Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физика (часть 2-я). Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант №9

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 440AA5BE-5E1C-469B-B2F8-9A6D79FCB5F5.zip [ 58 KB ]
material.view.file_icon 1.docx [ 69 KB ]
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Вариант No9

Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.

1. Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.

4. Задание
1. Установить силу тока через образец в соответствии с вариантом. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. 3. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5. Построить график зависимости lns от 1/ Т.
6. На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.

6. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.

Дополнительная информация

Комментарии: Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (часть 2)
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 21.03.2024

Похожие материалы

Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Вариант 09 Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Физика Работа
User Саша78 : 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
******* Не известно Физика Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
СибГУТИ Физика Работа Лабораторная
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
СибГУТИ Физика и энергетика Работа Лабораторная
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
СибГУТИ Физика. Физика математическая Работа Контрольная
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.

Другие работы

Фонтанная арматура АФК6-65-35
Дипломный проэкт на тему подбор и монтаж фонтанной арматуры АФК6-65-35 ЗМІСТ ВСТУП 1. Загальна частина 1.1 Відомості про устьове обладнання 1.2 Призначення, типи і технічна характеристика існуючих фонтанних арматур 2. Технічна частина 2.1 Вибір фонтанної арматури згідно з реальними умовами 2.2 Конструкція вибраної фонтанної арматури 2.3 Основні технічні дані вибраної фонтанної арматури 2.4 Вибір маніфольду фонтанної арматури 3. Технологічна частина 3.1 Підготовчі роботи перед монтажем фонтанно
ПКНГ Диплом и связанное с ним Дипломные проекты
User vladsuwoy : 16 марта 2021
2600 руб.
Фонтанная арматура АФК6-65-35
Социология. Самостоятельная работа 2.
Самостоятельная работа № 2 Подготовить аналитический доклад о видах и приемах социального влияния.
Рефераты Социология
User studypro3 : 28 ноября 2018
200 руб.
Организация и планирование землеустроительных и кадастровых работ на землях сельскохозяйственных предприятий г. Краснодара в связи с созданием особо охраняемых природных территорий краевого значения
СОДЕРЖАНИЕ Введение 7 1 Содержание и основные принципы организации землеустроительных работ (обзор литературы) 11 1.1 Структура государственного управления земельными ресурсами 11 1.2 основное направление землеустройства и его организация 15 2 Природные и экономические условия хозяйственной деятельности сельскохозяйственных предприятий г. Краснодара 26 2.1 Общие сведения 26 2.2 Природные условия 36 2.2.1 Климат 36 2.2.2 Рельеф
Сельское, лесное хозяйство и землепользование Диплом и связанное с ним
User VikkiROY : 21 октября 2012
20 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Космические и наземные системы радиосвязи и сети телерадиовещания. Билет №10
Билет №10 1. Структурная схема оборудования внутреннего размещения цифровой РРЛ. Назначение элементов. 2. Принципы построения и особенности спутниковых систем связи.
СибГУТИ Радиотехника и радиосвязь Работа Экзаменационная
User Roma967 : 11 сентября 2015
300 руб.
promo
up Наверх