Силовая электроника. Тест с ответами. МФПУ «Синергия», МОИ, МТИ, МОСАП

Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности
полевого транзистора с горизонтальным каналом
униполярного транзистора
полевого транзистора с вертикальным каналом
биполярного транзистора
В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили
полевые транзисторы с изолированным затвором
биполярные транзисторы с изолированным затвором БТИЗ и IGBT-транзисторы
силовые биполярные транзисторы
СИТ - транзисторы
В одноканальной системе управления 3-фазным выпрямителем частота генератора пилообразного напряжения
в три раза превышает частоту питающей сети
равна частоте питающей сети
в три раза меньше частоты питающей среды
в шесть раз превышает частоту питающей среды
Блок, предназначенный для согласования уровней сигнала между выходом регулятора и непосредственными входами силовых устройств, это
УКД – устройство контроля и диагностики
КА – блок коммутационной аппаратуры
ФИУ – формирователь импульсов управления
БОИ – блок обработки информации
Быстро восстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами
время обратного восстановления - до 50 мкс
прямой ток - в диапазоне от 10 до 1000 А
обратное напряжение от 50 до 3000 В
время восстановления обратного сопротивления до 1000нс
Быстродействие IGBT транзистора
выше быстродействия полевых транзисторов
ниже быстродействия полевых транзисторов
выше быстродействия биполярных транзисторов
ниже быстродействия биполярных транзисторов
Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание
входного униполярного (полевого) транзистора с изолированным затвором
входного биполярного n-p-n-транзистора
выходного биполярного n-p-n-транзистора
выходного униполярного (полевого) транзистора с изолированным затвором
В активном режиме работы биполярного транзистора
выходной ток обратно пропорционален входному току
выходной ток равен входному току
выходной ток не зависит от входного тока
выходной ток прямо пропорционален входному току
В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем распределитель импульсов обеспечивает сдвиг фаз по трем каналам на величину
2π / 3
π / 6
π / 2
π / 3
IGBT транзистор не находит применение в области
высоких напряжений
высоких частот
высоких мощностей
высоких токов коммутации
SIT транзисторы производятся с каналами
только p-типа
только n-типа
n-типа
p-типа
В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются
коллектор-база - в обратном направлении
эмиттер-база - в прямом направлении
коллектор-база - в прямом направлении
эмиттер-база - в обратном направлении
В интегрированном запираемом тиристоре IGCT присутствует
встроенный светоизлучатель
встроенный светоприемник
импульсная схема управления
интегральная схема управления
В каком режиме может находиться биполярный транзистор в зависимости от полярности приложенного к переходам напряжения
индуктивном
инверсном
отсечки
импульсном
В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 В) применяются:
DМОП - структуры
МОП - структуры
МДП - структуры
VМОП - структуры
В ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности потерь в точках отсечки и насыщения будут
значительно больше мощности потерь в рабочей точке линейного режима транзистора
равны мощности потерь в рабочей точке линейного режима транзистора
значительно меньше мощности потерь в рабочей точке линейного режима транзистора
равны мощности потерь в рабочей точке инверсного режима транзистора
В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на
исток
подложку
затвор
сток
В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы
открытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
открытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода
закрытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
закрытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода
В основе биполярного транзистора лежит
трехслойная полупроводниковая структура
четырехслойная полупроводниковая структура
однослойная полупроводниковая структура
двухслойная полупроводниковая структура
В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют
малое потребление по цепи управления
не полное управление
полное управление
высокое быстродействие
В разумных силовых интегральных схемах в качестве силовых ключей получили широкое распространение
биполярные транзисторы
силовые МОП-транзисторы
биполярные транзисторы с изолированным затвором
асинхронные тиристоры
В режиме лавинного пробоя силового диода
резко увеличивается обратный ток при незначительном изменении обратного напряжения
резко уменьшается обратный ток при незначительном изменении обратного напряжения
обратный ток остается постоянным при незначительном изменении обратного напряжения
обратный ток снижается до нулевого значения при постоянстве обратного напряжения
В режиме насыщения биполярный транзистор можно заменить
замкнутым ключом, на котором падает небольшое напряжение
источником тока коллектора, управляемого током базы
разомкнутым ключом
источником тока эмиттера, управляемого током базы
В режиме отсечки биполярный транзистор можно заменить
замкнутым ключом
источником тока коллектора, управляемого током базы
источником тока эмиттера, управляемого током базы
разомкнутым ключом
В режиме отсечки силового биполярного транзистора
выделяемая мощность очень мала, а выходное напряжение высокое
выделяемая мощность и выходное напряжение очень большие
выделяемая мощность и выходное напряжение очень маленькие
выделяемая мощность очень большая, а выходное напряжение очень низкое
В режиме эмиттерного управления силовым ключом используют вспомогательный
высоковольтный быстродействующий МДП-транзистор
высоковольтный быстродействующий биполярный транзистор
низковольтный быстродействующий МДП-транзистор
низковольтный быстродействующий биполярный транзистор
В резонансных силовых преобразователях
паразитные элементы не являются составной частью резонансного LC-контура
коммутация силовых ключей выполняется либо при положительном напряжении, либо при отрицательном токе
коммутация силовых ключей выполняется либо при нулевом напряжении, либо при нулевом токе
паразитные элементы являются составной частью резонансного LC-контура
В силовых инверторах с GTO ключами и двигательной нагрузкой энергия, запасаемая в паразитных и ограничивающих анодных индуктивностях,
прямо пропорциональна величине паразитной индуктивности
прямо пропорциональна квадрату величины анодного тока
обратно пропорциональна величине паразитной индуктивности
обратно пропорциональна квадрату величины анодного тока
Высокой температурной устойчивостью не обладает
полевой транзистор с изолированным затвором
биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT транзистор
биполярный транзистор
Главным достижением развития современных силовых ключей является
объединение в едином корпусе прибора источника электропитания и функций переключателя и защиты
объединение в едином корпусе прибора функций переключателя, управления и защиты
объединение в едином корпусе прибора источника тока и функций переключателя и защиты
объединение в едином корпусе прибора источника электропитания и функций управления и защиты
Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим насыщения
напряжение перехода коллектор – база меньше нуля
напряжение перехода база – эмиттер равно нулю
напряжение перехода коллектор – база равно нулю
напряжение перехода база – эмиттер больше нуля
Динамическими параметрами силового диода являются
среднее значение прямого тока
пороговое напряжение
время нарастания прямого тока
время восстановления обратного напряжения
Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются
высокими значениями обратного напряжения и прямого тока
высокими значениями прямого напряжения и прямого тока
низкими значениями обратного напряжения и прямого тока
низкими значениями обратного напряжения и обратного тока
Для включения тиристора SCR необходимо
подать отрицательное напряжение между анодом и катодом
снизить анодный ток до минимальной величины
подать положительное напряжение между анодом и катодом
подать импульс управления на управляющий электрод
Для выполнения потенциальной развязки применяют ФИУ, в которых используется
раздельная передача напряжения и формы управляющего сигнала
совместная передача энергии и формы управляющего сигнала
раздельная передача энергии и информационного сигнала
совместная передача тока и информационного сигнала
Для защиты от перегрузок по напряжению под воздействием питающей сети используют
внутренние защитные устройства, подключенные параллельно выходу силового преобразователя
внутренние защитные устройства, подключенные параллельно входу силового преобразователя
внешние защитные устройства, подключенные параллельно входу силового преобразователя
внешние защитные устройства, подключенные параллельно выходу силового преобразователя
Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с коммутационными процессами, используют
снабберы, включаемые последовательно силовому ключу или группе приборов
снабберы, включаемые параллельно силовому ключу или группе приборов
снабберы, включаемые последовательно нагрузке
снабберы, включаемые параллельно нагрузке
Для исключения выхода из строя тиристорного ключа к запираемому тиристору GTO
последовательно включают демпфирующую RCD - цепь
параллельно включают демпфирующую RLC - цепь
параллельно включают демпфирующую RCD - цепь
последовательно включают демпфирующую RLC - цепь
Для мостовых схем используют защитные RCD-цепи, в которых резисторы подключаются
соответственно к верхней и нижней монтажным шинам схемам
перекрестно к противоположным монтажным шинам схемы
последовательно с силовым ключом
параллельно силовому ключу
Система управления силовым электронным аппаратом, в отличие от силовой части, не обеспечивает
оперативный обмен с внешней средой
регулирование значений выходных параметров
диагностику отказов
передачу электрической энергии от первичного источника к потребителю
Современные МОП-транзисторы обеспечивают коммутацию
токов до 50 А и напряжения до 1000 В
токов до 100 А и напряжения до 1500 В
токов до 60 А и напряжения до 1100 В
токов до 70 А и напряжения до 1200 В
В активном режиме биполярного транзистора большая часть неосновных носителей, перешедших из эмиттера в базу, достигает коллекторного p-n-перехода благодаря
малой площади коллекторного p-n-перехода
большой толщины базы
малой толщины базы
большой площади коллекторного p-n-перехода
Статический индукционный транзистор СИТ может работать при
обратном смещении затвора (режим биполярного транзистора)
прямом смещении затвора (режим полевого транзистора)
прямом смещении затвора (режим биполярного транзистора)
обратном смещении затвора (режим полевого транзистора)
Структура IGBT транзистора отличается от структуры DМОП-транзистора
дополнительным слоем полупроводника n-типа
дополнительным слоем полупроводника p-типа
дополнительным слоем полупроводника p-n-типа
дополнительным слоем полупроводника n-p-типа
Схема автономного инвертора напряжения со звеном постоянного тока (VWF-инвертор) не содержит
трехфазный мостовой инвертор
неуправляемый выпрямитель
емкостной фильтр
полумостовой инвертор
Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит
идеальный диод
катушку индуктивности
электрическую батарею
резистор с динамическим сопротивлением
Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы
наличие участка вторичного пробоя
высокая температурная устойчивость
низкая температурная устойчивость
отсутствие участка вторичного пробоя
Тиристоры с полной управляемостью применяются при создании
управляемых выпрямителей тока
регулируемых электроприводов переменного тока
мощных источников питания электрических подстанций
преобразователей переменного напряжения
Ток стока IGBT транзистора
обратно пропорционален эквивалентной крутизне
обратно пропорционален напряжению на затворе
прямо пропорционален эквивалентной крутизне
прямо пропорционален напряжению на затворе
Точечные диоды
имеют малую площадь p-n-перехода
используются для выпрямления малых токов
используются для выпрямления больших токов
имеют большую площадь p-n-перехода
Транзистор - это
полупроводниковый полностью управляемый прибор с тремя и более выводами
полупроводниковый полностью управляемый прибор с двумя выводами
полупроводниковый частично управляемый прибор
полупроводниковый неуправляемый прибор
Транзисторы Дарлингтона используют для
увеличения коэффициента передачи тока в силовых высоковольтных транзисторах
уменьшения коэффициента передачи тока в силовых высоковольтных транзисторах
уменьшения коэффициента передачи тока в силовых низковольтных транзисторах
увеличения коэффициента передачи тока в силовых низковольтных транзисторах
Управляющий параметр M, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от
величины дополнительной индуктивности
величины защитной емкости
фронта нарастания силового напряжения
типа транзистора
Управляющий параметр N, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от
фронта нарастания силового тока
величины дополнительной индуктивности
типа транзистора
величины защитной емкости
Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение в постоянное, является
преобразователь частоты
инвертор
выпрямитель
регулятор переменного значения
Устройством силовой техники, преобразующим постоянное напряжение в переменное, является
инвертор
преобразователь числа фаз
выпрямитель
трансформатор
Фазосдвигающие устройства (ФСУ) не строятся на базе
управляемых транзисторных генераторов
импульсных трансформаторов
R-L-Сцепей
интегральных микросхем
Форсированный вывод биполярного транзистора электронного ключа из режима насыщения осуществляется
путем размыкания его базовой цепи
путем размыкания его эмиттерной цепи
путем размыкания его коллекторной цепи
путем размыкания его затворной цепи
Фототиристор – это фотоэлектронный прибор
имеющий трехслойную структуру
управляемый электрическими импульсами
имеющий четырехслойную структуру
управляемый световыми импульсами
Что не относится к основным требованиям, предъявляемым к трансформаторным ФИУ
обеспечение минимальной начальной площади импульса включения тиристора
обеспечение максимальной начальной площади импульса включения тиристора
минимальная длительность импульса управления
нахождение рабочей точки нагрузки управляющего электрода в зоне оптимального управления
Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными транзисторами
высокое входное сопротивление затвора
высокие динамические характеристики
низкое входное сопротивление затвора
низкая потребляемая мощность
Чтобы регулировать частоту задающего генератора (ЗГ) асинхронная система должна
иметь отрицательную обратную связь
быть замкнутой
быть открытой
иметь положительную обратную связь
Эквивалентная крутизна передаточной характеристики БТИЗ
прямо пропорциональна напряжению на затворе
прямо пропорциональна току коллектора
обратно пропорциональна напряжению на затворе
обратно пропорциональна току коллектора
Эффективным техническим решением является использование в выпрямительных схемах ключевых транзисторов с
пониженным до единиц вольта выходным напряжением
пониженным до долей вольта выходным напряжением
синхронным переключением в такт от высокочастотного входного сигнала
асинхронным переключением в такт от низкочастотного входного сигнала
Электрический пробой силового диода возникает, когда
обратное напряжение уменьшается по отношению к установленному порогу
обратное напряжение увеличивается сверх установленного порога
обратное напряжение отсутствует
обратное напряжение равно значению установленного порога
Электронный аппарат – это электротехническое устройство управления потоками
энергии
информации
тока
напряжения

Тест содержит 66 вопросов. Правильные ответы выделены в документе. Формат файла – pdf.