Электроника
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
16.02.2011
-
Размер:
114 KB
-
Покупок:
11
-
Добавил:
reanimator00
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Экзаменационная работа.doc
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационная работа
По дисциплине: «Электроника»
1. 1.1. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ.
1.2. Составьте таблицу истинности.
1.3. Приведите вид входной и передаточной характеристик.
1.4. Дайте определения основным параметрам ЦИМС.
1.5. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
2. 2.1. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
2.2. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
2.3. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
3. Свойства полупроводниковых материалов используемых в электронике.
По дисциплине: «Электроника»
1. 1.1. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ.
1.2. Составьте таблицу истинности.
1.3. Приведите вид входной и передаточной характеристик.
1.4. Дайте определения основным параметрам ЦИМС.
1.5. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
2. 2.1. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
2.2. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
2.3. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
3. Свойства полупроводниковых материалов используемых в электронике.
Дополнительная информация
2010 г., СибГУТИ, Игнатов А. Н. Оценка: Хорошо. Работа выполнена полностью, аккуратно!
Похожие материалы
Электроника
Юрий14
: 23 ноября 2021
1. Структурная схема операционного усилителя (схема, назначение всех узлов, которые входят в состав структурной схемы).
2. Логический элемент комплементарной МДП логики (КМДП) «операция НЕ, И-НЕ»
Юрий14
: 23 ноября 2021
150 руб.
Электроника
tatacava1982
: 18 сентября 2020
экзаменационный билет №8, экзаменационная работа № 8
Экзаменационная работа
По дисциплине: Электроника
Билет: №8
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Структурные схемы и поколения ОУ.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите
tatacava1982
: 18 сентября 2020
70 руб.
Электроника
tatacava1982
: 18 сентября 2020
Вариант 17
Курсовая работа
По дисциплине: Электроника
«Разработка интегрального аналогового устройства»
Содержание
Введение 3
1. Разработка структурной схемы. 4
2. Разработка принципиальной схемы.
tatacava1982
: 18 сентября 2020
120 руб.
Электроника
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
ЭЛЕКТРОНИКА
Содержание
Введение 3
1 Электрический расчёт цифровой схемы 4
1.1 Электрический расчёт элементов схемы 4
1.1.1 Комбинация 0111 4-5
1.1.2 Комб
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
200 руб.
Электроника
кайлорен
: 29 мая 2019
Экзамен
По дисциплине: Электроника
БИЛЕТ №17,ЗАДАНИЯ 2019 ГОДА
1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общи
кайлорен
: 29 мая 2019
325 руб.
Электроника
KarpKarp
: 4 апреля 2017
Введение 3
Техническое задание 4
1. Электрический расчет схемы 5
2. Оценка потенциалов и расчет токов схемы 6
Расчет для комбинации входных сигналов
KarpKarp
: 4 апреля 2017
100 руб.
Электроника
Shtolc25
: 15 февраля 2017
№ Варианта 04
Uпит=-12В
Кu=7
Rвх=4,7Мом
Rн=2кОм
Uном=2В
Fн=300Гц
Fв=3,4Кгц
Мн=2дБ
Мв=2дБ
Тип входа несимметричный
Тип выхода несимметричный
Shtolc25
: 15 февраля 2017
Электроника
1ked
: 13 декабря 2015
Введение 3
Техническое задание 4
1. Электрический расчет схемы. 5
1.1 Оценка потенциалов и расчет токов схемы 5
1.1.1 Расчет для комбинации входных сигналов 0100 6
1.1.2 Расчет для комбинации входных сигналов 1001 9
1.1.3 Расчет для комбинации входных сигналов 1010 13
1.2 Расчет мощностей, рассеиваемых на резисторах. 17
1.3 Расчет мощности, потребляемой всей схемой 18
1.4 Составление таблицы истинности. 19
2. Разработка топологии ИМС 20
2.1 Расчет размеров резисторов 20
2.2 Расчет площади, заним
1ked
: 13 декабря 2015
300 руб.
Другие работы
Гидравлика и нефтегазовая гидромеханика Хабаровск ТОГУ Задача 1 Вариант 3
Z24
: 26 ноября 2025
К цилиндру подключен двух жидкостной ртутно-водяной манометр и технический пружинный манометр (рис.1). Определить показания технического манометра рм, если известны: h1, h2, h3, h4 и H.
Z24
: 26 ноября 2025
150 руб.
Корпус А6ГР.01.10.00.000 ЧЕРТЕЖ t-flex
coolns
: 30 октября 2024
Корпус А6ГР.01.10.00.000 t-flex
Корпус А6ГР.01.10.00.000 т-флекс
Корпус А6ГР.01.10.00.000 СБ
Корпус А6ГР.01.10.00.000 Спецификация
Корпус А6ГР.01.10.00.000 3d сборка
Корпус А6ГР.01.10.00.000 чертежи
Корпус А6ГР.01.10.00.002
Ось А6ГР.01.10.00.003
Пята А6ГР.01.10.00.004
Прокладка А6ГР.01.10.00.005
Фланец сварной А6ГР.01.10.01.000 Сборочный чертеж
Фланец сварной А6ГР.01.10.01.000 спецификация
Крышка А6ГР.01.10.01.001
Втулка А6ГР.01.10.01.002
Ребро А6ГР.01.10.01.003
Все чертежи и 3D модели (часть
coolns
: 30 октября 2024
800 руб.
«Теория электросвязи». Лабораторная работа №2
tchestr
: 23 января 2013
№9
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОМЕХОУСТОЙЧИВОСТИ ДИСКРЕТНЫХ ВИДОВ МОДУЛЯЦИИ
Цель работы
Изучение и экспериментальное исследование влияния вида модуляции (AM, ЧМ, ФМ) на помехоустойчивость системы передачи дискретных сообщений, изучение методики экспериментального измерения вероятности ошибки.
Отчет
Лабораторная установка представляет собой имитационную модель
системы передачи информации (СПИ). Программное обеспечение позволяет решать широкий спектр задач, возникающих при исследовании систем передачи информа
tchestr
: 23 января 2013
70 руб.
Экзамен по предмету Методы оптимальных решений. Билет №6
nastenakosenkovmailru
: 18 марта 2016
2.Решить графически игру, заданную платежной матрицей:
2 4 0 3 5
6 3 8 4 2
nastenakosenkovmailru
: 18 марта 2016
75 руб.
