Экзамен по Электронике.Билет 2
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
БИЛЕТ 2
1. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
2. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки
3. Электропроводность полупроводников.
1. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
2. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки
3. Электропроводность полупроводников.
Дополнительная информация
СибГУТИ,2010 г.,Хорошо
Похожие материалы
Экзамен. Электроника. Семестр №5. Билет №2.
Uiktor
: 24 октября 2017
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
230 руб.
Экзамен по электронике
ZhmurovaUlia
: 11 июня 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по
140 руб.
Экзамен по электронике.
albanec174
: 9 апреля 2013
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Структурные схемы и поколения ОУ.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
П
70 руб.
Экзамен по электронике. Билет 3.
sanco25
: 1 февраля 2012
1. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике.
В полупроводниковых приборах могут протекать дрейфовый и диффузионный токи. Дрейфовым называется ток, обусловленный электрическим полем.
2. Неинвертирующий масштабный усилитель на ОУ.
При использовании высококачественных ОУ свойства функциональных узлов зависят от параметров внешних цепей, подключенных к ОУ, и практически не зависят от параметров элементов внутри ОУ. Эта особенность позволяет при проектировании, устройств на ОУ пользоваться уп
90 руб.
Экзамен по электронике Билет 9.
Deamon
: 12 марта 2011
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выхо
250 руб.
Экзамен по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №2
IT-STUDHELP
: 29 сентября 2023
Билет №2
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и
200 руб.
Экзамен. Электроника
lisii
: 21 марта 2019
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом
65 руб.
Экзамен. Электроника
AlexBrookman
: 3 февраля 2019
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Параметры полевого транзистора.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приве
90 руб.
Другие работы
Контрольная работа №1 по физике. Вариант 6. 1- й семестр. СибГУТИ ДО
Ekaterina-Arbanakova
: 20 апреля 2012
Механика
116. На полу стоит тележка в виде длинной доски, снабженной легкими колесами. На одном конце доски стоит человек. Масса его m1 = 60 кг, масса доски m2 = 20 кг. С какой скоростью (относительно пола) будет двигаться тележка, если человек пойдет вдоль нее со скоростью (относительно доски) v = 1 м/с? Массой колес и трением пренебречь.
126. Шар массой m1 =4 кг движется со скоростью v1 = 5 м/с и сталкивается с шаром массой m2 = 6 кг, который движется ему навстречу со скоростью v2 = 2 м/с. Оп
100 руб.
Строение вещества
Amurka
: 28 апреля 2016
1. Назовите элемент массовое число которого 31, а число нейтронов в атоме 16.
2. Электронная Формула Атома Элемента 1s22s22p63s23p64s23d2. Назовите Элемент.
3. Составить электронную формулу атома элемента № 120.
4. Сколько свободных d-орбиталей содержится в атоме элемента скандия?
5. Какой элемент проявляет более неметаллические свойства. Почему? Сера-мышьяк.
6. Записать электронную формулу валентных электронов для атома элемента с атомным номером 24.
7. Определить валентность в основном и возбу
250 руб.
Цели и психологические методы изучения личности в профессиональной деятельности юриста
Алёна51
: 3 ноября 2017
Введение 3
1. Понятие личности в психологической и правовой науке 5
2. Цели и психологические методы изучения личности в юридической психологии 12
Заключение 22
Библиографический список 24
100 руб.
Лабораторные работы 1, 4
Homa
: 9 апреля 2022
Лабораторная работа 1
«Приобретение навыков работы в сетевом симуляторе Cisco Packet Tracer»
Цель работы: получение базовых навыков по работе с командным интерфейсом сетевых устройств Cisco
Лабораторная работа 4
«Настройка параметров простой IP-сети»
Цель работы: конфигурирование сетевых интерфейсов компонентов IP-сети. Закрепление навыков работы с интерфейсом командной строки маршрутизатора. Объединение компьютеров в сеть и проверка сетевых соединений.
250 руб.