Устройства оптоэлектроники

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon контр.doc
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

СибГУТИ. Контрольная работа. Вариант 10.
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника.
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.

Дополнительная информация

Предоставляемые материалы не являются гарантией успешной сдачи предмета, а служат дополнительным пособием для его изучения. Постарайтесь подойти к решению проблемы творчески, а не бездумно пересылать полученные материалы на проверку.
Устройства оптоэлектроники
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
User alru : 22 сентября 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
User arkadij : 9 марта 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр. тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7 Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
User arkadij : 13 февраля 2016
500 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
User alyonka249 : 25 декабря 2015
70 руб.
Устройства оптоэлектроники
Контр. Раб.вариант No08.4 сем Задача No1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.(фототиристор) Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр Тип ПП материала - Ge(германий) Квантовая эффективной ŋ = 0,2 Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ. Задача No3. Изобразить принципиальную
User женя68 : 6 декабря 2010
80 руб.
Устройства оптоэлектроники и нанофотоники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре студенческого билета 21. № варианта Тип фотоприёмника (ФП) 1 Фотодиод со структурой p-i-n
User Yuliyatitova : 1 апреля 2020
Устройства оптоэлектроники. Зачёт
Раздел: Физические основы оптоэлектроники. 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
User Gila : 17 января 2019
210 руб.
Теплотехника КемТИПП 2014 Задача Б-6 Вариант 03
Для сушки используют воздух с температурой t1 и tм. В калорифере его подогревают до температуры t2 и направляют в сушилку, откуда он выходит с температурой t3. Определить: 1) параметры влажного воздуха (φ, d, h, рп) для основных точек процессов; 2) расход воздуха М и теплоты q на 1 ru испаренной влаги. Изобразить процесс в h,d — диаграмме. Данные для решения приведены в таблице 19. Результаты расчетов свести в таблицу 20.
User Z24 : 16 февраля 2026
200 руб.
Теплотехника КемТИПП 2014 Задача Б-6 Вариант 03
ИГ.05.08.04 -Замок. Ломаный разрез Вариант 8
Выполнено в программе КОМПАС 3D v20. Задание: 1. Выполнить указанный ломаный разрез. 2. Нанести размеры. В состав работы входят 3 файла: - 3D модель данной детали (*.m3d); - чертеж (*.cdw); - чертеж (*.png).
User Чертежи СибГУ, СФУ : 19 сентября 2022
75 руб.
ИГ.05.08.04 -Замок. Ломаный разрез Вариант 8
Нервная система, гистология, кровь, опорно-двигательный аппарат...
ЦИТОЛОГИЯ И ЭМБРИОЛОГИЯ Методы иссл. In vivo (вживл. камер), in vitro (культуры тканей, культивир. гиб-ридизация), прижизн. окрашив, гист. препараты (срез, пленка, отпечаток, ма-зок. 1-фиксация, 2-уплотнение, 3-срез, 4-окрашивание, 5-под стекло) Клетка.огранич.активн.мембраной, упоряд., структурир.сис-ма биополимеров, образ.ядро и цитоплазму, участв. В единой совокупности метабол.иэнергет процессов. Шванн. Стр-е (цитопл. обол, ядро, органеллы), Гиалоплазма (слож орг состав, зольгель, глобул. бел
User alfFRED : 25 декабря 2012
Контрольная работа. Дискретная математика. Вариант №12
Вариант 12 No1 Доказать равенства, используя свойства операций над множествами и определения операций. Проиллюстрировать при помощи диа-грамм Эйлера-Венна. а) A \ (BC) = (A\B) \ C б) AC, BD AB=(AD)(CB). No2 Даны два конечных множества: А={a,b,c}, B={1,2,3,4}; бинарные от-ношения P1 AB, P2 B2. Изобразить P1, P2 графически. Найти P = (P2P1)–1. Выписать области определения и области значений всех трех отношений: P1, P2, Р. Построить матрицу [P2], проверить с ее помощью, является ли отношен
User alexturin : 16 октября 2019
250 руб.
Контрольная работа. Дискретная математика. Вариант №12
up Наверх