Вопросы к экзамену по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Типы электронных переходов.
Важнейшей «классической» структурой является р-n-переход (рис. 1,а) — граница внутри единого монокристалла полупроводника, на которой благодаря изменению типа легирующей примеси (донорной на акцепторную) тип проводимости также изменяется (с электронной на дырочную).
1.Типы электронных переходов.
Важнейшей «классической» структурой является р-n-переход (рис. 1,а) — граница внутри единого монокристалла полупроводника, на которой благодаря изменению типа легирующей примеси (донорной на акцепторную) тип проводимости также изменяется (с электронной на дырочную).
Похожие материалы
Ответы на Вопросы к экзамену по курсу: Электромагнитная безопасность
Nadenalove
: 29 января 2019
Контрольные вопросы по курсу ЭМИ
1. Основные понятия и определения
2. Классификация источников электромагнитного излучения
3. Природные источники электромагнитного излучения
4. Антропогенные источники электромагнитного излучения
5. Особенности распространения радиоволн
5. Источники электромагнитного поля диапазона до 3 кГц
6. Источники электромагнитного поля диапазона 3 кГц – 300 ГГц
7. Характеристика электромагнитного излучения бытовых приборов
8. Характеристика электромагнитного излучения перс
500 руб.
Ответы на Вопросы к экзамену по курсу Организация охраны труда
Nadenalove
: 25 мая 2017
Вопросы к экзамену по курсу Организация охраны труда
1. Основные понятия, термины, определения – охрана труда, условия труда, вредный фактор, опасный фактор, производственный травматизм, профессиональное заболевание, безопасные условия труда, требования охраны труда, стандарты безопасности труда и т.д.
2. Классификация опасных и вредных факторов производственной среды
3. Основные принципы обеспечения безопасности труда
4. Государственная политика управления охраной труда
5. Государственные норм
450 руб.
Устройства оптоэлектроники
alru
: 22 сентября 2016
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
arkadij
: 9 марта 2016
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
arkadij
: 13 февраля 2016
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7
Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
500 руб.
Устройства оптоэлектроники
alyonka249
: 25 декабря 2015
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
70 руб.
Устройства оптоэлектроники
женя68
: 6 декабря 2010
Контр. Раб.вариант No08.4 сем
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.(фототиристор)
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр Тип ПП материала - Ge(германий)
Квантовая эффективной ŋ = 0,2 Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ.
Задача No3.
Изобразить принципиальную
80 руб.
Устройства оптоэлектроники
nat2744
: 13 ноября 2009
СибГУТИ. Контрольная работа. Вариант 10.
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника.
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответств
100 руб.
Другие работы
Работа прокуратуры с жалобами, предложениями и заявлениями
alfFRED
: 6 июля 2013
Введение
1. Рассмотрение жалоб на действия органов управления, предприятий, учреждений и должностных лиц
2. Рассмотрение жалоб на действия органов дознания и предварительного следствия
3. Рассмотрение жалоб на приговоры, решения, определения, постановления суда
4. Надзор за исполнением законов о порядке рассмотрения предложений, заявлений и жалоб на предприятиях, в учреждениях и организациях
Заключение
Введение
В последнее время уделяется большое внимание работе органов прокур
5 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Основы антикоррупционной культуры. Вариант 1
xtrail
: 26 июля 2024
Тема «Социальные последствия коррупции»
Содержание
Введение 3
1. Понятие коррупции и ее влияние на современное общество 4
2. Характеристика социальных последствий коррупции 7
Заключение 9
300 руб.
Гидравлика АКАДЕМИЯ ГРАЖДАНСКОЙ ЗАЩИТЫ Задача 4 Вариант 36
Z24
: 10 марта 2026
Определить предельную высоту расположения оси центробежного насоса над уровнем воды в водоисточник h, если расход воды из насоса Q, диаметр всасывающей трубы d. Вакуумметрическое давление, создаваемое во всасывающем патрубке рв, потери напора во всасывающей линии 1 м.
150 руб.
Работа командира по организации и планированию марша частью РЭБ
Lokard
: 8 марта 2014
I. Порядок проведения практической работы.
1.1. Подготовка к занятию.
При подготовке к занятию студенты должны знать материалы лекций по курсу Д-25 и Д-22, иметь цветные карандаши и линейки.
1.2. Проведение практического занятия.
Студенты получают карту, боевое распоряжение на совершение марша. Изучают боевое распоряжение, наносят необходимые данные на карту и планируют марш.
1.3. Защита отчета по практической работе производится в индивидуальном порядке каждым студентом.
К защите представляетс
15 руб.