 Rн, Ом 400
U2, В 360
Тип выпрямителя Двухполупериодныйвыпрямитель со средней точкой
ЗАДАЧА 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТ
50 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем
radist2020
: 30 января 2022
Вариант 15
Задание 1
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Задача 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задача 3
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
600 руб.
Контрольная работа По дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем
Виктория30
: 30 ноября 2022
ЗАДАЧА № 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам,
приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами,
удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Таблица 1.1 – Исходные данные
№ ВАРИАНТА Последняя
цифра
8
Предпослед няя
цифра
5
Rн, Ом 400
U2, В 360
Тип выпрямителя Двухполупериодный
выпрямитель со средней точкой
ЗАДАЧА № 2
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТО
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Элементная база телекоммуникационных систем"
Oksgus
: 13 июля 2022
1. Цель работы
Оценить технико-экономическую эффективность внедрения изделий наноэлектроники.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса
Классификация и система обозначений электронных приборов и интегральных схем.
Технико-экономические показатели радиоаппаратуры разных поколений.
3. Выбор варианта
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. т
450 руб.
Контрольная по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 04
xtrail
: 8 августа 2024
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
1 Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегра
900 руб.
Контрольная по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01
xtrail
: 7 августа 2024
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Содержание
1 Задание. 3
2 Исходные данные 3
3 Определение выигрыша во времени безотказной работы 5
4 Определение выигрыша по занимаемому объему 7
5 Определение выигрыша в массе 9
6 Определение выигрыша по потребляемой мощности 10
7 Определение выигрыша в стоимости 12
Выводы 13
1 Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложно
900 руб.
Контрольная по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №16
xtrail
: 28 июля 2024
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. табл. 1.1).
Таблица 1.1 - Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля: 16
Тип наноизделия: Dual-Core Intel Xeon 5160
Тип транзистора: КТ371А
Тип ЭВП: 6Э12Н
Тип БИС: ATF1508ASV
1.1 Задания к практическим занятиям
1.1. Определить выигры
900 руб.
Другие работы
Теория Электрических цепей (часть 1). Лабораторная работа № 2. Электрические цепи при гармоническом воздействии. Вариант №7
mirsan
: 24 января 2015
Электрические цепи при гармоническом воздействии
1. Цель работы:
Изучение электрических цепей, содержащих резисторы R, индуктивности L и емкости С при гармоническом (синусоидальном) воздействии
2. Подготовка к выполнению работы
3. Экспериментальная часть
95 руб.
Вибір оптимальних варіантів систем методами векторної оптимізації
Slolka
: 14 сентября 2013
Вступ
проектування оптимальна система векторна оптимізація
Початкові етапи проектування оптимальних систем базуються на основних положеннях теорії векторної (багатокритеріальної) оптимізації. Векторна оптимізація визначає правила вибору оптимальних проектних рішень - варіантів побудови системи з урахуванням сукупності показників якості системи. Методи векторної оптимізації набули бурхливого розвитку як у галузі загальносистемного аналізу, так і у галузі радіотехнічних систем, зокрема, систем е
10 руб.
Законодательное регулирование патроната как формы семейного устройства детей-сирот
Qiwir
: 9 февраля 2014
Содержание:
Введение
1 Понятие и сущность патроната
1.1 Историческая справка
1.2 Понятие патронатного воспитания
1.3 Отличие патронатного воспитания от других форм семейного устройства детей-сирот
2 Организация патронатного воспитания
2.1 Построение новой модели работы органов опеки и попечительства
2.2 Мотивация и компетенция патронатного воспитателя
2.3 Критерии успешности и факторы риска
3 Правовая основа патроната
Заключение
Список литературы
Введение
В последние годы в России наблюдается у
10 руб.
Проект технического перевооружение котельной ЗАО Оренбургский комбинат хлебопродуктов №3
GnobYTEL
: 21 июня 2015
При проектировании котельных с котлами, подведомственными Госгортехнадзору СССР (с давлением пара более 1,7 кгс/см2 и с температурой воды более 115° С), кроме настоящих норм и правил необходимо соблюдать, в частности, правила безопасности, утвержденные Госгортехнадзором СССР.
Проектирование новых и реконструируемых котельных должно осуществляться в соответствии с утвержденными схемами теплоснабжения.
При отсутствии утвержденной схемы теплоснабжения проектирование котельных допускается на основан
355 руб.