Вопросы к экзамену по курсу «Устройства оптоэлектроники».

Цена:
150 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 50E2370F-B69F-4A37-A533-C4D88258909E.rar [ 248 KB ]
material.view.file_icon Оптоэлектр. контру.doc [ 330 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Типы электронных переходов.
Важнейшей «классической» структурой является р-n-переход (рис. 1,а) — граница внутри единого монокристалла полупроводника, на которой благодаря изменению типа легирующей примеси (донорной на акцепторную) тип проводимости также изменяется (с электронной на дырочную).

Похожие материалы

Ответы на Вопросы к экзамену по курсу: Электромагнитная безопасность
Контрольные вопросы по курсу ЭМИ 1. Основные понятия и определения 2. Классификация источников электромагнитного излучения 3. Природные источники электромагнитного излучения 4. Антропогенные источники электромагнитного излучения 5. Особенности распространения радиоволн 5. Источники электромагнитного поля диапазона до 3 кГц 6. Источники электромагнитного поля диапазона 3 кГц – 300 ГГц 7. Характеристика электромагнитного излучения бытовых приборов 8. Характеристика электромагнитного излучения перс
Шпаргалки к экзаменационным билетам Электротехника СибГУТИ
User Nadenalove : 29 января 2019
500 руб.
Ответы на Вопросы к экзамену по курсу Организация охраны труда
Вопросы к экзамену по курсу Организация охраны труда 1. Основные понятия, термины, определения – охрана труда, условия труда, вредный фактор, опасный фактор, производственный травматизм, профессиональное заболевание, безопасные условия труда, требования охраны труда, стандарты безопасности труда и т.д. 2. Классификация опасных и вредных факторов производственной среды 3. Основные принципы обеспечения безопасности труда 4. Государственная политика управления охраной труда 5. Государственные норм
Шпаргалки к экзаменационным билетам СибГУТИ Охрана труда, пожар. безоп. и гражд. оборона
User Nadenalove : 25 мая 2017
450 руб.
Устройства оптоэлектроники
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User alru : 22 сентября 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User arkadij : 9 марта 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр. тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7 Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User arkadij : 13 февраля 2016
500 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User alyonka249 : 25 декабря 2015
70 руб.
Устройства оптоэлектроники
Контр. Раб.вариант No08.4 сем Задача No1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.(фототиристор) Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр Тип ПП материала - Ge(германий) Квантовая эффективной ŋ = 0,2 Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ. Задача No3. Изобразить принципиальную
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User женя68 : 6 декабря 2010
80 руб.
Устройства оптоэлектроники
СибГУТИ. Контрольная работа. Вариант 10. Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Задача №3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответств
СибГУТИ Электроника физическая Работа Контрольная
User nat2744 : 13 ноября 2009
100 руб.

Другие работы

Лабораторная работа №5 по дисциплине: Дискретная математика. Вариант №2 (2-й семестр)
Задание Граф задан его матрицей смежности. Требуется определить количество компонент связности этого графа. При этом должны быть конкретно перечислены вершины, входящие в каждую компоненту связности. Выбор алгоритма поиска компонент связности – произвольный. Например, приветствуется использование одного из видов обхода (поиск в глубину или поиск в ширину). Пользователю должна быть предоставлена возможность редактировать исходную матрицу, т.е. изменять исходный граф без выхода из программы. Преду
СибГУТИ Работа Лабораторная Дискретная математика
User Amor : 3 июня 2014
350 руб.
Лабораторная работа №1. Изучение характеристик электростатического поля.
Лабораторная работа № 1 Изучение характеристик электростатического поля По дисциплине: физика (часть 1) Цель работы: исследовать электростатическое поле, графически изобразить сечение эквипотенциальных поверхностей и силовые линии для некоторых конфигураций поля. Краткие теоретические сведения: Любое заряженное тело создает в пространстве вокруг себя электромагнитное поле и взаимодействует с внешним электромагнитным полем. Поле, создаваемое неподвижными зарядами, называется электростатически
СибГУТИ Физика Работа Лабораторная
User neznaika : 7 января 2015
100 руб.
Инженерно-психологическая, эргономическая оценка пользовательского интерфейса программного продукта
Введение. Критерии оценки пользовательского интерфейса. Инженерно – психологическая, эргономическая оценка пользовательского интерфейса программного продукта. Оценка степени соответствия рабочего места оператора требованиям СанПин 2.2.2/2.4.1340-. Описание программного продукта. Эргономическая оценка интерфейса программного продукта. Экономическая оценка программного продукта. Выводы. Используемые источники.
Информатика Работа Курсовая
User Aronitue9 : 26 августа 2012
20 руб.
Гидравлика Задача 2.549
Определить величину избыточного давления на поверхность жидкости, находящейся в сосуде в состоянии покоя, если в трубке пьезометра вода поднялась на высоту h = 1,8 м. Свободный конец трубки открыт и сообщается с атмосферой (см. рис.).
Задачи Гидравлика
User Z24 : 27 мая 2026
150 руб.
Гидравлика Задача 2.549
up Наверх