Разработка фундамента трёхэтажного промышленного здания
Состав работы
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
- AutoCAD или DWG TrueView
Описание
Задачей данного проекта является разработка конструкций фундаментов для четырех ха-рактерных сечений промышленного здания и расчет оснований по предельным состояниям 2 группы.
Целью данного курсового проекта является установление величины расчетного сопротив-ления; определение величины нагрузок, действующих на фундаменты; расчет выбранных фун-даментов и оснований по предельным состояниям; произвести конструирование фундамента мелкого и свайного фундамента.
Содержание
Введение………………………………………………………………….........…………...3
1.Оценка инженерно-геологических условий…………………………........…………...4
1.3.Заключение по площадке………………………………………………........…6
1.4.Геологический разрез………………………………………………….........….7
2. Сбор нагрузок на фундамент под колонну Б-2............................................................ 8
3.Конструирование фундамента мелкого заложения…………………….…….......…...9
3.1.Определение глубины заложения подошвы фундамента…………........……9
3.2.Определение размеров подошвы……………………………….........………...9
3.3. Конструирование фундамента………………………………….........………10
3.4. Определение конечной осадки основания фундамента методом послойного сум-мирования………………………………………………............................................................….11
4.Конструирование свайного фундамента...........………………………........………...15
4.1.Определение глубины заложения ростверка свайного фундамента….........15
4.2.Определение несущей способности сваи……………………………….........15
4.3. Определение осадки основания свайного фундамента…………........…….16
5.Определение стоимости вариантов фундаментов…………………………...………21
6.Список использованной литературы………………………………………………....22
Целью данного курсового проекта является установление величины расчетного сопротив-ления; определение величины нагрузок, действующих на фундаменты; расчет выбранных фун-даментов и оснований по предельным состояниям; произвести конструирование фундамента мелкого и свайного фундамента.
Содержание
Введение………………………………………………………………….........…………...3
1.Оценка инженерно-геологических условий…………………………........…………...4
1.3.Заключение по площадке………………………………………………........…6
1.4.Геологический разрез………………………………………………….........….7
2. Сбор нагрузок на фундамент под колонну Б-2............................................................ 8
3.Конструирование фундамента мелкого заложения…………………….…….......…...9
3.1.Определение глубины заложения подошвы фундамента…………........……9
3.2.Определение размеров подошвы……………………………….........………...9
3.3. Конструирование фундамента………………………………….........………10
3.4. Определение конечной осадки основания фундамента методом послойного сум-мирования………………………………………………............................................................….11
4.Конструирование свайного фундамента...........………………………........………...15
4.1.Определение глубины заложения ростверка свайного фундамента….........15
4.2.Определение несущей способности сваи……………………………….........15
4.3. Определение осадки основания свайного фундамента…………........…….16
5.Определение стоимости вариантов фундаментов…………………………...………21
6.Список использованной литературы………………………………………………....22
Дополнительная информация
все чертежи
Другие работы
Ролик ведущий в сборе.Проект модернизации силового агрегата измельчителя деревьев-Проект модернизации силового агрегата измельчителя деревьев
leha.se92@mail.ru
: 8 мая 2020
Ролик ведущий в сборе Сборочный чертёж-Спецификация-Проект модернизации силового агрегата измельчителя деревьев-Технология машиностроения-Детали машин-Деталировка-Сборочный чертеж-Чертежи-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Графическая часть-Оборудование-Машины и механизмы-Агрегаты-Установки-Комплексы-Узлы-Детали-Курсовая работа-Дипломная работа-Автомобили-Транспорт-Строительная техника-Электрооборудование-Грузоподъёмные механизмы-Железнодорожный транспорт
349 руб.
Силові IGBT і MOSFET транзистори
GnobYTEL
: 14 ноября 2012
Вступ
Силові транзистори IGBT і MOSFET стали основними елементами, вживаними в могутніх імпульсних перетворювачах. Їх унікальні статичні і динамічні характеристики дозволяють створювати пристрої, здатні віддати в навантаження десятки і навіть сотні кіловат при мінімальних габаритах і КПД, що перевищує 95 %.
Загальним у IGBT і MOSFET є ізольований затвор, внаслідок чого ці елементи мають схожі характеристики управління. Завдяки негативному температурному коефіцієнту струму короткого замикання з'я
Исследование проблем мотивации и разработка инновационных путей к её совершенствованию
Aronitue9
: 31 июля 2015
Теоретические аспекты формирования системы мотивации
Роль мотивации в управлении персоналом
Основные этапы развития теории мотивации
Направления развития современных систем мотивации
Управление изменениями в организации с помощью мотивации сотрудников
Анализ деятельности
Общая характеристика предприятия
Анализ баланса и его структуры
Анализ выручки
Анализ прибыли и рентабельности
Анализ персонала
Анализ существующей системы мотивации и её недостатков
Разработка инновационных путей к совершенст
400 руб.
Проектирование локальной компьютерной сети
Aronitue9
: 10 октября 2012
2012г. 12стр. Таблицы, схемы, рисунки, расчеты.
Содержание
Задание на проектирование
Функциональная модель процесса проектирования сети
Технико-экономическое обоснование разработки сети
Проектирование структурной схемы сети
Перечень функций пользователей сети
Разработка конфигурации сети
Выбор сетевых компонентов
Планирование информационной безопасности
Расчет капитальных вложений и эксплуатационных расходов
Список литературы
20 руб.