Устройства оптоэлектроники, Контрольная работа, вариант 06

Цена:
45 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Контрольная работа.doc
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
6  Составной фототранзистор
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность,
Ширина запрещенной зоны W, эВ
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.

Дополнительная информация

2011, Зачет, Без замечаний
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 06
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Последняя цифра пароля: 6 Тип фотоприемника: Составной фототранзистор Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Предпоследняя цифра пароля: 0 Тип ПП материала: Ge Квантовая эффективность n: 0,2 Ширина запрещенной
User SibGOODy : 17 марта 2018
400 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники Вариант 06
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
User vladimir2050 : 5 января 2018
190 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант:06
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.(Составной фототранзистор) Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.(Ge) Задача №3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. У
User radist24 : 26 февраля 2012
50 руб.
Зачет: «Устройства оптоэлектроники». Вариант 06
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники». Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Классификация оптоэлектронных приборов и устройств. Раздел Излучатели. 2.Светодиодные источники повышенной яркости и белого света. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фоторезистора. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного блокинг-генератора.
User radist24 : 6 декабря 2012
90 руб.
Устройства оптоэлектроники. Курсовая работа. Вариант №06
Тема: «Разработка интегрального аналогового устройства» Техническое задание 3 Введение 4 1. Разработка структурной схемы 6 2. Разработка принципиальной схемы 8 3. Разработка интегральной микросхемы 16 3.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов 16 3.2. Разработка топологии 21 3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы 22 Заключение 24 Список литературы: 25
User panterkangtu : 27 ноября 2016
250 руб.
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
User Галилео : 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант №07 – Фототранзистор Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах. Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки, либо атомов примеси. Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
User Сергейds : 6 февраля 2014
59 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 5 Составной фототранзистор
User Богарт : 2 июня 2011
199 руб.
Теория вероятности и математическая статистика. Вариант №9
Задача 10.9 Из аэровокзала отправились 2 автобуса-экспресса к трапам самолётов. Вероятность своевременного прибытия каждого автобуса в аэропорт равна 0,95. Найти вероятность того, что: а) оба автобуса придут вовремя; б) оба автобуса опоздают; в) только один автобус прибудет вовремя; г) хотя бы один автобус прибудет вовремя. Задача 11.9 Вероятность наступления события в каждом из независимых испытаний равна 0,8. Сколько нужно произвести испытаний, чтобы с вероятностью 0,95 можно было ожид
User Mixhot : 29 апреля 2014
40 руб.
Зачет по дисциплине: Физика (спецглавы). Билет № 11
Билет № 11 1. Полупроводники. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Зависимость электропроводности полупроводников от температуры. Полупроводники – материалы, удельное сопротивление которых при нормальной температуре находится между значениями удельного сопротивления проводников и диэлектриков. При этом проводимость возникает в них при условии порогового энергетического воздействия: тепла (пороговая температура), электростатического поля (пороговый потенциал), излучения (порогова
User ankomi : 18 сентября 2013
100 руб.
Теплотехника Задача 23.2
Поверхность нагрева состоит из плоской стальной стенки толщиной δ. По одну сторону стенки движется горячая вода, средняя температура которой tж1, по другую — вода со средней температурой tж2 или воздух, средняя температура которого tв2. Определить для обоих случаев плотность теплового потока q(Вт/м²) и коэффициент теплопередачи, а также значения температур на обоих поверхностях стенки. Найти изменение удельного теплового потока Δq для первого случая, если с каждой стороны стальной стенки появитс
User Z24 : 12 ноября 2025
200 руб.
Теплотехника Задача 23.2
Шпаргалки по высшей математике
формулы, теоремы и все такое
User scream:) : 20 января 2009
up Наверх