Устройства оптоэлектроники

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon контр.doc
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

СибГУТИ. Контрольная работа. Вариант 10.
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника.
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.

Дополнительная информация

Предоставляемые материалы не являются гарантией успешной сдачи предмета, а служат дополнительным пособием для его изучения. Постарайтесь подойти к решению проблемы творчески, а не бездумно пересылать полученные материалы на проверку.
Устройства оптоэлектроники
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
User alru : 22 сентября 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
User arkadij : 9 марта 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр. тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7 Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
User arkadij : 13 февраля 2016
500 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
User alyonka249 : 25 декабря 2015
70 руб.
Устройства оптоэлектроники
Контр. Раб.вариант No08.4 сем Задача No1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.(фототиристор) Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр Тип ПП материала - Ge(германий) Квантовая эффективной ŋ = 0,2 Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ. Задача No3. Изобразить принципиальную
User женя68 : 6 декабря 2010
80 руб.
Устройства оптоэлектроники и нанофотоники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре студенческого билета 21. № варианта Тип фотоприёмника (ФП) 1 Фотодиод со структурой p-i-n
User Yuliyatitova : 1 апреля 2020
Устройства оптоэлектроники. Зачёт
Раздел: Физические основы оптоэлектроники. 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
User Gila : 17 января 2019
210 руб.
Изучение характеристик электростатического поля
Физика лабораторная работа 3.2 1 семестр Задание 1.В работе требуется получить графическое изображение электрического поля при различных положениях электродов. Для этого в отчете начертите дважды сечение ванны ( Два прямоугольника с размерами: по вертикали 16 делений и по горизонтали 20 делений), нанесите координатную сетку, изобразите электроды. В первом случае электроды представляют собой два тонких кольца радиусом 1 см, во втором- отрицательно заряженная плоскость и положительно заряженное то
User Nadyuha : 25 марта 2011
Курсовая работа «Радиотехнические системы передачи информации». 7-й вариант
1 Задание на курсовую работу Уважаемые слушатели, представленная Вам курсовая работа является не только контрольным заданием, но и частью учебного процесса. Так, помимо методических указаний по выполнению курсовой работы, даётся описание распространенного стандарта транкинговой связи TETRA и методика расчёта зоны обслуживания базовой станции. 7 МиниКом-БСР 3,6 16 8 Пригород -118 7 МиниКом-БСР 4 30 15 0,02
User Алексей36 : 16 декабря 2016
120 руб.
Теплотехника СФУ 2017 Задача 3 Вариант 32
По стальной трубе, внутренний и внешний диаметр которой соответственно d1 и d2, а коэффициент теплопроводности λ = 40 Вт/(м·К), течёт газ со средней температурой t1. Коэффициент теплоотдачи от газа к стенке α1. Снаружи труба охлаждается водой с температурой t2. Коэффициент теплоотдачи от стенки к воде α2. Определить коэффициент теплопередачи К от газа к воде, тепловой поток на один метр длины трубы ql и температуры поверхностей трубы. Ответить на вопрос. При каких значениях d2/d1 (близких
User Z24 : 30 декабря 2026
150 руб.
Теплотехника СФУ 2017 Задача 3 Вариант 32
Рабинович О.М. Сборник задач по технической термодинамике Задача 181
Для осуществления изотермического сжатия 0,8 кг воздуха при р1=0,1МПа и t=25 ºС затрачена работа в 100 кДж. Найти давление р2 сжатого воздуха и количество теплоты, которое необходимо при этом отвести от газа? Ответ: р2=0,432 МПа, Q=-100 кДж.
User Z24 : 25 сентября 2025
150 руб.
Рабинович О.М. Сборник задач по технической термодинамике Задача 181
up Наверх