Экзамен по дисциплине: электроника.

Цена:
56 руб.

Состав работы

material.view.file_icon D5732AEA-5113-425F-8713-5C0F56BF839F.rar [259 KB]
material.view.file_icon .экзамен электроника.doc [344 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Экзамен.
По дисциплине: электроника.
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики Принципиальная схема базового элемента ДТЛ микросхемы.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

2010г.СибГУТИ
29.09.2010 Хорошо

Похожие материалы

Экзамен по дисциплине: Электроника
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User oksana111 : 24 июля 2014
300 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и пока
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User corner : 21 февраля 2013
150 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
Экзамен по дисциплине: Электроника
Экзаменационные вопросы: 1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характери-стики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Ekaterina-Arbanakova : 11 февраля 2013
250 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встрое
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Rufus : 26 мая 2016
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Параметры полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите в
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User dubhe : 7 марта 2015
300 руб.
promo
Экзамен по дисциплине «Электротехника и электроника»
1. Применение генераторов тока в ОУ. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необ
Электротехника СибГУТИ Работа Экзаменационная
User Hanifa : 3 октября 2012
70 руб.
Экзамен по дисциплине: « Электротехника и электроника»
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные ха
СибГУТИ Билеты экзаменационные Электроника промышленная
User Dusya : 20 октября 2011
250 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. Билет №1
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточ
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User IT-STUDHELP : 6 ноября 2019
200 руб.
promo

Другие работы

Клапан всасывающий скважинной штанговой насосной установки Модернизированный Сборочный чертеж-Клапан всасывающий Сборочный чертеж-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
Клапан всасывающий Модернизированный Сборочный чертеж-Клапан всасывающий Сборочный чертеж-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
Нефтяная промышленность Чертежи
User lenya.nakonechnyy.92@mail.ru : 30 мая 2018
460 руб.
Клапан всасывающий скважинной штанговой насосной установки Модернизированный Сборочный чертеж-Клапан всасывающий Сборочный чертеж-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
Теплофизика. Вариант №6
Задача No1 Колба вместимостью V=300 см2, закрытая пробкой с краном, содержит разреженный воздух. Для измерения давления в колбе горлышко колбы погрузили в воду на незначительную глубину и открыли кран, в результате чего в колбу вошла вода массой т=292 г. Определить первоначальное давление р в колбе, если атмосферное давление P0 = 100 кПа. Из уравнения Менделеева-Клапейрона (УМК), применяемого в задаче, вывести уравнение состояния и УМК для молекулярного уровня и подробно объяснить его. Задача
СибГУТИ Теплофизика Работа Контрольная
User mixalkina94 : 27 декабря 2021
250 руб.
Игра «Зайцы в огороде», Игра «Защищай товарища»
Педагогические задачи, решаемые этой игрой: 1. Оздоровительная: развитие сердечно-сосудистой, дыхательной и мышечной системы, улучшение эмоционального состояния; 2. Воспитательная: развитие ловкости, скоростно - силовых качеств, выносливости, создание условий для самопознания, воспитания дисциплины, развития воображения, мгновенной реакции на зрительные сигналы и внимания, умение совладать с возбуждением; 3. Образовательная: развитие наблюдательности, приобретение и совершенствование навыка пр
ГЦОЛИФК (РГУФК) Рефераты Физическая культура и спорт
User AlexeyMSC : 21 июля 2024
100 руб.
Производственный менеджмент. Контрольная работа. 5-й вариант
Оценка качества работы компании оператора сотовой связи с использованием методики SERVQUAL. Были опрошены 10 человек, абоненты «МТС», их ожидание и соответствие качества обслуживания в офисах компании. Ответы респондентов оформлены в виде таблицы 1. № п/п и тип Критерий качества Рейтинг восприятия P Рейтинг ожидания E Подкритерии качества SQj, P – E М1 Офисы обслуживания клиентов компании оснащены современной оргтехникой и оборудованием 37 50 -13 М2 Интерьер и обстановка в офисах обслуживан
ДО СИБГУТИ Менеджмент Работа
User terminator : 3 августа 2017
50 руб.
up Наверх