Температурная зависимость электропроводности полупроводников
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
30.09.2011
-
Размер:
139 KB
-
Покупок:
4
-
Добавил:
Dusya
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
|
Лабораторная работа 6.doc
|
Отчёт.bmp
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
- Программа для просмотра изображений
Описание
Лабораторная работа
По дисциплине: « Физика»
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Выводы по работе.
Изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры: при постоянном значении тока через образец экспериментально получили зависимость напряжения на образце от температуры и, вычислив электропроводность образца σ при ряде температур T, получили зависимость величины ln от 1 Т. Точки на графике легли вдоль прямой, что соответствует линейной зависимости ln от 1 Т. По графику определили ширину запрещенной зоны образца: 0,654 эВ. Образец является полупроводником, так как материалы с шириной запрещенной зоны примерно в интервале 0,1÷4 эВ относятся к полупроводникам. По величине образец близок к германию, для которого ширина запрещенной зоны при комнатной температуре составляет около 0,67 эВ.
Ответы на контрольные вопросы.
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
По дисциплине: « Физика»
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Выводы по работе.
Изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры: при постоянном значении тока через образец экспериментально получили зависимость напряжения на образце от температуры и, вычислив электропроводность образца σ при ряде температур T, получили зависимость величины ln от 1 Т. Точки на графике легли вдоль прямой, что соответствует линейной зависимости ln от 1 Т. По графику определили ширину запрещенной зоны образца: 0,654 эВ. Образец является полупроводником, так как материалы с шириной запрещенной зоны примерно в интервале 0,1÷4 эВ относятся к полупроводникам. По величине образец близок к германию, для которого ширина запрещенной зоны при комнатной температуре составляет около 0,67 эВ.
Ответы на контрольные вопросы.
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Дополнительная информация
3 семестр. Зачет без замечаний. 2011.
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Экзаменационная работа по дисциплине: Цифровая обработка сигналов. Билет №7
BuKToP89
: 31 марта 2016
Билет № 7
Факультет __ЗО МТС__
Дисциплина: __ЦОС__
1. Расчет фазовой характеристики по передаточной характеристике.
2. Расчет шумов работы ЦФ.
3. Задача.
Рассчитать АЧХ фильтра, если
см. скриншот
BuKToP89
: 31 марта 2016
50 руб.
Гигиена органов дыхания
alfFRED
: 26 января 2013
Система органов дыхания включает воздухоносные пути и альвеолы легких, где и происходит газообмен между легкими и кровью. Верхние дыхательные пути начинаются носовой и ротовой полостями. В носовой полости воздух увлажняется и обогревается, освобождается от пыли, проходя между стенками щелевидных полостей, обильно снабженными кровеносными сосудами. Покрывающий стенки воздухоносных полостей слизистый эпителий увлажняет воздух и очищает его от пылевидных частиц. Далее воздух попадает в носоглотку,
alfFRED
: 26 января 2013
История развития и классификация языков программирования. Экзамен
aikys
: 12 февраля 2018
Билет 7
1. Вопрос по лекционному курсу
История развития и классификация языков программирования.
2. Написать фрагмент программы на языке Ассемблера
В памяти находится целочисленный массив с элементами
8,-5,1,-6,3. Программа должна находить и печатать на экране количество отрицательных элементов массива.
aikys
: 12 февраля 2018
55 руб.
Программирование на языках высокого уровня. Язык программирования Си. Лабораторная работа №4. Вариант № 4
angy
: 22 марта 2014
Лабораторная работа №4
Работа с массивом структур
Дана информация о пяти рабочих цеха. Структура имеет вид: фамилия, размер зарплаты, стаж работы. Вывести данные о рабочем с наибольшей зарплатой и наименьшим стажем.
angy
: 22 марта 2014
70 руб.
