Вопросы к экзамену по курсу «Устройства оптоэлектроники».

Цена:
150 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 50E2370F-B69F-4A37-A533-C4D88258909E.rar [248 KB]
material.view.file_icon Оптоэлектр. контру.doc [Office 2010, 20 стр., 330 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Типы электронных переходов.
Важнейшей «классической» структурой является р-n-переход (рис. 1,а) — граница внутри единого монокристалла полупроводника, на которой благодаря изменению типа легирующей примеси (донорной на акцепторную) тип проводимости также изменяется (с электронной на дырочную).

Похожие материалы

Ответы на Вопросы к экзамену по курсу: Электромагнитная безопасность
Контрольные вопросы по курсу ЭМИ 1. Основные понятия и определения 2. Классификация источников электромагнитного излучения 3. Природные источники электромагнитного излучения 4. Антропогенные источники электромагнитного излучения 5. Особенности распространения радиоволн 5. Источники электромагнитного поля диапазона до 3 кГц 6. Источники электромагнитного поля диапазона 3 кГц – 300 ГГц 7. Характеристика электромагнитного излучения бытовых приборов 8. Характеристика электромагнитного излучения перс
Шпаргалки к экзаменационным билетам Электротехника СибГУТИ
User Nadenalove : 29 января 2019
500 руб.
Ответы на Вопросы к экзамену по курсу Организация охраны труда
Вопросы к экзамену по курсу Организация охраны труда 1. Основные понятия, термины, определения – охрана труда, условия труда, вредный фактор, опасный фактор, производственный травматизм, профессиональное заболевание, безопасные условия труда, требования охраны труда, стандарты безопасности труда и т.д. 2. Классификация опасных и вредных факторов производственной среды 3. Основные принципы обеспечения безопасности труда 4. Государственная политика управления охраной труда 5. Государственные норм
Шпаргалки к экзаменационным билетам СибГУТИ Охрана труда, пожар. безоп. и гражд. оборона
User Nadenalove : 25 мая 2017
450 руб.
Устройства оптоэлектроники
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User alru : 22 сентября 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User arkadij : 9 марта 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр. тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7 Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User arkadij : 13 февраля 2016
500 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User alyonka249 : 25 декабря 2015
70 руб.
Устройства оптоэлектроники
Контр. Раб.вариант No08.4 сем Задача No1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.(фототиристор) Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр Тип ПП материала - Ge(германий) Квантовая эффективной ŋ = 0,2 Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ. Задача No3. Изобразить принципиальную
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User женя68 : 6 декабря 2010
80 руб.
Устройства оптоэлектроники
СибГУТИ. Контрольная работа. Вариант 10. Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Задача №3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответств
СибГУТИ Электроника физическая Работа Контрольная
User nat2744 : 13 ноября 2009
100 руб.

Другие работы

Техническая механика ЕЭТ 2019 Задача 2 Вариант 2
тема «Общие положения сопротивления материалов» и «Растяжение (сжатие). Условие прочности» Для заданного ступенчатого стального бруса построить эпюры продольных сил и нормальных напряжений. Определить размеры поперечного сечения, проверить балку на прочность. Определить перемещение свободного конца бруса. Модуль продольной упругости Е = 2·105 Н/мм²
Задачи Сопротивление материалов
User Z24 : 13 ноября 2025
200 руб.
Техническая механика ЕЭТ 2019 Задача 2 Вариант 2
Контрольная работа по предмету: Физические основы электроники. Вариант № 10
Задача 1. Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Задача 2. Используя характеристики заданного Б.Т. определить h- параметры в рабочей точки задачи 1. Задача №3. Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента пер
СибГУТИ Физика и энергетика Работа Контрольная
User 2pqp : 7 декабря 2012
50 руб.
Глухова М.И. и др. Мировая экономика
Сущность мировой экономики и мирового (всемирного) хозяйства Этапы развития мировой экономики Причины и формы перехода к рыночному хозяйству Современный этап развития мирового хозяйства и его последствия Усиление целостности мирового хозяйства в начале XX века Интернационализация как одна из тенденций развития мировой экономики Транснациональные корпорации Эффективная деятельность ТНК Международная экономическая интеграция Глобализация современной мировой экономики Всего 99 вопросов Библиограф
Экономика Тесты
User Aronitue9 : 20 января 2012
5 руб.
Резерви збільшення випуску та реалізації продукції
Резерви збільшення випуску і реалізації продукції розглядаються як науково обґрунтований запас виробництва для забезпечення гарантії виконання договорів поставки і як невикористані можливості зростання і вдосконалення виробництва продукції та його кінцевих фінансових результатів. Резерви випуску і реалізації продукції виникають постійно під впливом науково-технічного прогресу, вдосконалення організації виробництва, праці й менеджменту. Невикористані можливості виробництва і реалізації продукції
Работа Экономика
User Elfa254 : 3 ноября 2013
10 руб.
up Наверх