Температурная зависимость электропроводности полупроводников

ID: 54323
Дата закачки: 30 Сентября 2011
Продавец: Dusya (Напишите, если есть вопросы)
Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Лабораторная
Форматы файлов: Microsoft Word
Сдано в учебном заведении: СибГУТИ

Описание:
Лабораторная работа
По дисциплине: « Физика»
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Выводы по работе.
Изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры: при постоянном значении тока через образец экспериментально получили зависимость напряжения на образце от температуры и, вычислив электропроводность образца σ при ряде температур T, получили зависимость величины ln от 1 Т. Точки на графике легли вдоль прямой, что соответствует линейной зависимости ln от 1 Т. По графику определили ширину запрещенной зоны образца: 0,654 эВ. Образец является полупроводником, так как материалы с шириной запрещенной зоны примерно в интервале 0,1÷4 эВ относятся к полупроводникам. По величине образец близок к германию, для которого ширина запрещенной зоны при комнатной температуре составляет около 0,67 эВ.

Ответы на контрольные вопросы.
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.

Комментарии: 3 семестр. Зачет без замечаний. 2011.

Размер файла: 139 Кбайт
Фаил: