Основы Схемотехники. Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе

Лабораторная работа No 1 “Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе”
1.Цель работы Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).
Задание:
2.3. Для заданной схемы рассчитать следующие параметры усилителя:
•Коэффициент усиления по напряжению, сквозной коэффициент усиления каскада. •Коэффициент частотных искажений каскада на частоте 40 Гц, обусловленной влиянием емкости в цепи эмиттера Сэ (С5) и разделительных конденсаторов Ср вх (С1) и Ср вых (С2). Определить общий коэффициент частотных искажений, вносимых этими элементами. При этом учесть, что выходное сопротивление транзистора значительно больше сопротивления в цепи коллектора R4. •Коэффициент частотных искажений Мв на частоте 100 кГц, обусловленной динамической емкостью Сбэ дин транзистора и емкостью нагрузки Сн (С3). Определить общий коэффициент частотных искажений, вносимых этими элементами. •Время установления переднего фронта прямоугольного импульса малой длительности (tи = 5мкс). При этом считать, что переходные искажения в области малых времен определяется выходной цепью каскада: tуст = 2,2× Сн× Rэв вых,(2.1)
где Rэв вых – эквивалентное сопротивление выходной цепи каскада, рассчитанное для диапазона верхних частот.
•Спад плоской вершины прямоугольного импульса большой длительности (tи = 5000мкс). Общий спад плоской вершины прямоугольного импульса вследствие влияния разделительных емкостей равен: D общ = D Ср вх + D Ср вых ,(2.2)
Исходные данные: транзистор типа KT 3102А с параметрами: h21э = 200, Ск = 10 пФ, fh21э = 1,5 МГц, rб¢ ¢ б = 120 Ом; напряжение источника питания E0 = 15В, ток покоя транзистора iк0 = 3мА.

2008г.
зачет.