Разработка интегрального аналогового устройства
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Вариант № 17
Разработка интегрального аналогового устройства
Техническое задание.
Разработать принципиальную схему и выполнить расчет двухкаскадной схемы усилителя с использованием полевого и биполярного транзисторов.
1. Разработка структурной схемы.
2. Разработка принципиальной схемы.
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики.
4. Разработка интегральной микросхемы.
4.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов.
4.2 Выполнение топологического чертежа ГИМС.
В данной работе разрабатывается двухкаскадный усилитель, предназначенный для усиления гармонических сигналов в диапазоне звуковых частот, выполняемый в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИМС). Гибридные интегральные микросхемы представляют собой микросхемы, которые содержат кроме элементов, неразрывно связанных с подложкой, компоненты, которые могут быть выделены как самостоятельное изделие. Главные достоинства ГИМС состоят в том, что они имеют малые размеры и массу, по сравнению с дискретными элементами потребляют малую мощность от источника питания, обладают высокой надежностью, высоким быстродействием. Применение интегральных микросхем вместо дискретных элементов в качестве элементной базы электронных устройств дает значительные преимущества по надежности, габаритам, стоимости и другим показателям. Это связано с тем, что при использовании ИС отпадает необходимость в многочисленных паяных соединениях – основном факторе снижения надежности, сокращаются габариты и масса электронных устройств, существенно снижается их стоимость за счет исключения множества сборочных и монтажных операций. Гибридные микросхемы занимают доминирующее положение в схемах с большими электрическими мощностями, а также в устройствах СВЧ, в которых можно применять как толстопленочную технологию, не требующую жестких допусков и высокой точности нанесения и обработки пленок, так и тонкопленочную технологию для обеспечения нанесения пленочных элементов очень малых размеров.
Разработка интегрального аналогового устройства
Техническое задание.
Разработать принципиальную схему и выполнить расчет двухкаскадной схемы усилителя с использованием полевого и биполярного транзисторов.
1. Разработка структурной схемы.
2. Разработка принципиальной схемы.
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики.
4. Разработка интегральной микросхемы.
4.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов.
4.2 Выполнение топологического чертежа ГИМС.
В данной работе разрабатывается двухкаскадный усилитель, предназначенный для усиления гармонических сигналов в диапазоне звуковых частот, выполняемый в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИМС). Гибридные интегральные микросхемы представляют собой микросхемы, которые содержат кроме элементов, неразрывно связанных с подложкой, компоненты, которые могут быть выделены как самостоятельное изделие. Главные достоинства ГИМС состоят в том, что они имеют малые размеры и массу, по сравнению с дискретными элементами потребляют малую мощность от источника питания, обладают высокой надежностью, высоким быстродействием. Применение интегральных микросхем вместо дискретных элементов в качестве элементной базы электронных устройств дает значительные преимущества по надежности, габаритам, стоимости и другим показателям. Это связано с тем, что при использовании ИС отпадает необходимость в многочисленных паяных соединениях – основном факторе снижения надежности, сокращаются габариты и масса электронных устройств, существенно снижается их стоимость за счет исключения множества сборочных и монтажных операций. Гибридные микросхемы занимают доминирующее положение в схемах с большими электрическими мощностями, а также в устройствах СВЧ, в которых можно применять как толстопленочную технологию, не требующую жестких допусков и высокой точности нанесения и обработки пленок, так и тонкопленочную технологию для обеспечения нанесения пленочных элементов очень малых размеров.
Дополнительная информация
2008. Оценка - отлично.
Похожие материалы
Разработка интегрального аналогового устройства
Mikhasolodovnik
: 11 февраля 2019
Вариант №10;
По указанию преподавателя напряжение питание принимаю равным 10В, так как это максимально допустимое напряжение для полевого транзистора 2П201А.
UПИТ = -10 В;
Коэффициент усиления по напряжению KU = 8 раз;
Входное сопротивление RВХ = 0,33 МОм;
Сопротивление нагрузки RН = 2 кОм;
Номинальное напряжение UНОМ = 2 В;
Нижняя рабочая частота FН = 50 Гц;
Верхняя рабочая частота FВ = 10 кГц;
Коэффициент частотных искажений на нижней частоте MН = 1 дБ;
Коэффициент частотных искажений на верх
1000 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Adam
: 26 сентября 2017
Введение 4
1. Разработка структурной схемы 7
2. Разработка принципиальной схемы 8
3. Разработка интегральной микросхемы 10
3.1 Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов 10
4. Расчёт первого каскада на VT1 13
5. Расчёт ёмкостей СР1, СК, СР2, СР3. 14
6. Расчет АЧХ. 15
7. Выбор навесных элементов и расчёт конфигурации плёночных элементов 16
8. Этапы изготовления ГИМС 21
Литература 24
300 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Эрик4
: 9 апреля 2017
Исходные данные:
1. Напряжение источника питания - Uпит = +15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению - Кu = 13.
3. Входное сопротивление - Rвх = 2,7 МОм.
4. Сопротивление нагрузки - Rн = 2 кОм.
5. Номинальное входное напряжение - Uном = 3 В.
6. Нижняя рабочая частота (НРЧ) - fн = 300 Гц.
7. Верхняя рабочая частота (ВРЧ) - fв = 3,4 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на НРЧ - Мн =3 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на ВРЧ - Мв =3 дБ.
10. Тип входа - Н.
11. Тип выхода - С.
200 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Dctjnkbxyj789
: 16 января 2016
Исходные данные курсовой работы:
Напряжение источника питания U_пит=-12 В;
Коэффициент усиления по напряжению K_u=8;
Входное сопротивление R_вх=0,33 МОм;
Сопротивление нагрузки R_Н=2кОм;
Номинальное выходное напряжение U_ном=2 В;
Нижняя рабочая частота f_н=50 Гц;
Верхняя рабочая частота f_в=10 кГц;
Частотные искажения (НЧ) М_н=1 дБ;
Частотные искажения (ВЧ) М_в=1 дБ;
Тип входа – несимметричный;
Тип выхода – несимметричный.
100 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
nik5590585
: 22 января 2015
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС).
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ варианта 02
1. Напряжение источника питания UПИТ = + 9 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 6.
3. Входное сопротивление: RВХ = 5,1 МОм.
4. Выходное сопротивление: RН = 1,0 кОм.
5. Выходное номинальное напряжение UНОМ = 1 В.
6. Нижняя рабочая частота: fН = 50 Гц.
7. Верхняя рабочая частота: FВ
360 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Amor
: 10 июня 2013
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
150 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
paandreevna
: 28 февраля 2012
Содержание
Техническое задание………………………………………………………………….2
Введение………………………………………………………………………………3
1.Разработка структурной схемы……………………………………………………5
2.Разработка принципиальной схемы………………………………………………6
2.1 Электрический расчет…………………………………………………………….7
2.2. Расчет элементов определяющих АЧХ………………………………………..11
3.Разработка интегральной схемы………………………………………………….15
4.Этапы изготовления ГИМС……………………………………………………….18
Заключение…………………………………………………………………………..20
Литература…………………………………………………………………………...2
50 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
paandreevna
: 28 февраля 2012
Курсовая работа сдана на "4"
Вариант 06
Содержание:
Техническое задание……………………………………………………
Введение……………………………………………………………….....
1. Разработка структурной схемы……………………………………
2. Разработка принципиальной схемы....…………………………….
3. Разработка интегральной микросхемы…………………………...
3.1. Электрический расчет……………………………………………..
3.2. Расчёт элементов определяющие АЧХ………………………...
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………...
5 Этапы изготовления устройства в виде гибридной
Интегральной микросхемы……
50 руб.
Другие работы
Крышка. Вариант 13 ЧЕРТЕЖ t-flex
coolns
: 28 января 2025
Крышка. Вариант 13 ЧЕРТЕЖ
Крышка. Вариант 13 t-flex
Крышка. Вариант 13 тфлекс
По приведенным изображениям детали построить 3d модель и чертеж вид сверху и выполнить необходимые разрезы.
Чертеж и 3D модель (показана на скриншотах) выполнены в T-FLEX CAD 16 Учебная Версия. Возможно открыть и выше версиях T-FLEX.
Также открывать и просматривать чертежи и 3D-модели, выполненные в T-FLEX CAD возможно в T-FLEX Viewer.
По другим вариантам и всем вопросам пишите в Л/С. Отвечу и помогу.
200 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 3
parovozz
: 23 декабря 2013
Отчет по работе №3
" ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ"
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Экспериментальные данные
2.1. Снятие передаточной характеристики IC=F(U3И).
Зачёт. ДО. 3 семестр.
50 руб.
Электропитание устройств и систем связи. Лабораторная работа №4. Вариант №10
133124NK
: 7 марта 2013
Трехфазный неуправляемый выпрямитель
Цель работы:
Исследование установившихся процессов в трехфазных схемах выпрямления. Экспериментальное определение кпд и выходного сопротивления, снятие внешних характеристик выпрямителей при работе на активную нагрузку. Оценка степени влияния параметров элементов схемы и индуктивности рассеяния трансформатора на качественные показатели трехфазных выпрямителей.
Данные задания (таблица 1).
Таблица1
Номер варианта 10
Напряжение UA,…UC, В 100
Частота f
45 руб.
Гидравлика Задача 10.304
Z24
: 19 октября 2025
Из открытого резервуара по сифонному трубопроводу (рис. ) диаметром d следует вода. Горизонтальная его часть находится выше уровня воды на h, а выходное отверстие ниже поверхности воды на l.
Пренебрегая потерями напора в трубе определить высоту h, если l = 3м, р1 = 60 кПа, d = 100 мм;
150 руб.