Экзамен по Электронике.Билет 2
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
БИЛЕТ 2
1. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
2. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки
3. Электропроводность полупроводников.
1. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
2. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки
3. Электропроводность полупроводников.
Дополнительная информация
СибГУТИ,2010 г.,Хорошо
Похожие материалы
Экзамен. Электроника. Семестр №5. Билет №2.
Uiktor
: 24 октября 2017
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
230 руб.
Экзамен по электронике
ZhmurovaUlia
: 11 июня 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по
140 руб.
Экзамен по электронике.
albanec174
: 9 апреля 2013
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Структурные схемы и поколения ОУ.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
П
70 руб.
Экзамен по электронике. Билет 3.
sanco25
: 1 февраля 2012
1. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике.
В полупроводниковых приборах могут протекать дрейфовый и диффузионный токи. Дрейфовым называется ток, обусловленный электрическим полем.
2. Неинвертирующий масштабный усилитель на ОУ.
При использовании высококачественных ОУ свойства функциональных узлов зависят от параметров внешних цепей, подключенных к ОУ, и практически не зависят от параметров элементов внутри ОУ. Эта особенность позволяет при проектировании, устройств на ОУ пользоваться уп
90 руб.
Экзамен по электронике Билет 9.
Deamon
: 12 марта 2011
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выхо
250 руб.
Экзамен. Электроника
lisii
: 21 марта 2019
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом
65 руб.
Экзамен. Электроника
AlexBrookman
: 3 февраля 2019
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Параметры полевого транзистора.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приве
90 руб.
Экзамен Электроника
andreyan
: 7 февраля 2018
1. Аналоговые ключи на транзисторах.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные харак
63 руб.
Другие работы
Кротодренажна машина на базі ХТЗ-181
elementpio
: 22 декабря 2018
Висновок
За проведеними результатами по бакалаврській роботі можна зробити наступні висновки:
1. На основі проведеного патентного пошуку по конструкціях робочого обладнання кротодренажних машин, було запропоноване технічне рішення, яке дозволяє покращити водоприймальну здатність дрени, шляхом забезпечення просочення ґрунту зміцнюючим розчином, який рівномірно розподіляється по площині ущільнюючого дрену ґрунту, дозволяє збільшити міцність дрени, шляхом кращого просочення великого шару грунту. Т
1500 руб.
Задача №11по БЖД
anderwerty
: 4 мая 2014
Средняя мощность прилива (Странгфорд Лох, Ирландия) P=0,183 ГВт, средняя высота прилива R=3,6м Опредилить площадь бассейна ПЭС.
10 руб.
Компоновка нижней части бурильной колонны для капитального ремонта скважин. курсовая работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 9 марта 2016
2.3 УСТРОЙСТВО И ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ КАЛИБРАТОРА-ВИБРОГАСИТЕЛЯ
Рисунок 17 - Устройство калибратора-виброгасителя типа ВК-122.
Конструкция калибратора-виброгасителя типа ВК-122 показана на рисун-ке 17. Он содержит корпус 2, калибрующую втулку 1, оснащенную твердо-сплавными пластинами, упругие элементы 4 с металлическими обоймами, шай-бы 3, гайку 5 и уголки 6. Длина калибрующей втулки – 115 мм.
В отличие от известных калибраторов как радиальные, так и крутильные нагрузки с калибровочной втулки
1392 руб.
Амортизатор МЧ00.49.00.00 деталировка
coolns
: 26 февраля 2020
Амортизатор МЧ00.49.00.00 сборочный чертеж
Амортизатор МЧ00.49.00.00 спецификация
Корпус МЧ00.49.00.01
Крышка МЧ00.49.00.02
Буфер МЧ00.49.00.03
Пружина МЧ00.49.00.04
Втулка МЧ00.49.00.05
Амортизатор служит для гашения ударной нагрузки, возникающей при ударе груза о буфер.
Амортизатор присоединяется к раме подъемно-транспортного устройства двумя болтами. При ударе буфер поз. 3 передает толчок через деталь поз. 2 пружине поз. 4, которая сжимается, поглощая удар. Втулка поз. 5 служит направляющей
500 руб.