Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
![]() Физические основы электроники. Контрольная работа.ID: 5482Дата закачки: 17 Декабря 2008 Продавец: madamm (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Работа Контрольная Форматы файлов: Microsoft Office Сдано в учебном заведении: СибГУТИ Описание: Содержание задач контрольной работы Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. Вариант №2. Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 625 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 375 мкА . По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h . Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1. Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты½ Н21½ / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов. Задача 4: Вариант 1. Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1 Дано: Полевой транзистор КП103K, , . Выходные характеристики по приложению Б. . По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе. Комментарии: Год сдачи 2007 СибГУТИ Зачет Размер файла: 1,7 Мбайт Фаил: ![]() ------------------- Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные! Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку. Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот. -------------------
Скачано: 13 Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! Некоторые похожие работы:СИНЕРГИЯ Правовые основы цифровизации государственного управления Тест 90 баллов 2023 годКонтрольная работа по дисциплине: Физические Основы Электроники. Вариант 3. Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №5. Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №6. Контрольная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №10. КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА № 1 по дисциплине: «Физические основы электроники». Вариант №9 Контрольная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 7. (3-й семестр) Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами. |
||||
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Электроника физическая / Физические основы электроники. Контрольная работа.
Вход в аккаунт: