Лабораторная работа № 2 по дисциплине: Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Вариант: 4. 3-й семестр.
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
Сила тока согласно 4 варианта равна 5,4 мА.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5. Построить график зависимости lns от 1/ Т.
6. На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln, от 1 / T .?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
В файле DOC все подробные расчеты со скриншотами+ необходимые выводы + ответы на контр. вопросы
Сила тока согласно 4 варианта равна 5,4 мА.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5. Построить график зависимости lns от 1/ Т.
6. На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln, от 1 / T .?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
В файле DOC все подробные расчеты со скриншотами+ необходимые выводы + ответы на контр. вопросы
Дополнительная информация
Оценка:Зачет
Дата оценки: 19.12.2011
Рецензия: Ваша лабораторная работа № 4 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Дата оценки: 19.12.2011
Рецензия: Ваша лабораторная работа № 4 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Похожие материалы
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Вариант 6
salut135
: 8 апреля 2011
Лабораторная работа №6.8 вариант 6
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность у материалов определяется выражением...
3. Описание лабораторной установки
Схема лабораторной установки приведена на рис.1.
Сила тока источника (1) не зависит от сопротивления нагрузки. Наг
45 руб.
Физика (спецглавы). 2-й семестр. Лабораторная работа. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант №4.
Ирина16
: 1 июня 2017
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
Схема лабораторной установки приведена на рис.1.
Сила тока источника (1) не зависит от сопротивления нагрузки. Нагрузкой источника является образец (2). Сила тока, протекающего через образец, регистрируется миллиамперметром (3), а напряжение на образце измеряется при помощи вольтметра (4). Образец накле
70 руб.
Физика. Лабораторная работа 6.8 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 10
rmn77
: 21 апреля 2019
Физика (спец. главы). Лабораторная работа 6.8 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 10
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Задание
Выполняется по вариантам. Сила тока 10 мА
Установить силу тока через образец в соответствии с вариантом. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз
15 руб.
Физика. Лабораторная работа № 6.8.Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 5
gnv1979
: 6 января 2017
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче ис
30 руб.
Физика. Лабораторная работа № 6.8 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 7
SkyAngel
: 3 декабря 2015
Вариант 7
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Сила тока согласно условию варианта равна 7,8 мА.
75 руб.
Лабораторная работа 6.8 по физике «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №8
faraon666
: 9 февраля 2014
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
50 руб.
Физика. Лабораторная работа № 6.8 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант №4
MN
: 23 января 2014
1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Задание
1. Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех темпе
100 руб.
Физика. Лабораторная работа 6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 1
Teuserer
: 1 марта 2012
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носите
150 руб.
Другие работы
Теплотехника 5 задач Задача 3 Вариант 74
Z24
: 4 января 2026
Воздух с начальной температурой t1 = 27ºС сжимается в одноступенчатом поршневом компрессоре от давления р1 = 0,1 МПа до давления р2. Сжатие может происходить по изотерме, по адиабате и по политропе (с показателем политропы n).
Определить:
Для каждого из трех процессов сжатия конечную температуру газа t2, отведенную от газа теплоту Q, кВт; изменение внутренней энергии и теоретическую мощность компрессор, если его производительность G. Дать сводную таблицу и изображение процессов в рv — диа
250 руб.
Червячная передача. Вариант 29
lepris
: 10 августа 2022
Червячная передача. Вариант 29
Червячная передача. Задание 80. Вариант 29
Выполнить чертеж червячной передачи. Размеры шпонок и пазов для них установить по ГОСТ 23360-78. Остальные параметры см. в Приложениях 10 и 13. Нанести размеры диаметров валов и межосевого расстояния.
m=5
q=9
Z1=31
Dв2=40
Чертеж выполнен на формате А3 (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в компасе 3D v13, возможно открыть в 14,15,16,17,18,19,20,21,22 и выше версиях компаса.
Также открывать и п
100 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Планирование на предприятии: РАЗРАБОТКА БИЗНЕС-ПЛАНА (вариант общий)
SibGOODy
: 3 февраля 2018
Содержание
Задание 3
Введение 4
1. Основные разделы бизнес-плана 7
1.1 Резюме 10
1.2 План маркетинга 14
1.3 Производственный план 19
1.4 Организационный план 23
1.5 Финансовый план 24
1.6 Оценка рисков 26
Заключение 28
Список литературы 29
Задание
на курсовую работу по теме:
«Разработка бизнес-плана»
Цель курсовой работы – закрепление теоретических основ одного из разделов курса «Планирование на предприятии» и приобретение практических навыков решения вопросов, связанных с описанием и разработк
1000 руб.
Современные технологии программирования (Часть 1-я). Вариант №10.
LowCost
: 1 февраля 2022
Контрольная работа
Тема: Последовательные контейнеры STL и модульное тестирование
Цель: Сформировать практические навыки разработки абстракций данных на основе контейнеров STL и модульного тестирования средствами VisualStudio.
Задание
Реализовать обработку данных пользовательского типа (объектов класса) с помощью контейнера в соответствии с вариантом задания и со следующей спецификацией:
• приложение заполняет контейнер данными, которые вводятся пользователем с консоли;
• выводит содержимое кон
399 руб.