Экзамен по дисциплине: электроника.

Категории: СибГУТИ, Электроника, Работа Экзаменационная
Добавлен: 10.05.2011
Размер: 259 KB
Покупок: 62
Добавил:
женя68

Написать сообщение

Все работы пользователя

Цена:

56 руб.

Скачать

D5732AEA-5113-425F-8713-5C0F56BF839F.rar [259 KB]

.экзамен электроника.doc [344 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:

Microsoft Word

Что делать, если файл не открывается

Описание

Экзамен.
По дисциплине: электроника.
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики Принципиальная схема базового элемента ДТЛ микросхемы.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

2010г.СибГУТИ
29.09.2010 Хорошо

Экзамен по дисциплине: Электроника

1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи

******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная

oksana111 : 24 июля 2014

300 руб.

Экзамен по дисциплине "Электроника".

1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и пока

СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

corner : 21 февраля 2013

150 руб.

Экзамен по дисциплине: Электроника

Экзаменационные вопросы: 1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характери-стики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите

СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

Ekaterina-Arbanakova : 11 февраля 2013

250 руб.

Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встрое

ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

Rufus : 26 мая 2016

200 руб.

Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Параметры полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите в

СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

dubhe : 7 марта 2015

300 руб.

Экзамен по дисциплине «Электротехника и электроника»

1. Применение генераторов тока в ОУ. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необ

Электротехника СибГУТИ Работа Экзаменационная

Hanifa : 3 октября 2012

70 руб.

Экзамен по дисциплине: « Электротехника и электроника»

1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные ха

СибГУТИ Билеты экзаменационные Электроника промышленная

Dusya : 20 октября 2011

250 руб.

Экзамен по дисциплине: Электроника. Билет №1

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточ

СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

IT-STUDHELP : 6 ноября 2019

200 руб.

Теплотехника 18.03.01 КубГТУ Задача 3 Вариант 25

В горизонтальном трубчатом теплообменнике охлаждается М (кг/c) керосина с изменением температуры от t’1 до t»1. По каналу перпендикулярно трубам движется воздух, который за счет отводимой от керосина теплоты, нагревается от температуры t’2 до t»2. Теплообменник состоит из бронзовых труб с диаметром dн/dв=37/32 мм, расположенных коридорно. Число рядов труб в пучке n=20. Определить требуемую поверхность теплообмена.

Задачи Теплотехника

Z24 : 23 января 2026

200 руб.

Основы термодинамики и теплотехники СахГУ Задача 3 Вариант 94

Покажите сравнительным расчетом целесообразность одновременного повышения начальных параметров и снижения конечного давления пара для паросиловой установки, работающей по циклу Ренкина, определив термический КПД цикла и теоретический удельный расход пара для двух различных значений начальных параметров – давления р1 и температуру t1, конечного давления p2 определите степени сухости пара x2 в конце расширения в обоих случаях. Покажите сравнительный анализ на диаграмме пара в координатах h-s.

Задачи Теплотехника

Z24 : 28 января 2026

200 руб.

Механизм крепления мертвого конца талевого каната-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа

Механизм крепления мертвого конца талевого каната-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа

Нефтяная промышленность ИНиГ Чертежи

https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27 : 11 июня 2016

500 руб.