Лабораторная работа № 2 по дисциплине: Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Вариант: 4. 3-й семестр.
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
20.12.2011
-
Размер:
198 KB
-
Покупок:
16
-
Добавил:
РешуВашуРаботу
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
ФИО. группа, лаб2.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
Сила тока согласно 4 варианта равна 5,4 мА.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5. Построить график зависимости lns от 1/ Т.
6. На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln, от 1 / T .?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
В файле DOC все подробные расчеты со скриншотами+ необходимые выводы + ответы на контр. вопросы
Сила тока согласно 4 варианта равна 5,4 мА.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5. Построить график зависимости lns от 1/ Т.
6. На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln, от 1 / T .?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
В файле DOC все подробные расчеты со скриншотами+ необходимые выводы + ответы на контр. вопросы
Дополнительная информация
Оценка:Зачет
Дата оценки: 19.12.2011
Рецензия: Ваша лабораторная работа № 4 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Дата оценки: 19.12.2011
Рецензия: Ваша лабораторная работа № 4 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Похожие материалы
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Вариант 6
salut135
: 8 апреля 2011
Лабораторная работа №6.8 вариант 6
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность у материалов определяется выражением...
3. Описание лабораторной установки
Схема лабораторной установки приведена на рис.1.
Сила тока источника (1) не зависит от сопротивления нагрузки. Наг
salut135
: 8 апреля 2011
45 руб.
Физика (спецглавы). 2-й семестр. Лабораторная работа. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант №4.
Ирина16
: 1 июня 2017
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
Схема лабораторной установки приведена на рис.1.
Сила тока источника (1) не зависит от сопротивления нагрузки. Нагрузкой источника является образец (2). Сила тока, протекающего через образец, регистрируется миллиамперметром (3), а напряжение на образце измеряется при помощи вольтметра (4). Образец накле
Ирина16
: 1 июня 2017
70 руб.
Физика. Лабораторная работа 6.8 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 10
rmn77
: 21 апреля 2019
Физика (спец. главы). Лабораторная работа 6.8 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 10
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Задание
Выполняется по вариантам. Сила тока 10 мА
Установить силу тока через образец в соответствии с вариантом. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз
rmn77
: 21 апреля 2019
15 руб.
Физика. Лабораторная работа № 6.8.Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 5
gnv1979
: 6 января 2017
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче ис
gnv1979
: 6 января 2017
30 руб.
Физика. Лабораторная работа № 6.8 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 7
SkyAngel
: 3 декабря 2015
Вариант 7
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Сила тока согласно условию варианта равна 7,8 мА.
SkyAngel
: 3 декабря 2015
75 руб.
Лабораторная работа 6.8 по физике «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №8
faraon666
: 9 февраля 2014
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
faraon666
: 9 февраля 2014
50 руб.
Физика. Лабораторная работа № 6.8 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант №4
MN
: 23 января 2014
1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Задание
1. Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех темпе
MN
: 23 января 2014
100 руб.
Физика. Лабораторная работа 6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 1
Teuserer
: 1 марта 2012
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носите
Teuserer
: 1 марта 2012
150 руб.
Другие работы
ЦОС. Зачет. Билет №9
MN
: 19 августа 2014
1. Дискретные сигналы. Спектры дискретных сигналов. Влияние изменения шага дискретизации на вид спектра (с приведением временных и спектральных диаграмм).
2. Дискретизация аналогового сигнала. Теорема Котельникова. Требования к выбору значения шага дискретизации (с иллюстрацией на временных и спектральных диаграммах).
3. Дискретный сигнал на интервале своей периодичности задан шестью равноотстоящими отсчетами {xk}=(1,1,1,0,0,0). Найти коэффициенты ДПФ этого сигнала. Построить график.
MN
: 19 августа 2014
150 руб.
Теорема вириала в преподавании физики и астрономии
alfFRED
: 12 августа 2013
Работа выполнена в предвидении изменения срока и содержания обучения в средней школе. В работе предлагается включить в программу обучения теорему вириала, что будет способствовать усилению связи в преподавании физики и астрономии, генерализации естественнонаучных знаний на основе общих закономерностей. Авторы приглашают к обсуждению целесообразности и возможности включения излагаемого фрагмента в содержание обучения физике и астрономии.
1. Теорема вириала утверждает, что для системы взаимодейств
alfFRED
: 12 августа 2013
10 руб.
Состояние отрасли, барьеры входа
Lokard
: 5 ноября 2013
Основные понятия
Анализ целевого рынка затрагивает в первую очередь рассмотрение его конъюнктуры. В понятие конъюнктуры входит сложившаяся ситуация со спросом, предложением товара на рынке и уровня сложившихся цен.
При рассмотрении отрасли необходимо учитывать степень концентрации предприятий, уровень монополизации отрасли и количество действующих на рынке компаний, доли рынка крупнейших из них, а также существующие ограничения действия на рынке новых компаний.
На различных отраслевых рынках
Lokard
: 5 ноября 2013
5 руб.
Социологическое творчество М. Вебера
evelin
: 4 февраля 2014
1. Краткий биографический очерк и общая характеристика социологического учения
2. Теория социального действия
3. Понимающая социология М. Вебера
4. Учение об идеальных типах
5. Учение о типах господства
6. Принцип рациональности и теория капитализма М. Вебера
7. Социология религии
8. Список литературы
1. Краткий биографический очерк и общая характеристика социологического учения
Великий немецкий социолог Макс Вебер (1864—1920) родился в Эрфурте.
Его отец был юристом, выходцем из семьи промышлен
evelin
: 4 февраля 2014
5 руб.
