Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы

90

Основы Схемотехники. Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе

ID: 32785
Дата закачки: 06 Апреля 2010
Продавец: Vladilen (Напишите, если есть вопросы)
    Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Лабораторная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: СибГУТИ

Описание:
Лабораторная работа № 1 “Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе”
1.Цель работы Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).
Задание:
2.3. Для заданной схемы рассчитать следующие параметры усилителя:
•Коэффициент усиления по напряжению, сквозной коэффициент усиления каскада. •Коэффициент частотных искажений каскада на частоте 40 Гц, обусловленной влиянием емкости в цепи эмиттера Сэ (С5) и разделительных конденсаторов Ср вх (С1) и Ср вых (С2). Определить общий коэффициент частотных искажений, вносимых этими элементами. При этом учесть, что выходное сопротивление транзистора значительно больше сопротивления в цепи коллектора R4. •Коэффициент частотных искажений Мв на частоте 100 кГц, обусловленной динамической емкостью Сбэ дин транзистора и емкостью нагрузки Сн (С3). Определить общий коэффициент частотных искажений, вносимых этими элементами. •Время установления переднего фронта прямоугольного импульса малой длительности (tи = 5мкс). При этом считать, что переходные искажения в области малых времен определяется выходной цепью каскада: tуст = 2,2× Сн× Rэв вых,(2.1)
где Rэв вых – эквивалентное сопротивление выходной цепи каскада, рассчитанное для диапазона верхних частот.
•Спад плоской вершины прямоугольного импульса большой длительности (tи = 5000мкс). Общий спад плоской вершины прямоугольного импульса вследствие влияния разделительных емкостей равен: D общ = D Ср вх + D Ср вых ,(2.2)
Исходные данные: транзистор типа KT 3102А с параметрами: h21э = 200, Ск = 10 пФ, fh21э = 1,5 МГц, rб¢ ¢ б = 120 Ом; напряжение источника питания E0 = 15В, ток покоя транзистора iк0 = 3мА.


Комментарии: 2008г.
зачет.


Размер файла: 109,4 Кбайт
Фаил: Упакованные файлы (.zip)

   Скачать

   Добавить в корзину


    Скачано: 9         Коментариев: 0


Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! 

От 350 руб. за реферат, низкие цены. Просто заполни форму и всё.

Спеши, предложение ограничено !



Что бы написать комментарий, вам надо войти в аккаунт, либо зарегистрироваться.

Страницу Назад

  Cодержание / Основы схемотехники / Основы Схемотехники. Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе
Вход в аккаунт:
Войти

Забыли ваш пароль?

Вы еще не зарегистрированы?

Создать новый Аккаунт


Способы оплаты:
UnionPay СБР Ю-Money qiwi Payeer Крипто-валюты Крипто-валюты


И еще более 50 способов оплаты...
Гарантии возврата денег

Как скачать и покупать?

Как скачивать и покупать в картинках


Сайт помощи студентам, без посредников!