Температурная зависимость электропроводности полупроводников
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
30.09.2011
-
Размер:
139 KB
-
Покупок:
4
-
Добавил:
Dusya
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
|
Лабораторная работа 6.doc
|
Отчёт.bmp
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
- Программа для просмотра изображений
Описание
Лабораторная работа
По дисциплине: « Физика»
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Выводы по работе.
Изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры: при постоянном значении тока через образец экспериментально получили зависимость напряжения на образце от температуры и, вычислив электропроводность образца σ при ряде температур T, получили зависимость величины ln от 1 Т. Точки на графике легли вдоль прямой, что соответствует линейной зависимости ln от 1 Т. По графику определили ширину запрещенной зоны образца: 0,654 эВ. Образец является полупроводником, так как материалы с шириной запрещенной зоны примерно в интервале 0,1÷4 эВ относятся к полупроводникам. По величине образец близок к германию, для которого ширина запрещенной зоны при комнатной температуре составляет около 0,67 эВ.
Ответы на контрольные вопросы.
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
По дисциплине: « Физика»
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Выводы по работе.
Изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры: при постоянном значении тока через образец экспериментально получили зависимость напряжения на образце от температуры и, вычислив электропроводность образца σ при ряде температур T, получили зависимость величины ln от 1 Т. Точки на графике легли вдоль прямой, что соответствует линейной зависимости ln от 1 Т. По графику определили ширину запрещенной зоны образца: 0,654 эВ. Образец является полупроводником, так как материалы с шириной запрещенной зоны примерно в интервале 0,1÷4 эВ относятся к полупроводникам. По величине образец близок к германию, для которого ширина запрещенной зоны при комнатной температуре составляет около 0,67 эВ.
Ответы на контрольные вопросы.
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Дополнительная информация
3 семестр. Зачет без замечаний. 2011.
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Гидравлика УГЛТУ Задача 5 Вариант 4
Z24
: 8 декабря 2025
Определить расход воды плотностью ρ = 1000кг/м³ и вязкостью ν = 1·10-6 м²/с, вытекающей из бака через трубу длиной l и диаметром d под напором Н. Коэффициенты сопротивления: входа ζвх = 0,5, крана ζкр = 5,5, колена ζкол = 1,1. Трубу считать гидравлически гладкой λ = 0,02.
Z24
: 8 декабря 2025
160 руб.
Совершенствование технологии и организации восталовления деталей машин электроконтактной приваркой в ГУСП СОВХОЗ-ЗАВОДЕ «ДМИТРИЕВСКИЙ»
Рики-Тики-Та
: 18 декабря 2015
ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ 8
1 АНАЛИЗ ПРОИЗВОДСТВЕННОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ ЧИШМИНСКОГО ФИЛИАЛА ГУСП «БАШСЕЛЬХОЗТЕХНИКА»
1.1 Общая характеристика филиала 9
1.2 Технико-экономические показатели работы филиала 11
1.3 Организация и технология восстановления деталей машин в
моторо-ремонтном цехе 16
1.3.1 Характеристика моторо-ремонтного цеха 16
1.3.2 Технология восстановления деталей машин 17
1.3.3 Технология ремонта тракторов 20
1.3.4Организация технического контроля 22
1.4 Выводы по анализу 23
2 СОВЕРШЕНСТВОВА
Рики-Тики-Та
: 18 декабря 2015
825 руб.
Контрольная работа по дисциплине: «Метрология, стандартизация, сертификация». Вариант 09
Учеба "Под ключ"
: 17 сентября 2016
Задача № 1
Для определения расстояния до места повреждения кабельной линии связи был использован импульсный рефлектометр. С его помощью получено n результатов однократных измерений (результатов наблюдений) расстояния li до места повреждения.
Считая, что случайная составляющая погрешности рефлектометра распределена по нормальному закону, определить:
1. Результат измерения с многократными наблюдениями расстояния до места повреждения кабеля l`.
2. Оценку среднего квадратического отклонения (СКО)
Учеба "Под ключ"
: 17 сентября 2016
1000 руб.
Грузовая тележка с двухтактным двигателем внутреннего сгорания
Andrey28
: 27 января 2016
Курсовая работа по дисциплине: "Теория машин и механизмов"
См. о работе и о её содержании в комментарии
Содержание расчетно-пояснительной записки:
Задание
Введение
1.Структурный анализ механизма
2.Кинематический анализ механизма
2.1.План положений
2.2.План скоростей и ускорений
2.3.Кинематические диаграммы
3.Силовой расчет
3.1.Обработка индикаторной диаграммы
3.2.Силовой расчёт группы Ассура второго класса
3.2.1.Определение сил инерции
3.2.2.Определение сил тяжести
3.2.3.Определение реакций в к
Andrey28
: 27 января 2016
59 руб.
