Устройства оптоэлектроники

Цена:
80 руб.

Состав работы

material.view.file_icon FAE7E5E9-F7A1-43C0-B437-18032343C9B8.rar [ 121 KB ]
material.view.file_icon Устройства Оптоэлектроники_Контр_ Раб_РДТ91_4 сем.doc [ 175 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Контр. Раб.вариант No08.4 сем
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.(фототиристор)
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр Тип ПП материала - Ge(германий)
Квантовая эффективной ŋ = 0,2 Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ.
Задача No3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора.
Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего студенческого билета.
Задача No4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.

Дополнительная информация

2010г.вариант №08
СибГУТИ
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 06.10.2010
Игнатов А. Н.

Похожие материалы

Устройства оптоэлектроники
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User alru : 22 сентября 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User arkadij : 9 марта 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр. тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7 Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User arkadij : 13 февраля 2016
500 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User alyonka249 : 25 декабря 2015
70 руб.
Устройства оптоэлектроники
СибГУТИ. Контрольная работа. Вариант 10. Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Задача №3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответств
СибГУТИ Электроника физическая Работа Контрольная
User nat2744 : 13 ноября 2009
100 руб.
Устройства оптоэлектроники зачет
Устройства оптоэлектроники зачет
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User Антон28 : 8 августа 2025
500 руб.
Устройства оптоэлектроники и нанофотоники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре студенческого билета 21. № варианта Тип фотоприёмника (ФП) 1 Фотодиод со структурой p-i-n
******* Не известно Оптоэлектроника и нанофотоника Работа Контрольная
User Yuliyatitova : 1 апреля 2020
Устройства оптоэлектроники. Зачёт
Раздел: Физические основы оптоэлектроники. 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User Gila : 17 января 2019
210 руб.

Другие работы

Духовный кризис: Когда преобразование личности становится кризисом
Сегодня все большее число людей, вовлеченных в процесс личностной трансформации, испытывает эпизоды духовного кризиса, когда процесс духовного роста и перемен становится хаотическим и захлестывающим. В этой антологии выдающиеся психологи, психиатры и духовные учителя задаются вопросом о природе духовного кризиса, о связи между духовностью, безумием и целостностью. В каких формах проявляется духовный кризис? Какие надежды и разочарования внутренне присущи духовной практике? Чем друзья, семья и пр
Психология Работа
User Elfa254 : 16 апреля 2013
5 руб.
Сутність і призначення санації підприємств
Вступ 1. Економічна сутність санації, випадки та мета її проведення 2. Умови проведення фінансової санації підприємства 3. Фінансові джерела санації підприємства 4. Порядок проведення санації підприємств Висновки Список використаної літератури Вступ Нині в Україні існує значна кількість фінансово неспроможних підприємств. Так, на початку ХХI ст. — 38% усіх підприємств працювали збитково. Наслідком незадовільного фінансового стану багатьох вітчизняних підприємств стало катастрофічне збільш
Организация и планирование производства Работа
User elementpio : 21 декабря 2012
Проектирование и расчет технологического процесса изготовления колеса
СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ……………………………………………………………………………3 1. ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ………….……………………………………… 4 1.1 Исходные данные………………..……………………………………………….4 1.2 Назначение и анализ конструкции детали ………………………………………4 1.3 Анализ технологичности………………………………………………………….5 1.4 Определение типа производства……….…………………………............…...... 8 1.5 Выбор заготовки и метод её получения……………………..………………… 11 1.6 Разработка маршрута обработки детали…………………………… …………. 15 1.7 Выбор и обоснование технологических
Технология машиностроения Работа Курсовая
User Рики-Тики-Та : 23 ноября 2011
55 руб.
Термодинамика ПетрГУ 2009 Задача 2 Вариант 45
Рассчитать смешанный цикл двигателя внутреннего сгорания, т.е. найти параметры p, V и T для характерных точек цикла, изменение внутренней энергии, энтальпии, энтропии, а также работу в отдельных процессах и цикле. Определить также степень предварительного расширения, степень повышения давления и термический КПД цикла. Параметры выбрать из таблицы 1. Дополнительные данные для расчета: начальный объем — V1=0,001 м³; количество теплоты, подводимой в изобарном процессе — Qp=1,05 кДж; количество т
Задачи Теплотехника
User Z24 : 12 декабря 2025
650 руб.
Термодинамика ПетрГУ 2009 Задача 2 Вариант 45
up Наверх