Устройства оптоэлектроники
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
СибГУТИ. Контрольная работа. Вариант 10.
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника.
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника.
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Дополнительная информация
Предоставляемые материалы не являются гарантией успешной сдачи предмета, а служат дополнительным пособием для его изучения. Постарайтесь подойти к решению проблемы творчески, а не бездумно пересылать полученные материалы на проверку.
Похожие материалы
Устройства оптоэлектроники
alru
: 22 сентября 2016
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
arkadij
: 9 марта 2016
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
arkadij
: 13 февраля 2016
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7
Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
500 руб.
Устройства оптоэлектроники
alyonka249
: 25 декабря 2015
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
70 руб.
Устройства оптоэлектроники
женя68
: 6 декабря 2010
Контр. Раб.вариант No08.4 сем
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.(фототиристор)
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр Тип ПП материала - Ge(германий)
Квантовая эффективной ŋ = 0,2 Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ.
Задача No3.
Изобразить принципиальную
80 руб.
500 руб.
Устройства оптоэлектроники и нанофотоники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Задача №1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре студенческого билета 21.
№ варианта Тип фотоприёмника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n
Устройства оптоэлектроники. Зачёт
Gila
: 17 января 2019
Раздел: Физические основы оптоэлектроники.
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
210 руб.
Другие работы
Курсовая работа по дисциплине: «Цифровая обработка сигналов». Вариант №24.
teacher-sib
: 18 мая 2017
ЗАДАНИЕ
на курсовую работу.
Спроектировать цифровой фильтр на основе сигнального процессора 1813ВЕ1 при следующих требованиях:
1. Передаточная характеристика цифрового фильтра
A0 + A1Z-1 + A2Z-2 + A3Z-3
H(Z) =
1 + B1Z-1 + B2Z-2 + B3Z-3
где: А 0 = 0,82; А 1 = 0,76; А 2 = -0,35; А 3 = 0,49;
В 1 = 0,32; В 2 = 0,42; В 3 = 0,52;
2. Разрядность входного слова равна 9.
3. Разрядность обрабатываемых результатов – 24.
4. Входное воздействие: (n=4 (последняя цифра пароля))
X
500 руб.
Современные кредитные технологии
evelin
: 24 октября 2013
В специализированной литературе вопрос о классификации кредитов не имеет общепризнанного решения. В значительной степени из-за этого в публикациях на данную тему, наблюдаются смешанные понятия “заём”, “кредит” и “ссуда”, “вид кредита” и “форма кредита”. Употребление данных терминов как синонимов в разговорно-обиходном смысле вполне допустимо. Однако, когда речь идет о теоретических понятиях, необходимо присутствие четкой их формулировки. В настоящее время экономистами и юристами не выработана е
5 руб.
Понятие и система гарантий местного самоуправления
Lokard
: 28 августа 2013
Важнейшим и необходимым условием полного и эффективного осуществления задач и функций местного самоуправления является гарантированность прав местного самоуправления.
Система гарантий прав местного самоуправления, закрепляемая муниципальным правом, охватывает всю совокупность условий и средств, обеспечивающих их реализацию и правовую защиту. Она включает: общие гарантии, к которым относятся экономические, политические, духовные, и специальные (собственно юридические) гарантии.
1. Общие гарантии.
10 руб.
Гидравлика БГИТУ Задача 1.2 Вариант 31
Z24
: 8 декабря 2025
На поршень одного из сообщающихся сосудов, наполненных водой, действует сила Р1. Какую силу Р2 нужно приложить ко второму поршню, чтобы уровень воды под ним был на h выше уровня воды под первым поршнем? Диаметр первого поршня d1, второго d2 (рисунок 2).
150 руб.