Устройства оптоэлектроники
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
СибГУТИ. Контрольная работа. Вариант 10.
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника.
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника.
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Дополнительная информация
Предоставляемые материалы не являются гарантией успешной сдачи предмета, а служат дополнительным пособием для его изучения. Постарайтесь подойти к решению проблемы творчески, а не бездумно пересылать полученные материалы на проверку.
Похожие материалы
Устройства оптоэлектроники
alru
: 22 сентября 2016
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
arkadij
: 9 марта 2016
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
arkadij
: 13 февраля 2016
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7
Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
500 руб.
Устройства оптоэлектроники
alyonka249
: 25 декабря 2015
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
70 руб.
Устройства оптоэлектроники
женя68
: 6 декабря 2010
Контр. Раб.вариант No08.4 сем
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.(фототиристор)
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр Тип ПП материала - Ge(германий)
Квантовая эффективной ŋ = 0,2 Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ.
Задача No3.
Изобразить принципиальную
80 руб.
500 руб.
Устройства оптоэлектроники и нанофотоники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Задача №1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре студенческого билета 21.
№ варианта Тип фотоприёмника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n
Устройства оптоэлектроники. Зачёт
Gila
: 17 января 2019
Раздел: Физические основы оптоэлектроники.
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
210 руб.
Другие работы
Теплотехника КемТИПП 2014 Задача Б-6 Вариант 03
Z24
: 16 февраля 2026
Для сушки используют воздух с температурой t1 и tм. В калорифере его подогревают до температуры t2 и направляют в сушилку, откуда он выходит с температурой t3.
Определить:
1) параметры влажного воздуха (φ, d, h, рп) для основных точек процессов;
2) расход воздуха М и теплоты q на 1 ru испаренной влаги. Изобразить процесс в h,d — диаграмме. Данные для решения приведены в таблице 19. Результаты расчетов свести в таблицу 20.
200 руб.
ИГ.05.08.04 -Замок. Ломаный разрез Вариант 8
Чертежи СибГУ, СФУ
: 19 сентября 2022
Выполнено в программе КОМПАС 3D v20.
Задание:
1. Выполнить указанный ломаный разрез.
2. Нанести размеры.
В состав работы входят 3 файла:
- 3D модель данной детали (*.m3d);
- чертеж (*.cdw);
- чертеж (*.png).
75 руб.
Нервная система, гистология, кровь, опорно-двигательный аппарат...
alfFRED
: 25 декабря 2012
ЦИТОЛОГИЯ И ЭМБРИОЛОГИЯ
Методы иссл. In vivo (вживл. камер), in vitro (культуры тканей, культивир. гиб-ридизация), прижизн. окрашив, гист. препараты (срез, пленка, отпечаток, ма-зок. 1-фиксация, 2-уплотнение, 3-срез, 4-окрашивание, 5-под стекло)
Клетка.огранич.активн.мембраной, упоряд., структурир.сис-ма биополимеров, образ.ядро и цитоплазму, участв. В единой совокупности метабол.иэнергет процессов. Шванн. Стр-е (цитопл. обол, ядро, органеллы), Гиалоплазма (слож орг состав, зольгель, глобул. бел
Контрольная работа. Дискретная математика. Вариант №12
alexturin
: 16 октября 2019
Вариант 12
No1 Доказать равенства, используя свойства операций над множествами и определения операций. Проиллюстрировать при помощи диа-грамм Эйлера-Венна. а) A \ (BC) = (A\B) \ C б) AC, BD AB=(AD)(CB).
No2 Даны два конечных множества: А={a,b,c}, B={1,2,3,4}; бинарные от-ношения P1 AB, P2 B2. Изобразить P1, P2 графически. Найти P = (P2P1)–1. Выписать области определения и области значений всех трех отношений: P1, P2, Р. Построить матрицу [P2], проверить с ее помощью, является ли отношен
250 руб.