Физические основы электроники. Контрольная работа. 2 семестр 1 вариант.
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника физическая, Работа Контрольная
-
Добавлен:
19.04.2011
-
Размер:
845 KB
-
Покупок:
24
-
Добавил:
novosibguti
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Контрольная.doc
|
графики.xls
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
- Microsoft Excel
Описание
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э =2 и постоянная времени цепи коллектора tК= 100 пс.
ЗАДАЧА 4
Дано: полевой транзистор типа КП 103 К, UСИ 0= 7В, UЗИ 0=4В.
Для построения характеристики прямой передачи по графику выходных характеристик определяем ток стока при UЗИ=0 В, 0,5 В и т.д. (рисунок 4.1).
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частоте f =100 МГц модуль коэффициента передачи тока H21Э =2 и постоянная времени цепи коллектора tК= 100 пс.
ЗАДАЧА 4
Дано: полевой транзистор типа КП 103 К, UСИ 0= 7В, UЗИ 0=4В.
Для построения характеристики прямой передачи по графику выходных характеристик определяем ток стока при UЗИ=0 В, 0,5 В и т.д. (рисунок 4.1).
Дополнительная информация
2010год, Савиных В. Л., зачет.
Похожие материалы
Физические Основы Электроники Контрольная работа
S4M
: 16 июня 2022
Контрольная работа по дисциплине Физические Основы Электроники для факультета ЗО. Вариант № 9
S4M
: 16 июня 2022
400 руб.
Контрольная работа по физическим основам электроники
Богарт
: 5 апреля 2017
Задача 1: Исходные данные для задачи надо взять из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, надо рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока
Богарт
: 5 апреля 2017
199 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники.
Игуана
: 10 декабря 2012
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
Игуана
: 10 декабря 2012
120 руб.
Контрольные работы по физическим основам электроники
Aronitue9
: 3 сентября 2011
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на част
Aronitue9
: 3 сентября 2011
50 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа
Seregos
: 4 января 2010
КР Вариант №3 ФОЭ СибГУТИ
Задача 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60В, сопротивление нагрузки RН=1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=250мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ=150 мкА.
Seregos
: 4 января 2010
Контрольная работа: Физические основы электроники
Лесник
: 17 ноября 2009
Биполярный транзистор.
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллектор
Лесник
: 17 ноября 2009
70 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа.
madamm
: 17 декабря 2008
Содержание задач контрольной работы
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1.
Вариант No2.
Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 625 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 375 мкА .
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать пар
madamm
: 17 декабря 2008
220 руб.
Контрольная работа по дисциплине физические основы электроники
Иннокентий
: 30 сентября 2019
Описание:
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
№ вар. Тип БТ ЕК, В
RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t пc К,
6 КТ605А 15 300 625 375 20 2,5 230
Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или
Иннокентий
: 30 сентября 2019
100 руб.
Другие работы
Языковая сфера предпринимательства и бизнеса в лексикографическом аспектеа
evelin
: 22 февраля 2014
Языковая концептуализация сферы предпринимательства и бизнеса в русском и английском языках обусловлена различиями и особенностями русского менталитета и западной языковой картины мира и отражает их этноспецифичность, а также эксплицирует систему понятийно-деривационных и тематических групп базовых понятий, являющихся семантическим основанием данного концептуализированного пространства. В языковой области предпринимательства и бизнеса доминирует синтаксический способ деривации, являющийся важней
evelin
: 22 февраля 2014
5 руб.
Почему IBM ClearCase и ClearQuest лучше других средств
alfFRED
: 30 сентября 2013
Предлагаемые решения основаны на сочетании методологии и инструментальных средств IBM Rational. Обоснования выбора платформы IBM Rational поясняются следующими соображениями:
В современных условиях разработка (разработка, заказ, приемка, сопровождение) ПО является ключевым (а не вспомогательным) процессом любой коммерческой или государственной организации;
Постановка процессов Управления Конфигурациями (КУ) и изменениями (УИ), ПО на современную методологическую платформу и использование при ав
alfFRED
: 30 сентября 2013
10 руб.
Выборочный метод в современной таможенной статистике
evelin
: 28 декабря 2013
Содержание:
Введение
Глава 1. Основные аспекты таможенного оформления и таможенного контроля
Глава 2. Выборочный метод в современной таможенной статистике
Заключение
Список литературы
Введение
Актуальность темы исследования. В условиях глобализации мировой экономики особенно важным является процесс превращения таможенной службы в партнера участников внешнеэкономической деятельности (ВЭД), гибко вписывающегося в общий товаропоток, заинтересованного в ускорении его продвижения, повышающего
evelin
: 28 декабря 2013
10 руб.
Проект отработки участка месторождения, расположенного в Кузнецком бассейне
Qiwir
: 5 января 2014
Содержание
Введение………………………………………………………………………………………….5
Глава 1.Понятие и сущность государственных корпораций………………………………….8
1.1 Объективные и субъективные предпосылки формирования государственных корпораций в России……………………………………………………………………………9
1.2 Причины создания государственных корпораций в России……………………………..16
Глава 2. Основные категории (модели) государственных корпораций……………….……19
Глава 3. Основные проблемы в созданных государственных корпорациях……..…………22
Заключение………………………………
Qiwir
: 5 января 2014
10 руб.
