Температурная зависимость электропроводности полупроводников
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
30.09.2011
-
Размер:
139 KB
-
Покупок:
4
-
Добавил:
Dusya
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
|
Лабораторная работа 6.doc
|
Отчёт.bmp
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
- Программа для просмотра изображений
Описание
Лабораторная работа
По дисциплине: « Физика»
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Выводы по работе.
Изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры: при постоянном значении тока через образец экспериментально получили зависимость напряжения на образце от температуры и, вычислив электропроводность образца σ при ряде температур T, получили зависимость величины ln от 1 Т. Точки на графике легли вдоль прямой, что соответствует линейной зависимости ln от 1 Т. По графику определили ширину запрещенной зоны образца: 0,654 эВ. Образец является полупроводником, так как материалы с шириной запрещенной зоны примерно в интервале 0,1÷4 эВ относятся к полупроводникам. По величине образец близок к германию, для которого ширина запрещенной зоны при комнатной температуре составляет около 0,67 эВ.
Ответы на контрольные вопросы.
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
По дисциплине: « Физика»
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Выводы по работе.
Изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры: при постоянном значении тока через образец экспериментально получили зависимость напряжения на образце от температуры и, вычислив электропроводность образца σ при ряде температур T, получили зависимость величины ln от 1 Т. Точки на графике легли вдоль прямой, что соответствует линейной зависимости ln от 1 Т. По графику определили ширину запрещенной зоны образца: 0,654 эВ. Образец является полупроводником, так как материалы с шириной запрещенной зоны примерно в интервале 0,1÷4 эВ относятся к полупроводникам. По величине образец близок к германию, для которого ширина запрещенной зоны при комнатной температуре составляет около 0,67 эВ.
Ответы на контрольные вопросы.
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Дополнительная информация
3 семестр. Зачет без замечаний. 2011.
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Винтовой шнековый конвейер для удаления выбуренного шлама с блока очистки раствора-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 24 мая 2016
Винтовой шнековый конвейер для удаления выбуренного шлама с блока очистки раствора-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 24 мая 2016
500 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств. Вариант 08
Roma967
: 9 июля 2023
Задача № 1
Начертить принципиальную схему однотактного резисторного каскада предварительного усиления на БТ, включенном по схеме с ОЭ с эмиттерной стабилизацией точки покоя. Рассчитать параметры элементов схемы, режим работы каскада по постоянному току, коэффициент усиления в области средних частот, входные параметры каскада и амплитуду входного сигнала.
Исходные данные для расчетов приведены в таблицах 1 и 2.
Таблица 1 – Исходные данные
Предпоследняя цифра пароля: 0
Технические данные:
- Марка
Roma967
: 9 июля 2023
700 руб.
Теплотехника СФУ 2017 Задача 1 Вариант 32
Z24
: 30 декабря 2026
Смесь, состоящая из М1 киломолей углекислого газа и М2 киломолей окиси углерода с начальными параметрами р1 = 5 МПа и Т1 = 2000 К, расширяется до конечного объема V2 = εV1. Расширение осуществляется по изотерме, по адиабате, по политропе с показателем n. Определить газовую постоянную смеси, её массу и начальный объем, конечные параметры смеси, работу расширения, теплоту процесса, изменение внутренней энергии, энтальпии и энтропии. Дать сводную таблицу результатов и анализ ее. Показать процессы в
Z24
: 30 декабря 2026
280 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Химия радиоматериалов". 13-й вариант
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 5 февраля 2013
Задача № 3.1.1Определить падение напряжения в линии электропередач длиной L при температуре То1 , То2 , То3 , если провод имеет сечение S и по нему течет ток I.
№ вар. Материал То1, С То2, С То3, С L, км S, мм2 I, А
3 Cu -30 +25 +50 500 25 200
Задача № 3.1.2
Определить длину проволоки для намотки проволочного резистора с номиналом R, и допустимой мощностью рассеяния P.
№ вар. Материал R, Ом P, Вт j, А/мм2 0, мкОм* м
3 Х15Н60 2000
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 5 февраля 2013
250 руб.
