Температурная зависимость электропроводности полупроводников
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
30.09.2011
-
Размер:
139 KB
-
Покупок:
4
-
Добавил:
Dusya
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
|
Лабораторная работа 6.doc
|
Отчёт.bmp
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
- Программа для просмотра изображений
Описание
Лабораторная работа
По дисциплине: « Физика»
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Выводы по работе.
Изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры: при постоянном значении тока через образец экспериментально получили зависимость напряжения на образце от температуры и, вычислив электропроводность образца σ при ряде температур T, получили зависимость величины ln от 1 Т. Точки на графике легли вдоль прямой, что соответствует линейной зависимости ln от 1 Т. По графику определили ширину запрещенной зоны образца: 0,654 эВ. Образец является полупроводником, так как материалы с шириной запрещенной зоны примерно в интервале 0,1÷4 эВ относятся к полупроводникам. По величине образец близок к германию, для которого ширина запрещенной зоны при комнатной температуре составляет около 0,67 эВ.
Ответы на контрольные вопросы.
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
По дисциплине: « Физика»
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Выводы по работе.
Изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры: при постоянном значении тока через образец экспериментально получили зависимость напряжения на образце от температуры и, вычислив электропроводность образца σ при ряде температур T, получили зависимость величины ln от 1 Т. Точки на графике легли вдоль прямой, что соответствует линейной зависимости ln от 1 Т. По графику определили ширину запрещенной зоны образца: 0,654 эВ. Образец является полупроводником, так как материалы с шириной запрещенной зоны примерно в интервале 0,1÷4 эВ относятся к полупроводникам. По величине образец близок к германию, для которого ширина запрещенной зоны при комнатной температуре составляет около 0,67 эВ.
Ответы на контрольные вопросы.
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Дополнительная информация
3 семестр. Зачет без замечаний. 2011.
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Лабораторные работы №1-3 по дисциплине: Программное обеспечение инфокоммуникационных систем (часть 2-я). Вариант №08
rmn77
: 24 августа 2022
Лабораторные работы №1-3 по дисциплине: Программное обеспечение инфокоммуникационных систем (часть 2-я). Вариант №08
Лабораторная работа №1
Построение структурной модели телекоммуникационной системы с помощью пакета PragmaDev Studio
Цель работы
Изучить этапы создания проекта в пакете PragmaDev Studio на примере построения заданной системы и формирования структурной диаграммы взаимодействия элементов этой системы.
Задание
1. Создать проект в пакете PragmaDev Studio и выполнить пример из п.
rmn77
: 24 августа 2022
1400 руб.
Гидравлика Севмашвтуз 2016 Задача 37 Вариант 5
Z24
: 1 ноября 2025
Из отверстия в тонкой стенке диаметром d вытекает вода с температурой 20 ºC. Определить расход воды и сравнить с расходом жидкости Ж, вытекающего при тех же условиях. Высота уровня жидкости над центром отверстия Н.
Z24
: 1 ноября 2025
150 руб.
Особливості бюджетного планування в країнах з федеративним бюджетним устроєм
GnobYTEL
: 26 октября 2013
Зміст
Вступ
1 Сполученні Штати Америки
2 Федеративна Республіка Німеччина
Висновок
Перелік літератури
Вступ
В сучасних умовах бюджет є обов’язковою умовою ефективного функціонування будь-якої держави, і розвинені зарубіжні країни пройшли значний шлях, який вимірюється сторіччями, завдяки чому кожна країна напрацювала свою схему бюджетних відносин.
Західна політична і економічна теорія приділяє бюджетним відносинам значну увагу. Бюджет розглядається як економічна категорія, політичний інститут,
GnobYTEL
: 26 октября 2013
15 руб.
Лабораторная работа №4 по дисциплине «Электромагнитные поля и волны». Вариант №1.
merkuchev
: 10 марта 2013
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА No4
по дисциплине
«Электромагнитные поля и волны»
ЦЕЛЬ РАБОТЫ: Освоение методики расчета конструктивных параметров объемных резонаторов и измерение основных электрических характеристик: резонансной частоты, нагруженной и собственной добротностей.
ЗАДАНИЕ ДЛЯ САМОСТОЯТЕЛЬНОЙ РАБОТЫ.
Для заданных в таблице вариантов* резонансной частоты f0 и полосы пропускания Δf провести конструктивный расчет прямоугольного резонатора с колебанием Н101, рис.1:
Исходные данные:
М а х в, мм В
merkuchev
: 10 марта 2013
150 руб.
