Лабораторная работа № 2 по дисциплине: Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Вариант: 4. 3-й семестр.
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
Сила тока согласно 4 варианта равна 5,4 мА.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5. Построить график зависимости lns от 1/ Т.
6. На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln, от 1 / T .?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
В файле DOC все подробные расчеты со скриншотами+ необходимые выводы + ответы на контр. вопросы
Сила тока согласно 4 варианта равна 5,4 мА.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5. Построить график зависимости lns от 1/ Т.
6. На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln, от 1 / T .?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
В файле DOC все подробные расчеты со скриншотами+ необходимые выводы + ответы на контр. вопросы
Дополнительная информация
Оценка:Зачет
Дата оценки: 19.12.2011
Рецензия: Ваша лабораторная работа № 4 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Дата оценки: 19.12.2011
Рецензия: Ваша лабораторная работа № 4 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Похожие материалы
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Вариант 6
salut135
: 8 апреля 2011
Лабораторная работа №6.8 вариант 6
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность у материалов определяется выражением...
3. Описание лабораторной установки
Схема лабораторной установки приведена на рис.1.
Сила тока источника (1) не зависит от сопротивления нагрузки. Наг
45 руб.
Физика (спецглавы). 2-й семестр. Лабораторная работа. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант №4.
Ирина16
: 1 июня 2017
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
Схема лабораторной установки приведена на рис.1.
Сила тока источника (1) не зависит от сопротивления нагрузки. Нагрузкой источника является образец (2). Сила тока, протекающего через образец, регистрируется миллиамперметром (3), а напряжение на образце измеряется при помощи вольтметра (4). Образец накле
70 руб.
Физика. Лабораторная работа 6.8 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 10
rmn77
: 21 апреля 2019
Физика (спец. главы). Лабораторная работа 6.8 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 10
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Задание
Выполняется по вариантам. Сила тока 10 мА
Установить силу тока через образец в соответствии с вариантом. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз
15 руб.
Физика. Лабораторная работа № 6.8.Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 5
gnv1979
: 6 января 2017
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче ис
30 руб.
Физика. Лабораторная работа № 6.8 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 7
SkyAngel
: 3 декабря 2015
Вариант 7
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Сила тока согласно условию варианта равна 7,8 мА.
75 руб.
Лабораторная работа 6.8 по физике «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №8
faraon666
: 9 февраля 2014
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
50 руб.
Физика. Лабораторная работа № 6.8 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант №4
MN
: 23 января 2014
1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Задание
1. Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех темпе
100 руб.
Физика. Лабораторная работа 6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 1
Teuserer
: 1 марта 2012
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носите
150 руб.
Другие работы
Розрахунок параметрів спліт-системи кондиціонування та підбір обладнання тепловологісної обробки повітря
SerFACE
: 30 сентября 2014
Зміст
Вступ
1. Оцінка тепло- та вологонадлишків у розрахунковому приміщенні
2. Визначення необхідної холодо- та теплопродуктивності спліт-системи кондиціонування та підбір обладнаня тепловологісної обробки повітря
Висновок
Список використаних джерел
Розрахунок виконується в такій послідовності:
1.1 Теплоприплив у розрахункове приміщення крізь огородження , кВт.
Визначається в залежності від об’єму виробничого приміщення та питомого теплового навантаження в ньому , Вт/м3. Згідно з даними
15 руб.
Контрольная работа.Теория электрической связи. Вариант №21
DO-DO SIBSUTI
: 26 марта 2017
Задача 1
Стационарный случайный процесс x(t) имеет одномерную функцию плотности (ФПВ) мгновенных значений w(x), график и параметры которой приведены в таблице 1.
Требуется:
1. Определить параметр h ФПВ.
2. Построить ФПВ w(x) и функцию вероятностей (ФРВ) F(x) случайного процесса.
3. Определить первый m1 (математическое ожидание) и второй m2 начальные моменты, а также дисперсию D(x) случайного процесса.
Дано: a = 2; b = 6; c = 3; d = 4; e = 0,2.
Вид заданной функции плотности вероятности (ФПВ)
150 руб.
Производство защитной атмосферы ДЛЯ ОЧИСТКИ ГАЗА СГОРАНИЯ-Чертеж-Машины и аппараты нефтехимических производств-Курсовая работа-Дипломная работа
leha.nakonechnyy.2016@mail.ru
: 22 июля 2016
Производство защитной атмосферы ДЛЯ ОЧИСТКИ ГАЗА СГОРАНИЯ-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Машины и аппараты нефтехимических производств-Курсовая работа-Дипломная работа
385 руб.
50 руб.