Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
Основы Схемотехники. Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзистореID: 32785Дата закачки: 06 Апреля 2010 Продавец: Vladilen (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Работа Лабораторная Форматы файлов: Microsoft Word Сдано в учебном заведении: СибГУТИ Описание: Лабораторная работа № 1 “Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе” 1.Цель работы Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики). Задание: 2.3. Для заданной схемы рассчитать следующие параметры усилителя: •Коэффициент усиления по напряжению, сквозной коэффициент усиления каскада. •Коэффициент частотных искажений каскада на частоте 40 Гц, обусловленной влиянием емкости в цепи эмиттера Сэ (С5) и разделительных конденсаторов Ср вх (С1) и Ср вых (С2). Определить общий коэффициент частотных искажений, вносимых этими элементами. При этом учесть, что выходное сопротивление транзистора значительно больше сопротивления в цепи коллектора R4. •Коэффициент частотных искажений Мв на частоте 100 кГц, обусловленной динамической емкостью Сбэ дин транзистора и емкостью нагрузки Сн (С3). Определить общий коэффициент частотных искажений, вносимых этими элементами. •Время установления переднего фронта прямоугольного импульса малой длительности (tи = 5мкс). При этом считать, что переходные искажения в области малых времен определяется выходной цепью каскада: tуст = 2,2× Сн× Rэв вых,(2.1) где Rэв вых – эквивалентное сопротивление выходной цепи каскада, рассчитанное для диапазона верхних частот. •Спад плоской вершины прямоугольного импульса большой длительности (tи = 5000мкс). Общий спад плоской вершины прямоугольного импульса вследствие влияния разделительных емкостей равен: D общ = D Ср вх + D Ср вых ,(2.2) Исходные данные: транзистор типа KT 3102А с параметрами: h21э = 200, Ск = 10 пФ, fh21э = 1,5 МГц, rб¢ ¢ б = 120 Ом; напряжение источника питания E0 = 15В, ток покоя транзистора iк0 = 3мА. Комментарии: 2008г. зачет. Размер файла: 109,4 Кбайт Фаил: (.zip)
Скачано: 9 Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! Некоторые похожие работы:2020 г. Схемотехника телекоммуникационных устройств. Лабораторные работы №1-3. Вариант 2Лабораторные работы №1 и №2 по дисциплине: Основы схемотехники. Вариант №1. СИБГУТИ. ДО Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств. Вариант №1 Лабораторные работы №№1-3 по дисциплине: Схемотехника (углубленный курс). Вариант №4 Лабораторные работы №1,2,3 по предмету «Основы схемотехники» Зачет по дисциплине: Схемотехника Лабораторные работы №№1-3 по дисциплине: Схемотехника (углубленный курс). Вариант №8 Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами. |
||||
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Основы схемотехники / Основы Схемотехники. Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе
Вход в аккаунт: